忆阻器电路的混沌现象及其混沌同步

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2、謬黄.議J陆安山蠻隣鬻S補.歐蔡!鳴誦.龄;抒.纖.鈔A#鷄^一一、二。五年十月.Si^'遺t/謂--:>:....分类号MM>密级公开了UDC硕±学位论文忆阻器电路的M雜现象及其混沛同步陆安山学科专业电力系统及其自动化指导教师陆益民教授论文答辩日期2015.11.29学位授予日期2015.12.30.答辩委员会主席梁京章教授广西大学学位论文原创性和使用授权声明本人声明所呈交的论文,是本人在导师的指导下独立进行研究所取得的研究成果。除已特别加标注和致谢的地方外,论文不包

3、含任何其他个人或集体己经发表或撰写的研究成果,也不包含本人或他人为获得广西大学或其它单位的学位而使用过的材料一。与我同工作的同事对本论文的研究工作所做的贡献均已在论文中作了明确说明。本人在导师指导下所完成的学位论文及相关的职务作品,知识产权归目属广西大学。本人授权广西大学拥有学位论文的部分使用权,P:学校有权保存并向国家有关部口或机构送交学位论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借阅,可W将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索和传播,可采用影印、缩印或其它复制手段保存、汇编学位论文。本学位论文属于:□保密,

4、在年解密后适用授权。材不保密。""(请在[^^上相应方框内打V)"?、论文作者签名八i、"外:科身曰期:指导教师签名:日期:.^,rY作者联系电话:电子邮箱;忆阻器电路的混巧现象及其混讳同步摘要记忆电阻器是具有记忆功能的非线巧无源二端日器件,是继电阻、电容和电感的第四种基本电路元器件。本文研究忆阻器电路的混巧现象及其海巧同步。用忆阻器替换蔡氏对偶混浊电路的非线性元件一,构造出个基于忆阻器的蔡氏对偶振荡电路、数值模拟分析的方法,证明了该,通过理论分析电路有丰富的混浊动力学行为;忆阻器参数取不同的

5、初值,可[^实现相轨迹从周期、混巧、收缩到定点的转换。广义记忆元件具有更广泛性,其包含化阻器、忆容器和忆感器。本文提出一种广义记忆元件模型,并用数值仿真、电路设计实现的方法,实证了该模型的记忆元件特性一个仅包含一;用该广义记忆元件设计出个非线性项的广义记化元件混浊电路。从理论分析、数值仿真及电路设计H个方面。,证明了该电路的混淹存在性、存在复杂非线性动力学行为用单向親合和投影同步法,实现所提出的广义记忆元件混巧电路同步控制,数值仿真结果表明在较短时间内实现同步化目标。设计了单向稱合一致同步的实现电路,电路运行结果和数值分

6、析仿真结果。最后将混浊同步技术应用于保密通信中,设计出基于该广义记忆元件混純电路同步技术的保密通信实现方案,数值仿真结果表明方案可行。关键词:忆阻器电路广义记亿元件混巧同步技IMEMRISTORCIRCUITCHAOTICPHENOMENAANDrrsSYNCHRONIZATIONABSTRACTass-Memristorisanonlinearivetwoortdevicewi化memormction化eppyfi,fourthbasiccircuitcomonentfollowin

7、resistancecaacitanceandinductance.pg,pInthisaerwestudiedthememristorcircuitChaotichenomenaandifspp,psynchronization.W’’ereplaced化eChuasdualcircuitwiththememristortomakeaChuasdualoscillationcircuitbasedon化ememristor.Andweroved化atthiscir

8、cuithasprichchaoticdynamics

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