基于高分子与穿膜肽修饰的纳米材料的制备及对黑色素瘤细胞诱导凋亡研究

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1、東兩扛參硕壬学位论文基于高分子与穿膜狀修饰的纳米材料的制备及对黑色轰瘤细胞诱导调ｔ研究专业名祿：生物医学工捏研究生姓名：李艳导师姓名：何农巧９３７计划蝴目２０ＵＣＢ７４４５０２０１０ＣＢ９３３９０３）和国家自然科学基金项罔（６１２７１０５６，本论文获閒家（Ｕ６１４７１１６８３。０１００３２１２０５０１３）资助。，，ＳＹＮＴＨＥＳＩＳＯＦＮＯＶＥＬＧＥＮＥＶＥＣＴＯＲＳＢ乂ＳＥＤＯＮＰＯＬＹＭＥＲＳＣ民ＯＳＳＬＩＮＫＥＤＷＩＴＨＣＥＬＬＰＥＮＥ

2、ＴＲＡＴＩＮＧＰＥＰＴＴＩＤＥＡＮＤＰＲＥＬＩＭＩＮＡＲＹＳＴＵＤＹＯＦＭＥＬＡＮＯＭＡＣＥＬＬＡＰＯＰＴＯＳ别ＡＤｉｓｓｅｒｔａｔｉｏｎ（Ｔｈｅｓｉｓ）Ｓｕｂｍｉｔｅｄ化ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙＦｏｒｔｈｅＡｃａｄｅｍｉｃＤｅｇｒｅｅｏｆＭａｓｔｅｒｏｆＥｎｉｎｅｅｒｉｎｇｇＢＹＬＩＦｕＳｕｐｅｒｖｉｓｅｄｂｙＰｆ－ｒｏ．ＨＥＮｏｎｇｙｕｅＳｃｈｏｏｌｏｆＢｉｏｌｏｇｉｃａｌＳｃｉｅｎｃｅａｎｄ

3、ＭｅｄｉｃａｌＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙＡｐｒｉｌ２０１５东南大学学位论文独初性声明本人声明所呈交的巧位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知．，除了文中特别加Ｗ标注和致谢的地方外论文中不包含其他人己经发表或撰写过的研究成果，一也不包含为获得东南大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我同工作的同志对本研究所做的任何贡献均己在论文中作了明确的说明并表示了谢意。’＂々－－日期Ｉ２：４託：之４研究生

4、签名Ｓ＾＇东南大学学位论文使用巧权声明东南大単、中罔科学技术倍息研究所、罔家图书馆有权保留本人巧送交学位论文的复印件和电子文档ｉ、。，可ｔ■采用影印缩印或巧他复制手段保存论文本人电子文档的内容和纸质论文的内容相一致。除在保密朋内的保栽论文外，允许论文被查阅和借阅，可Ｗ公布（包括Ｗ电子信息形式刊登）论文的全部内容或中．英文摘要等部分内容。论文的公布（包巧Ｗ电子信息形式刊登）授权东南大学研究生院办巧。研究生签名：城导师签名：巧要摘要恶性黑色素瘤作为一一一种最常见的皮肤

5、癌症之，直是人类不断试图攻克的疑难。现今。，对黒色素瘤的治巧仅限于传统的治疗手段，包括免疫治疗，化学治疗，手术等一。研究者正在寻找种更有效和更低毒副作用的治疗手段，Ｗ待取代传统的手段目前，科学家开始使用基因治疗这种新型的治疗方式－用于很多疾病的治疗，尤其是非病毒载体介导的基因治疗技术正在被深入研究。本论文的出发点即为制备出具有良好生物相容性和高转染效率的非病毒类纳米载体，并将其应用于黑色素癌的调亡基因转染和诱导调亡的研究。主要内容如下：Ｗ具有良好生物相容性的聚乙痛亚胺（ｐｏｌｙｅｔ

6、ｈｙｌｅｎｅｉｍｉｎｅ，ＰＥＩ）和壳聚糖（ｃｈｉｔｏｓａｎ，ＣＳ）为基础，分别评价了聚乙蹄亚胺与壳聚糖／Ｈ聚稱酸轴（ｓｏｄｉｕｍｔｒｉｐｏｌｙｐｈｏｓｐｈａｔｅ，ＴＰＰ）两种纳米载体的细胞转染效率和生物相容性等指标，发现两者作为Ａ３Ｗ细胞（人类恶－性黒色素瘤细胞）的转染载体均不太理想，ａｎｓａｃｔｉｖａｔｉｎ。最终借助细胞穿膜肤（ｔｒｇｒａｎｓｃｒｏｎａａｃｖａｏｒＴＡＴ），我们制备出了具有较高转染ｔｉｐｔｉｌｔｉｔ，效率和低细胞毒性的非病毒类ＰＥ１－ＳＭＣＣ－ＴＡＴｏ－－－－

7、ｌｅｔｈｌｅｎｅｉｍｉｎｅｓ山ｆｏｓｕｃｃｉｎｉｍｉｄｌ４Ｎ纳米复合物载体（ｐｙｙｙ（ｈ－－－ｍａｌｅｉｍｉｄｏｍｅｔｌｃｃｌｏｈｅｘａｎｅ１ｃａｒｂｏｘｌａｔｅＴＡＴＰＳＴ）Ｐ５３ｙ），同时调亡调节因子ｙｙ，结合正向基因（５３ｒｅｕｌａｔｅｄｍｏｄｕｌａｔｏｒｏｆａｏｐｔｏｓｉｓＰＵＭＡ），评价ＰＳＴ转染ｐ叩ｇｐ，了新型纳米载体调亡基因并诱导黑色素瘤细胞进入调亡程序的效果，初步评价了这种治巧黑色素瘤方法的一可行性，也从定程度上为基于高分子的非病毒纳米载体用于基因治疗黑色素瘤

8、的后续研究奠定了基础。生物相容性分析结果显示，ＰＥＩ瓜ＮＡ复合物的细胞毒性强于ＰＳＴ／ＤＮＡ复合物给细－胞带来的毒性。而ＣＳ／ＴＰＰＤＮＡ复合物的生物相容性最好。粒Ｎ／Ｐ度分析结果显示，在－比从４到５０的范围内ＰＥＩ／ＤＮＡ１７０ｎｍ左右。ＣＳ／ＴＰＰＤＮＡ，复合物的粒径尺寸均稳定在纳米载体系统则具有较大的粒径。在不同体积比条件下，其粒径均在３５０ｎｍ左右。这一。在Ｎ／Ｐ达