氧化钨基半导体材料的制备及性能研究

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1、独创性声明本人声明所呈交的论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得宁夏大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均己在论文中作了明确的说明并表示了谢意。研究生签名：互为掏时间：弘M年f月易日关于论文使用授权的说明本人完全了解宁夏大学有关保留、使用学位论文的规定，即：学校有权保留送交论文的复印件和磁盘，允许论文被查阅和借阅，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。同意宁夏大学可以用不同方式在不同媒体上发表

2、、传播学位论文的全部或部分内容。(保密的学位论文在解密后应遵守此协议)研究生签名：至由捣时间：刀伴年J月彦日导师签名：嘻翻时间：洌蛑朋摘要常规材料纳米化被认为是一种能够有效增强材料功能的一种方法和手段，不同结构和形貌的半导体材料常能表现出许多独特而新颖的物理和化学特性。氧化钨作为n型半导体因其独特的物理和化学性能，已被广泛应用到了气敏传感、电容、光学材料、光催化和光电转换等领域。本文针对国内外对氧化钨纳米材料的研究进展，从材料的组成和结构入手，通过溶剂热法制各了不同组成、结构和形貌特征的氧化钨基纳米半导体材料，并对它们的吸附性能以及光降解罗丹明B性能进行了研究，主要研究内容如下：

3、以乙醇，乙二醇以及微量的水为溶剂，六氯化钨为钨源，通过改变反应时间、温度以及水量制备出不同形貌和结构的氧化钨半导体材料。通过XRD和SEM等对所制得的纳米氧化钨的组成、结构、形貌以及粒径大小进行表征。在此基础上，对不同条件下得到的氧化钨进行氧化处理，通过改变氧化时间等因素对样品的组成和形貌进行调控，通过XRD和SEM等测试手段对处理后的氧化钨进行表征，对氧化后的样品进行吸附性能和光催化性能进行研究，并考察了氧化时间对光催化效果的影响。通过研究得到以下结论：溶剂热条件下得到的样品具有较高的吸附性能，纳米片结构的样品由于其比表面积比较大，所以吸附效果较好。样品经过氧化处理可以得到纳米

4、异相结构。具有纳米异质结构的氧化钨的催化效果最好，但随着氧化时间的延长，纳米异质结构发生改变，样品的催化效果随之降低，由此我们可通过调控氧化钨的氧化时间来有效控制氧化钨基半导体材料的化学组成和异质结构。关键词溶剂熟，纳米氧化钨，纳米结构，光催化性能AbstractThenano-modificationofordinarymaterialsisaveryeffectivemethodinendowingmaterialwithnewfunction．Manysemiconductormaterialsownmanynovelphysicalandchemicalpropertie

5、sowingtotheiruniquemorphologyandcomposition．Tungstenoxideis锄n-typesemiconductor,andithasmanynotablecharacteristicsinphysicalandchemicalproperties．Sincethe1970S，Debfoundthatnanometertungstenoxidehasphotocatalyticperformances，alargenumberofstudieshadbeencarriedoutonthesynthesis，photocatalyticpr

6、operties，capacitiveperformance，photosensitiveandgas-sensingpropertiesaboutthenanometertungstenoxide．Inthisdissertation，aseriesofhigh—qualitythetungstenoxide-bsedsemiconductingnanomaterialsweresynthesizedinaternaryethanol-ethylenegolycoi··watersolventsystemusingasolvothermalroutebyasolvotherma

7、isyntheticmethod．Inadditional，theabsorptionpropertiesofthesamplesⅥreretestedaspotentialabsorbents．ThephotocatalyticperformanceofthesampleWaSinvestigatedbythedecompositionofRhodamineB(Rm3)undervisiblelightirradiation．Thedetailsaresummarizedasf