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1、个人收集整理仅供参考学习本文由shevjiang贡献pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳.建议您优先选择TXT,或下载源文件到本机查看.y1404937分类号:UDC:TM61学校代号:10150学号:20052101密级:峡建交戤挚硕士学位论文CIS类薄膜光伏电池吸收层及缓冲层材料地制备与研究PreparationandresearchOHabsorptionlayerandbufferlayermaterialinCIS-Classsolarcell学生姓名:导师及职称:学科门类;专业名称:研究方向:申请学位级别:论文答辩日期:
2、学位授予单位:刘元之薛钰芝教授工学材料学薄膜光伏材料与器件硕士2008年6月5日大连交通大学摘要摘要太阳能是“取之不尽,用之不竭"地清洁和可再生能源.铜铟硒类薄膜太阳能电池具有优异地光电转换性能而受到广泛关注.CulnSe2(简称cIs)是一种直接带隙材料,其光吸收系数高达105数量级,是目前己知光吸收性最好地半导体薄膜材料之一.CIS类薄膜太阳能电池以CIS为吸收层、以CdS为缓冲层,光电转换效率较高.太阳光地最佳吸收能隙在1.45eV,CuInSe2地带隙为1.04eV,为了提高带隙宽度,通常掺入Ga,形成CuInGaSe四元化
3、合物.鉴于In和Ga均为昂贵金属,本文通过在CIS中掺入廉价地金属m形成CuInAlSe(C认S),改变材料地禁带宽度,以提高太阳能电池地转换效率.缓冲层CdS中地Cd有毒,本文制备无毒地ZnS替代CdS做为太阳b5E2RGbCAP能电池地缓冲层材料,对环境保护有利.本文首先在玻璃衬底真空上蒸镀Cu.In和Cu-In-Al金属多层膜以及后硒化退火地方法,制得了CIS和CIAS薄膜.然后以ZnS04?7H20和CS(NH2)2为原料,以NH3?H20为络和剂,用化学水浴沉积法(CBD)制得了ZnS薄膜.进而,对制得地样品用X射91/9
4、1个人收集整理仅供参考学习线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、能谱仪(ED)()、四探针电阻测试仪、分光光度计等进行了检测,并对结果进行了分析.吸收层电性能测试结果显示,CIS薄膜地电阻率在3.68×104Q?cm与1.89p1EanqFDPwQ?cm之间.当Cu、In、Se地比例在1:1:2附近时,薄膜样品地电阻率在1.0Q?cm数量级,CIAS薄膜地电阻率较CIS薄膜地低,最高为0.66×10dQ?锄.SEM观察发现CIS薄膜样品地形貌随各元素比例不同而有差异.在化学计量比附近,富Cu地样品晶粒较大.XRD物相分析显示,在化
5、学计量比附近能够获得单一物相地CIS多晶薄膜,砧替代部分Ill后,CIAS保持了黄铜矿型结构.分光光度计检测结果显示,两种薄膜样品地DXDiTa9E3d透光率在5%以下.SEM观察发现,ZnS薄膜表面形貌呈球形,颗粒细小;四探针电阻测试显示ZnS薄膜地电阻率大于1.OkQ?cm,这样地电阻率满足制作太阳能电池地要求.XRD物相分析显示,ZnS薄膜呈非晶或微晶状态.分光光度计检测说明ZnS薄膜样品地透光率在可见光波段大都在80%以上,其性能均显示了ZnS薄膜适于做太阳能电池缓冲层材料.关键词:CIS,CIAS,太阳能电池,硒化RTCr
6、pUDGiT大连交通大学工学硕士学位论文AbstractEnergycrisisandenvironmentalpollutionhaveworldeconomydevelopment,thesolareneryalwaysavailablefor、析tllinto5PCzVD7HxAcanbecomtheprincipalmattertothemodembeseen勰inexhaustibleinsupplyanduse,compared晰tllfossilfuel,solareneryhaSthespecialadvantage
7、scleanandrenewable.ThesolarcellhaSbecomethefocousforitsabilitytoconvertlightjLBHrnAILgaelectrocity.CuInSez(CIS)iskindofdirectbandgapsemiconductormaterial,itsabsorptioncoefficientreached10’,isthehighistinsemiconductormaterials,anditsmakeCISthinfilmsolarcellthefocusphoto
8、electricconversion91/91个人收集整理仅供参考学习efficiencyishi曲too,whichinpotovoltaicfields.CISpolycrystallinethinfilms,ie.selenyl
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