用于无线充电中的nicuzn铁氧体屏蔽材料的研究

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1、＇Ｉ：｜Ｉｕ．ＩＩｒＩＩＩＩ１＇｜，；‘．’’’Ｉ＂‘Ｉｎ．１ＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹＯＦＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳＣＩＥＮＣＥＡＮＤＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹＯＦＣＨＩＮＡＩ专业学位硕±学位论文ＭＡＳＴＥＲＴＨＥＳＩＯＮＡＬＤＥＧＲＥＥＩＳＦＯＲＰＲＯＦＥＳＳ．．，＂．ｉＢｒ论丈题目用于无线充电中的ＮｉＣｕＺｎ铁氧体屛蔽材料的硏究专业学位类别工程硕±学号２０１２２２０３０６

2、５６作者姓名李东月ｉ指导教师梁迪飞教授１节＇皆護Ｉ独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加标注和致谢的地方夕ｈ，论文中不包含其他人己经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均己在论文中作了明确的说明并表示谢意。作者签名：日期：年ｒ月曰￣細论文使用授权本学位论文作者完全

3、了解电子科技大学有关保留、使用学位论文的规定，有权保留并向国家有关部口或机构送交论文的复印件和磁盘，允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可＾＾将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可１＾采用影印、缩印或扫描等复制手段保存。、汇编学位论文（保密的学位论文在解密后应遵守此规定）／作者签名：导师签名：＿日期＇：弘５年Ｓ月聲日分类号密级注1UDC学位论文用于无线充电中的NiCuZn铁氧体屏蔽材料的研究（题名和副题名）李东月（作者姓名）指导教师梁迪飞教授电子科技大

4、学成都（姓名、职称、单位名称）申请学位级别硕士专业学位类别工程硕士工程领域名称电子与通信工程提交论文日期2015.03.28论文答辩日期2015.05.26学位授予单位和日期电子科技大学2015年06月30日答辩委员会主席评阅人注1：注明《国际十进分类法UDC》的类号。RESEARCHOFNICUZNFERRITESHIELDINGMATERIALSUSEDINWIRELESSCHARGINGAMasterThesisSubmittedtoUniversityofElectronicScienceandT

5、echnologyofChinaMajor:MasterofEngineeringAuthor:LiDongyueAdvisor:ProfessorLiangDifeiSchool:SchoolofMicroelectronics&Solid-StateElectronics摘要摘要近几年来无线充电技术已成为了热点，现有的且比较有市场的无线充电设备，是基于电磁感应和电磁谐振技术，前者的主要应用频段为100～205KHz（参考Qi标准），后者应用频段为10MHz左右（可与NFC技术结合）。但无线充电设备还没

6、有普及，主要是因为其技术还存在诸多问题，最主要的是如何提高充电效率，从而使其能够与有线充电相比较。Qi标准中指出可以用NiZn铁氧体作为屏蔽材料。而铁氧体屏蔽材料的磁性能参数对充电效率在一定程度上有着关键性的影响。首先，针对应用于低频段（100～205KHz）NiCuZn铁氧体进行了研究，目标是制备出具有高起始磁导率、高饱和磁感应强度和低功耗的材料。主要集中在配方的设计和工艺调节方面。得出结论：ZnO含量的范围从26.78mol%增加到29.87mol%，材料μi在上升，Bs、Br、Hc和Pcv都在逐渐减

7、小，经综合衡量，ZnO含量在28.84mol%～29.87mol%之间选取比较合适。CuO有助于烧结，μi随CuO含量的增加呈现出先升高后下降的现象，其含量设置在6.695mol%～8.24mol%左右能较好的兼顾材料磁性能。Fe2O3含量为48.5mol%时，μi值达到最大，主配方中其含量控制在47.5mol%～48.5mol%之间最有利于实现研究目标。V2O5的掺入可以使晶粒增大且生长比较均匀，起始磁导率变大，但是过量掺杂，会使材料的磁性能恶化。合适的预烧温度可以优化材料的性能，本文中温度设置在800

8、℃～850℃之间为最佳；适当延长二次球磨时间有利于对预烧粉料进行更彻底的破碎，从而促进粉料的烧结，使其结晶更彻底，提高结晶程度，二磨的时间设置为4～5小时达到的效果最好。其次，选择应用于高频段（10～13.56MHz）的NiCuZn铁氧体屏蔽材料为研究对象，其目标是提磁导率值（13.56MHz处大于210），降低磁导率的虚部值即损耗（13.56MHz处小于10）。此过程分析了调节工艺，以及掺杂Co2O3和Co2O3-V2O