mfeolt3gt基半导体材料制备及气敏性能研究

mfeolt3gt基半导体材料制备及气敏性能研究

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时间:2019-02-14

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1、中文摘要随着社会生产力的发展及广大人们生活水平的提高,气敏传感器得到了越来越广泛的应用,半导体电阻式气敏传感器是目前应用最广泛的传感器之一,成为研究的热点。本研究分别采用无机盐溶胶一凝胶法制备了MFe03(M=Sm、La)薄膜,采用传统工艺制备旁热式烧结型元件。对制备过程和丙酮气敏性能进行了讨论,揭示了组成.工艺.结构.丙酮气敏性能的内在联系,并对两类结构的气敏性能做了比较。以Sm(N03)3·6H20(La(N03)3·6H20)、Fe烈03)3.9H20等无机盐为原料,以柠檬酸为络合剂,配制成浓度为0.3mol/L的前驱体溶胶,在A1203基片上经过浸渍.提拉、干燥、预处理和烧结等过程制

2、备了高质量纳米晶钙钛矿相MFe03薄膜。用FT-IR吸收光谱分析了前驱体的结构,以TG.DSC分析讨论了前驱体在烧结过程中的变化,用XRD分析了品相,并用SEM表征了薄膜的表面形貌。分析了掺杂MFe03薄膜的阻温特性,呈现半导体氧化物的特征,根据曲线计算出材料的导电激活能,与理论相符合。MFe03薄膜对低浓度丙酮气体有良好的敏感性能:SmFe03薄膜在测试温度为450℃时,对30ppm丙酮气体灵敏度达到20,响应时间和恢复时间分别为15s和16s;LaFe03薄膜的丙酮灵敏度比SmFe03薄膜偏高,灵敏度达到22.5,响应时间和恢复时间分别为30s和20s。从缺陷和载流子的性质入手讨论了MF

3、e03薄膜的导电机制和气敏机理。深入研究了测试温度、气体浓度、掺杂和膜厚对材料性能的影响。针对烧结型传感器,系统研究了工作电压、玻璃料添加剂,贵金属Pt以及掺杂对元件电阻和气敏性能的影响,获得了气敏元件最佳性能条件为:测试电压为4.5V,掺入lm01%Pt的SmFe03元件对10ppm丙酮气体灵敏度达到3.2。比较MFe03薄膜和烧结型元件气敏性能发现,薄膜材料由于高的表面活性和比表面积,对丙酮的灵敏度更大。考察了两类材料的选择性、稳定性,并对MFe03材料的气敏机理进行了探讨。指出未来气敏器件的发展方向为薄膜型元件。材料方面选择在低温下具有变化范围小的低电阻的材料,通过微量掺杂等手段提高气

4、敏元件的选择性。关键词:SmFe03;LaFe03;薄膜;烧结型;气敏传感器ABSTRACTWiththeimprovementofsocialproductivityandthelifelevelofmostpeople,gassensorsareusedmoreandmorewidely.Semiconductor-typedgassensorisonekindofmostwidelyusedgassensors,whichbecomesaresearchhotspotatpresent.Inthisstudy,MFe03(M=Sm,La)thinfilmswaspreparedbyin

5、organicsaltsol-gelmethod;Theindirectlyheatedandsintere.dtypeelementswerepreparedwithtraditionalprocess.Thesyntheticalprocessesandgassensitivepropertiestoacetonehavebeendiscussed.Relationofthecomposition,syntheticalprocess,structureandsensitivepropertytoacetonegasofLaFe03thinfilmswasinvestigatedinth

6、ispaper.Thegassensingpropertiesofthesetwokindsofstructureswerecompared.Withcitricacidusedascomplexagent,theprecursorsolutionwaspreparedbydissolvingSm(N03)3·6H20(La(N03)3·6H20),Fe(N03)3·9H20andotherinorganicsaltsintowater,ofwhichtheconcentrationwas0.3mol/L.MFe03thinfilmswithperovskitestructurenano—c

7、rystallinegrains、verefabricatedafterthedip—coating.drying,pre·heatingandsintering.FT-IR,TG-DSC,XRDandSEMwereusedtoanalyzetheprecursorandthethinfilms.ResistanceVS.temperaturepropertiesofMFe03thinfilmswereana

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