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1、万方数据第35卷第1期2005年2月微电子学刎c,.oPZ∞t,D席fcsV01.35,№1Feb.2005文章编号:1004—3365(2005)01一0059一04一种基于多输入单电子晶体管的比较器电路刘河潮,蔡理,王森(空军工程大学工程学院,陕西西安710038)摘要:基于多输入单电子晶体管(SET)的■y特性和CMOS数字电路的设计思想,提出了一种由18个互补型SET和1个双栅极SET构成的1位比较器电路结构。该比较器优点为:利用一个双栅极SET的固有特性,使异或逻辑块得到了简化,减少了晶体管的
2、数目;电压兼容性好,输入和输出高低电平都接近o.02V和OV;静态总功耗低(6.42pW)。仿真结果验证了电路的正确性。关键词:单电子晶体管;双栅极SET;比较器;SPICE;宏模型中图分类号:TN79+1;TN32文献标识码:AComparatorBasedonMultigateSingle—ElectronTransistOrLIUHe—chao,CAILi,WANGSen(7'^#Eng跏卯rf九gh盯如“地,A—FDrceE九gi小}盯ingUn而e"妇,Xi’口n,S^口4nzi710038·
3、P.R.C^i行口)Abstract:Basedonthe,一ycharacteristicsofmultigatesingle—electrontransistor(SET)andtheconceptofCMoSdigitalintegratedcircuitdesign,acomparatorconsistingof18complementarySET’sand1double—gatesin-gle~electrontransistorisproposed.Inthecomparator,theXO
4、Rlogicblockissimplifiedandthenumberoftransis—torsisreducedduetotheexcenentcharacteristicsofthesingle—electrontransistor,aImexcellentvoltagecompati—bdityisachievedwithbothinput/outputhigh—andlow—voltageapproximating0.02VaI试OV.Thetotalstaticpowerofthecircu
5、itisdownto6.42pW.TheaccuracyofthedeviceisvalidatedbySPICEmacro—modelofSET.KeywOrds:Single—electrontransistor(SET);DoublegateSET;Comparator;SPICE;Macro—modelEEACC:1265B1引言现代社会信息技术的发展越来越快,大规模集成电路的集成度是信息技术革命的重要标志。一些专家预测,cMOs技术将在2010年左右达到其技术极限,因此必须另辟蹊径。而单电子晶
6、体管(Sin91e—ElectronTransistor,SET)工作时仅需一个或几个电子,它具有较小的体积、较低的功耗和较高的开关速度性能,其高度集成化远远超过目前大规模集成化的极限,是将来最具竞争力的电子元件,被认为是下一代超大规模集成电路的理想器件[1吨]。更重要的是,SET具有CMOS所不具备的特性:SET可以具有多栅极,而CMOS没有;SET的另一个显著特性是,电导相对于栅极电压具有库仑振荡特性。利用这些特性,可以构造出一类新的功能器件,如多栅型SET[3]。但它又有与传统晶体管类似的工作原理
7、,单电子晶体管的电流也是通过栅的偏压来控制的。通过调节栅的偏压,可控制电子一个个地通过通道中的量子点(岛)。单电子进出量子点(岛),使量子点(岛)的静电势和能量状态发生很大的变化,它就可以作为传递数值信息的载体,制备成单电子存储器和单电子逻辑电路,等等。因此,单电子晶体管在微电子领域具有潜在的应用价值。比较器在现代电子电路中有着广泛的应用,特别是在计算机和数字系统中,经常要比较两个数的大小,以进行选择决策。本文基于CMOS数字电路的设计思想【4],提出了一个基于单电子晶体管的1位比较器的结构。与基于传统
8、晶体管的比较器相比,它具有晶体管数目少、收稿日期:2004一02—23;定稿日期:2004一05—12基金项目:陕西省自然科学基金项目(2002F34);空军工程大学学术基金项目(2002x12)万方数据60刘河潮等:一种基于多输入单电子晶体管的比较器电路电压低、功耗低、电压兼容性好等优点。文中首先研究了SET的特性,进而讨论了SET的一个重要特性——多输入,利用SET的传输管特性构成的“异或”功能;然后提出了一种1位比较器电路结构;最后,
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