低温烧结nicuzn铁氧体性能研究

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1、分类号学号M201172097学校代码10487密级硕士学位论文低温烧结NiCuZn铁氧体性能研究学位申请人：董丽学科专业：微电子学与固体电子学指导教师：冯则坤教授答辩日期：2014年1月7日万方数据AThesisSubmittedinPartialFulfillmentoftheRequirementsfortheDegreeofMasterofEngineeringTheStudyonPropertiesofLow-temperatureSinteredNiCuZnFerritesCandidate:DongLiMajor:Microe

2、lectronicsandSolidElectronicsSupervisor:Prof.FengZekunHuazhongUniversityofScienceandTechnologyWuhan,430074,P.R.ChinaJan,2014万方数据独创性声明本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知，除文中已经标明引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的研究成果。对本文的研究做出贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到，本声明的法律结果由本人承担。学位

3、论文作者签名：日期：年月日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，即：学校有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权华中科技大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。保密□，在_____年解密后适用本授权书。本论文属于不保密□。（请在以上方框内打“√”）学位论文作者签名：指导教师签名：日期：年月日日期：年月日万方数据华中科技大学硕士学位论文摘要NiCuZn铁氧体因为具有较低的烧结温度和较

4、好的软磁性能常被用作低温烧结材料用于叠层型片式电感器中。本文选用NiO、CuO、ZnO、Fe2O3为原材料，通过传统的陶瓷氧化物法制备了一系列的低温烧结NiCuZn铁氧体并研究了其性能。本文从主配方、添加剂和烧结温度三个方面对低温烧结NiCuZn材料的多种性能进行了研究。研究表明：○1主配方对材料的直流叠加性能和耐直流冲击性能的影响较大。随着Fe2O3含量的减少，材料的直流叠加性能逐渐变好，但是起始磁导率却逐渐降低。材料的直流叠加性能随着Ni/Zn比含量的变化呈现波动变化的趋势，需综合考虑直流叠加性能和起始磁导率的影响，将Ni/Zn比含量控

5、制在一定范围内。随着Fe2O3含量的增加，材料的耐直流冲击性能呈现出劣化的趋势。随着Ni/Zn的增加，材料的耐直流冲击性能呈现先剧烈变差而后缓慢变好的趋势，且存在明显的拐点。○2不同的添加剂对于NiCuZn铁氧体材料的性能影响不同。一定范围内，随着Bi2O3添加量的变化，当晶粒尺寸越大时，材料的直流叠加特性越差，但是晶粒尺寸对耐直流冲击性能影响较小。添加Bi2O3也改变材料微观结构中的晶界厚度从而微调材料温度系数，随着晶界厚度的增加，材料的温度系数向负方向改变。适量添加V2O5也有助于降低烧结温度和提高起始磁导率，V2O5添加量为0.25w

6、t%时，起始磁导率达到最大值，但是具有较好直流叠加特性的样品起始磁导率很低，同时V2O5对材料的温度系数的影响机制也较为复杂，并不是单调的变化规律。添加MoO3也可以有效降低NiCuZn铁氧体的烧结温度，当MoO3添加量为0.75wt%时，起始磁导率达到最大值。添加MoO3也可以在一定程度上改善NiCuZn铁氧体材料的直流叠加性能。一定范围内，随着MoO3含量的增加，材料的晶界厚度逐渐增加，温度系数逐渐向负方向变化。单独添加玻璃时助烧效果较差。复合添加1.5wt%玻璃和2wt%Bi2O3时，NiCuZn铁氧体材料的直流叠加性能显著提高，比单

7、独添加时效果好，μ0H50值达到111A/m。○3烧结温度对于NiCuZn材料的直流叠加性能和温度稳定性影响较小，而对起始磁导率和耐直流冲击性能影响较大。关键词：NiCuZn铁氧体低温烧结添加剂直流叠加特性温度稳定性I万方数据华中科技大学硕士学位论文AbstractNiCuZnferriteiswidelyusedformultilayerchipinductorsbecauseofitslowsinteringtemperatureandgoodsoftmagneticproperties.Inthispaper,usingNiO,CuO

8、,ZnO,Fe2O3asrawmaterial,aseriesoflow-temperaturesinteredNiCuZnferriteswerepreparedandstud