忆阻电路等效建模与动力学分析

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4、献的个人和集体，均己在论文中Ｗ明确方式标明。本人已完全意识到本声明的法律结果由本人承担。（＾作者签名：基签字日期：〇皆年月日＞＾＜学位论文版权使用授权的说明本学位论文作者完全了解常州大学有关保留、使用学位论文的规定，即；研究生在校攻读学位期间论文工作的知识产权单位属常州大学。学校有权保留并向国家有关部口或机构送交论文的复印件和磁盘，允许论文被查阅和借阅。学校可公布学位论文的全部或部分内容，可采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编本学位论文。保密论文注释：本学位论文属于保密范围，在年解密后适用本授权书。非保密论文注释；本学位

5、论文不属于保密范围，适用本授权书。学位论义作者签名：闲利去签字日期年／月＾曰导师签名；片记签字日期；支〇１年月日禾｜＾EquivalentModelingandDynamicalAnalysisofMemristiveCircuitADissertationSubmittedtoChangzhouUniversityByHuFengwei(computerapplicationtechnology)DissertationSupervisor:Prof.BaoBo-ChengMay,2015中文摘要忆阻器是物理上新实现的具有记忆特性的非线性基本二端电路

6、元件。本文根据φ–q关系式的泰勒级数形式构建了荷控忆阻器等效电路分析模型，以三次非线性荷控忆阻器模型为例，对不同参数条件下的荷控忆阻器进行了伏安关系、有无源性等电路特性的理论分析。通过等效实验电路很好地验证了理论分析结果，结果表明，荷控忆阻器的伏安关系具有斜体“8”字型紧磁滞回线特性，随其参数符号的不同，荷控忆阻器呈现出无源性和有源性，导致其电路特性发生相应的变化；相比无源荷控忆阻器，有源荷控忆阻器更适用于作为二次谐波信号产生电路使用。进一步地，基于磁通和电荷物理量，重构了两个电路定律，建立了三个基本元件韦库关系，并提出了一种忆阻电路的映射等效分析方法。映射等效分析

7、法表明，可通过一个具有相同拓扑和电路参数的非线性动力学电路来等效分析和实现一个忆阻动力学电路。以忆阻混沌电路和相应的带有两个输出微分器的蔡氏混沌电路为例，进行了该方法的阐述；利用蔡氏混沌电路，开展了忆阻混沌电路的等效动力学分析和实现。结果说明，忆阻混沌电路的输出与蔡氏混沌电路相应的输出具有一致的动力学特性，所提出的方法得到了数值仿真和实验观察的验证，它有助于忆阻动力学电路的设计和分析。关键词：忆阻电路；荷控忆阻器；等效建模；映射等效分析法；动力学特性IABSTRACTMemristor,anonlinearresistorwithmemorypropertyre