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《128×128像元mos电阻阵非均匀性校正算法研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、第32卷第2期红外技术、b1.32No.22010年2月InfraredTechnologyFleb.2010128~128像元MOS电阻阵非均匀性校正算法研究陈韧,王建华,孙嗣良,闫杰(1.西北工业大学航天学院飞行控制与仿真技术研究所,陕西西安710072;2.空军工程大学理学院,陕西西安710038)摘要:MOS电阻阵非均匀性校正一直是基于MOS电阻阵的场景产生器研究和发展的关键问题和前沿技术在对128×128像元MOS电阻阵实验的基础上,分析了其非线性和非均匀性产生的原因,并提出了非均匀性校正算法。首先在MOS电阻阵中覆盖矩阵栅格,建立线性修正表格,然后通过采集校正后数据建立补
2、偿表格,迭代这个修正过程完成校正补偿工作。实验结果表明非均匀性校正算法可行,校正后的红外图像均匀性有较大提高,较好地满足了红外成像制导仿真需求。关键词:MOS电阻阵;非均匀性校正;场景产生器;红外成像仿真中图分类号:V448.25文献标识码:A文章编号:1001.8891(2010)02.0068—05ResearchonNonuniformityCorrectionAlgorithmfor128~128MOSResistorArrayCHENRen,WANGJian—hua2,SUNSi—liang,YANJie(1.CollegeofAstronautics,Northweste
3、rnPolytechnicalUniversity,Xi’an710072,China;2.ScienceCollegeofAirForceEngineeringUniversity,Xi’an710038.China)Abstract:NonuniformitycorrectiontechniqueforMOSresistorarray1Salwaysthekeyproblemandadvancedtechnologyintheresearchanddevelopmentofinfraredscenegenerator.Afteralotoftestson128×128MOSres
4、istorarray,thecauseofthenonlinearityandnonuniformityisdeeplyanNyzed,andanovelnonuniformitycorrectionalgorithmforMOSresistorarrayispresented:firstlytheentireprojectionarrayiscoveredwithsparsegrid,alinearlook—uptableisestablished,andthenacompensatingtableiscreatedbycollectingthedataaftercorrected
5、.Theentireprocedureisiteratedandprovedbytheexperiment.Theresultshowsthattheuniformityofinfraredimagehasaremarkableimprovementafternonuniformitycorrectionwhichpreferablysatisfiestherequirementoftheinfraredimagingsimulation.Keywords:MOSresistorarray;nonuniformitycorrection;sceneprojector;infrared
6、imagingsimulation阻阵的非均匀性校正(Nonuniformitycorection,引言NUC)问题研究较少,而且已经成为困扰MOS电阻随着美国三大国防仿真实验中心(美国导弹指挥阵使用的瓶颈和技术难题,在基于64×64像元和128仿真中心、Eglin空军基地测试研究中心、海军空军×128像元MOS电阻阵红外场景产生系统中并未得中心仿真实验室)对基于MOS电阻阵列的红外目标到很好的解决。仿真系统的大量成功使用,国内对MOS电阻的研究非均匀性校正是MOS电阻阵型红外场景产生器也加快了脚步,近年来取得了显著成果。在我国“九发展的关键问题和前沿技术,是制约电阻阵技术发五”、“
7、十五”和“十一五”期间,64×64像元、128展、提高成像逼真度、保证半实物仿真实时性的技术×128像元的MOS电阻阵芯片已经完成研发并投入瓶颈l2,3】。本文在对128×128像元MOS电阻阵进行使用,256×256像元的MOS电阻阵芯片也已到研制测试的基础上,针对仿真实验需求和器件自身的非均的最后阶段,有望在2010年初投入使用⋯。国内针对匀性缺点,深入分析和总结了MOS电阻阵非线性和MOS电阻阵器件芯片的研究发展较快,但是对于电非均匀性产生的原因,提
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