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时间:2019-03-14
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2、謬黄.議J陆安山蠻隣鬻S補.歐蔡!鳴誦.龄;抒.纖.鈔A#鷄^一一、二。五年十月.Si^'遺t/謂--:>:....分类号MM>密级公开了UDC硕±学位论文忆阻器电路的M雜现象及其混沛同步陆安山学科专业电力系统及其自动化指导教师陆益民教授论文答辩日期2015.11.29学位授予日期2015.12.30.答辩委员会主席梁京章教授广西大学学位论文原创性和使用授权声明本人声明所呈交的论文,是本人在导师的指导下独立进行研究所取得的研究成果。除已特别加标注和致谢的地方外,论文不包
3、含任何其他个人或集体己经发表或撰写的研究成果,也不包含本人或他人为获得广西大学或其它单位的学位而使用过的材料一。与我同工作的同事对本论文的研究工作所做的贡献均已在论文中作了明确说明。本人在导师指导下所完成的学位论文及相关的职务作品,知识产权归目属广西大学。本人授权广西大学拥有学位论文的部分使用权,P:学校有权保存并向国家有关部口或机构送交学位论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借阅,可W将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索和传播,可采用影印、缩印或其它复制手段保存、汇编学位论文。本学位论文属于:□保密,
4、在年解密后适用授权。材不保密。""(请在[^^上相应方框内打V)"?、论文作者签名八i、"外:科身曰期:指导教师签名:日期:.^,rY作者联系电话:电子邮箱;忆阻器电路的混巧现象及其混讳同步摘要记忆电阻器是具有记忆功能的非线巧无源二端日器件,是继电阻、电容和电感的第四种基本电路元器件。本文研究忆阻器电路的混巧现象及其海巧同步。用忆阻器替换蔡氏对偶混浊电路的非线性元件一,构造出个基于忆阻器的蔡氏对偶振荡电路、数值模拟分析的方法,证明了该,通过理论分析电路有丰富的混浊动力学行为;忆阻器参数取不同的
5、初值,可[^实现相轨迹从周期、混巧、收缩到定点的转换。广义记忆元件具有更广泛性,其包含化阻器、忆容器和忆感器。本文提出一种广义记忆元件模型,并用数值仿真、电路设计实现的方法,实证了该模型的记忆元件特性一个仅包含一;用该广义记忆元件设计出个非线性项的广义记化元件混浊电路。从理论分析、数值仿真及电路设计H个方面。,证明了该电路的混淹存在性、存在复杂非线性动力学行为用单向親合和投影同步法,实现所提出的广义记忆元件混巧电路同步控制,数值仿真结果表明在较短时间内实现同步化目标。设计了单向稱合一致同步的实现电路,电路运行结果和数值分
6、析仿真结果。最后将混浊同步技术应用于保密通信中,设计出基于该广义记忆元件混純电路同步技术的保密通信实现方案,数值仿真结果表明方案可行。关键词:忆阻器电路广义记亿元件混巧同步技IMEMRISTORCIRCUITCHAOTICPHENOMENAANDrrsSYNCHRONIZATIONABSTRACTass-Memristorisanonlinearivetwoortdevicewi化memormction化eppyfi,fourthbasiccircuitcomonentfollowin
7、resistancecaacitanceandinductance.pg,pInthisaerwestudiedthememristorcircuitChaotichenomenaandifspp,psynchronization.W’’ereplaced化eChuasdualcircuitwiththememristortomakeaChuasdualoscillationcircuitbasedon化ememristor.Andweroved化atthiscir
8、cuithasprichchaoticdynamics
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