2015考研天津大学813半导体物理或电介质物理考研大纲考研真题解析参考书

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2、程由两部分组成,请考生根据自己的具体情况任选一部分进行答题。第一部分:半导体物理考试大纲(参加半导体物理考试的考生参考):一、考试的总体要求本课程为本专业主干专业基础课,要求考生掌握半导体物理的基本概念、p-n结、MOS结构、异质结、各种半导体效应(光、磁、热、压阻等)基本原理和应用。二、考试的内容及比例(一)考试内容要点:第一部分:(70%)11/11【育明教育】中国考研考博专业课辅导第一品牌官方网站:http://www.yumingedu.com开设课程:【网络函授班】【精品小班】【高端一对一】【状元集训营】【定向保录】1、半导体能带结构、半导体有

3、效质量、空穴、杂质能级;2、热平衡状态下半导体载流子的统计分布,本征半导体和杂质半导体的载流子浓度,简并半导体和重掺杂效应;3、半导体的导电性:载流子的漂移运动、迁移率、散射、强电场效应、热载流子的概念,半导体电阻率与温度、杂质浓度的关系,体内负微分电导;4、非平衡载流子:非平衡载流子的产生、复合、寿命、扩散长度、准费米能级,爱因斯坦关系,一维稳定扩散,光激发载流子衰减;5、p-n结、MOS结构:平衡与非平衡p-n结特点及其能带图,pn结理想和非理想I-V特性,p-n结电容概念与击穿机制,p-n结隧道效应、肖特基势垒二极管;6、MOS结构表面电场效应,理

4、想与实际MOS结构C-V特性,MOS系统的性质(固定电荷、可动离子、界面态对C-V特性的影响),表面电场对p-n结特性的影响;第二部分:(30%)7、半导体异质结:异质结概念及理想突变反型异质结能带图,异质p-n结注入特性(高注入比与超注入概念),半导体应变异质结概念;8、半导体光学性质:半导体光吸收,半导体光电探测器,半导体太阳电池,半导体发光概念与应用,半导体激光与应用;9、半导体霍尔效应、半导体压阻效应、半导体热电效应及其应用,非晶态半导体概念。(二)比例:考试内容前6个问题占70%,后3个问题占30%,计算与推导题基本覆盖在2至6个问题中。三、试

5、卷题型及比例1、概念与问答题:40%;2、论述题:30%;3、计算与推导题:20%;4、实验与综合题:10%。四、考试形式及时间考试形式均为笔试。考试时间为3小时(满分150)。五、参考书目半导体物理学,(第七版),刘恩科、朱秉升、罗晋生编著,电子工业出版社。第二部分:电介质物理大纲(参加电介质物理考试的考生参考):一、考试的总体要求本课程要求考生重点掌握电介质物理的基本原理与概念,并能运用这些基本概念分析和解释有关的实际问题。22/11【育明教育】中国考研考博专业课辅导第一品牌官方网站:http://www.yumingedu.com开设课程:【网络函

6、授班】【精品小班】【高端一对一】【状元集训营】【定向保录】二、考试的内容及比例考试具体范围如下:1、恒定电场中电介质的极化(1)介电常数和介质极化;(2)有效电场;(3)克-莫方程及其应用;(4)极性液体介质的有效电场;(5)电子位移极化、离子位移极化、转向极化、热离子极化、空间电荷极化。2、恒定电场中电介质的电导(1)气体介质的电导;(2)液体介质的电导;(3)固体介质的电导-固体介质的离子电导;(4)固体介质的表面电导;(5)直流电场下介质的绝缘电阻与能量损耗。3、交变电场中电介质的损耗(1)复介电常数和复折射率;(2)介质损耗;(3)弛豫现象;(4

7、)德拜方程;(5)柯尔-柯尔圆弧律;(6)介质损耗与温度的关系;(7)计及漏电导时的介质损耗;(8)有损耗电介质的等效电路。三、试卷类型及比例1、名词辨析题:20%2、填空题:20%3、简答题:40%4、综合题:20%四、考试形式及时间考试形式均为笔试。考试时间为3小时(满分150分)。五、参考书目1、《电介质物理导论》,李翰如,成都科技大学出版社;2、《电介质物理基础》,孙目珍,华南理工大学出版社;3、《电介质物理》,张良莹、姚熹,西安交通大学出版社。33/11【育明教育】中国考研考博专业课辅导第一品牌官方网站:http://www.yumingedu

8、.com开设课程:【网络函授班】【精品小班】【高端一对一】【状元集训营】【定向保

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