相变存储器材料研究综述

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1、相变存储器材料研究1相变存储器介绍相变存储器（PCM）是一种非易失存储设备，它利用材料的可逆转的相变来存储信息。相变存储器有高读写速度、寿命长，存储稳定,、工艺简单，潜力大，所以相变存储器被认为最有可能取代当今主流存储器而成为未来存储器的主流产品。2相变存储器原理及设备相变存储器利用电能（热量）使相变材料在晶态（低阻）与非晶态（高阻）之间相互转换，实现信息的读取、写入和擦除，工作原理是将数据的写入和读取分为3个过程一分别是“设置（Set）”、“重置（Reset）”和“读取（Read）”。“Set”过程就是施加一个宽而低的脉冲电流于相变材料上，使其温度升高到晶化温度Tx以上、熔点温度Tm以下，相

2、变材料形核并结晶，此时相变材料的电阻较低，代表数据“1”o“Reset”过程就是施加一个窄而强的脉冲电流于相变材料上，使其温度升高到熔点温度Tm以上，随后经过一个快速冷却的淬火过程（降温速率〉109K/s），相变材料从晶态转变成为非晶态，此吋相变材料的电阻很高，代表数据“0”。“Read”过程则是在器件2端施加低电压，如果存储的数据是“0”，那么器件的电阻较高，因而产生的电流较小，所以系统检测到较小的电流回馈时就判断是数据“0”；如果存储的数据是“1”，那么器件的电阻较低，因而产生的电流较大，所以系统检测到较大的电流回馈时就判断是数据“1”o图1是相变存储器的工作原理。图1相变存储器的工作原理

3、3GST材料相变机理作为相变存储器的存储介质，相变材料性能的优劣直接关系到器件性能。相变存储器中最为核心的是以硫系化合物为基础的相变材料。其中Ge2Sb2Te5(GST)相变材料是到目前为止使用和研究最广泛的相变材料，并已经实现了产品应用。虽然工业界已经将GST作为相变存储器的存储介质实现了产品和应用，但是对于GST为何在纳秒甚至皮秒量级的时间内实现非晶态和晶态的可逆相变仍然未有统一的结论。主要原因是非晶态GST中原子排列是无序的，传统晶体学的理论和结构研究方法已不适用，因而对GST的非晶态很难获得一个清晰的认识，更不能得到可逆相变过程中微观结构的变化。为了揭示GST等相变材料的相变机理，近年

4、来世界各地的科学家结合先进的高分辨电子显微分析表征手段和理论模拟计算进行了大量深入的研究，提出了一系列相变机理及理论模型，其中箸名的理论有Ge原子伞状跳跃理论、多元环理论、共振键理论等。(1)Gc原子伞状跳跃理论。原子伞状跳跃理论是Kolobov等人通过对GST材料的扩展X射线吸收精细结构谱的实验结果进行分析总结出来的，是相对较早的一种针对GST材料快速和变机理的解释。。通过对EXAFS实验结果的研究，发现在GST晶体结构中，Ge原子处于以Te原子构成的八面体的中心位置，其与Te原子相连接的6个键分为3个强键和3个弱键，在非晶化过程中，弱键更容易被打断，同时在强键的拉动作用下，Gc原子进入以T

5、c原子构成的四面体屮心位置。Ge原子伞状跳跃理论认为GST材料的无序化过程不需要经历熔化-淬火过程，只是通过Ge原子在八面体结构和四面体结构间的来回跳跃，就可以实现,非晶化和晶化的可逆相变过程，原子伞状跳跃理论较好地解释了GST材料的快速相变和低功耗特性。(2)共振键理论。Lencer等人、Anbarasu等人和Shportko等人为了解释相变材料在相变前后的巨大差异，提出了一种共振键理论。他们通过测量非相变材料AglnTe2和相变材料GelSb2Te4的红外反射谱，发现非相变材料AglnTe2在结品前后的红外反射谱儿乎相同，而晶态GelSb2Te4的红外反射谱在反射强度、极值以及极值间隔等都

6、比非晶态的小。在测量介电常数后发现相变材料结晶后光学介电常数降低了50%-70%,表明相变材料在结晶前后原子极化形式发生了很大变化。这种差异是由于非晶态和晶态相变材料屮原子的不同成键形式导致的，非晶态屮各原子以共价键的形式结合，电子局域化程度高，结合力强；品态中各原子以共振键的形式结合,单一、半满的p轨道电子同时在左右两侧形成两个不饱和共振键。正是由于相变材料在非晶态和晶态时成键形式的不同，使相变材料在相变前后的介电常数变化很大，从而导致其在相变前后性能发生巨大变化。(3)多元环理论。原子伞状跳跃理论是基于X射线精细结构谱的实验结果得到的,从微观上阐明GST材料在相变过程中不发生大规模的原子迁

7、移，只发生部分原子的局部移动。2006年,Kohara等人结合逆蒙特卡洛分析和高能同步辐射X射线衍射实验结果在更大尺度上提出了多元环理论。非晶态GST材料中存在许多偶元环，在结晶过程中，通过原子的小范围调整,含较多原子的偶元环(8元环、10元环)通过原子成键变成4兀环和6兀环，形成晶态GST。但是对于GcTc材料，由于Go—Go同质键的存在，其非晶态中除了偶元环外述有很多奇元环。GeTe品态主要由