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《我国相变存储器的研究现状与发展前景》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、专家论坛ExpertForum我国相变存储器的研究现状与发展前景刘波,宋志棠,封松林(中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室,上海200050)摘要:介绍了我国相变存储器的研究现状及面临的关键问题。提出了我国相变存储器的发展思路和目标:加强新型材料和器件结构等方面的基础研究,形成创新性的成果,同时加强专利战略布局;加强与国内半导体公司的合作,共同推进相变存储器的产业化进程;探索相变存储器的新应用领域,寻求在通信、金融、交通、医疗、身份证等领域的应用。关键词:相变存储器;研究现状;发展前景中图分类号:TP601;T
2、P334.5文献标识码:A文章编号:1671-4776(2007)02-0055-07CurrentSituationandDevelopingTrendonPhase-ChangeMemoryinChinaLIUBo,SONGZhi-tang,FENGSong-lin(LaboratoryofNanotechnology,ShanghaiInstituteofMicrosystemandInformationTechnology,ChineseAcademyofSciences,Shanghai200050,China)A
3、bstract:Thecurrentsituationofphase-changememoryanditskeyissueswerereviewed.Thedevel-opingstrategyanddestinationforChinesephase-changememorywasproposed:strengtheningthefoun-dationresearchonnewmaterialsanddevicestructure,creatingmorefruitsandpatents;enhancingthecoope
4、rationwiththesemiconductorunitsinChina;co-boostingtheindustralprogressofphase-changememory;exploringnewapplicationfields,suchascommunications,finance,traffic,medicaltreatment,andidentificationcard,maybecomethemajorresearchobjectsforphase-changememoryapplicationinCh
5、ina.Keywords:phase-changememory(PCM);currentsituation;developingtrend新兴半导体存储技术,说它具有较长历史是因为该1引言[3]技术至今已经被研究了近40年,但由于加工技相变存储器(PCM)一般指硫系化合物随机存术限制和只有存储单元的尺寸达到nm尺度才能充储器(chalcogenide-randomaccessmemory,C-分体现出其优越性这两个因素的制约,在1970～RAM),又被称作奥弗辛斯基电效应统一存储器1999年近30年的时间内,C-RAM进展缓
6、慢。直(ovonicsunifiedmemory,OUM),是基于Ovshin-至1999年,随着半导体工业界的制备技术和工艺sky在20世纪60年代末提出的奥弗辛斯基电子效达到深亚微米甚至是nm尺度,器件中相变材料的[1-2]应的存储器。C-RAM是一种具有较长历史的尺寸可以缩小到nm量级,材料发生相变所需的电收稿日期:2006-11-08基金项目:国家重点基础研究发展计划(2006CB302700);国家863计划(2006AA03Z360);中国科学院(Y2005027);上海市科委资助项目(05JC14076,055
7、2nm043,AM0517,06QA14060,06XD14025,0652nm003,06DZ22017)MicronanoelectronicTechnology/February200755微纳电子技术2007年第2期专家论坛ExpertForum[5]压和功耗大大降低,可与现有的CMOS相匹配,合金材料种类非常多,而GeSbTe系合金则是大并且与现有主流半导体存储技术相比,C-RAM的家公认、研究最多、最为成熟的相变材料,其中尤优势愈加明显,特别是2001年之后,英特尔、三以Ge2Sb2Te5为主。中国科学院上海微系
8、统与信息星、意法半导体、飞利浦、国际商业机器公司、日技术研究所纳米技术研究室的C-RAM研究小组通立、东芝、瑞萨、惠普、松下、英飞凌等大公司对过优化工艺,制备出了质量优良、能够满足C-该技术非常重视,纷纷投入大量的人力、物力和财RAM需要的Ge2Sb2Te5相变薄膜,采用电感耦合等力开展C
