会议程序081122

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1、第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议日程安排主办单位：中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会承办单位：中山大学光电材料与技术国家重点实验室广州市科学技术协会协办单位：广州市南山自然科学学术交流基金会2008年11月广州会场平面示意图会场平面示意图二楼二楼三楼2会议日程11月30日12月1日12月2日12月3日地点帝苑厅凯旋厅凯旋８厅凯旋７厅凯旋６厅凯旋厅凯旋８厅凯旋７厅凯旋６厅时间酒店大堂（二楼）（三楼）（三楼）（三楼）（三楼）（三楼）（三楼）（三楼）（三楼）GaN-ＡGaAs/InP-ＡZnO-ＡGeSiC-ＡGaN-ＣG

2、aAs/InP-ＤZnO-DOLED上午-I大会报告材料(1)电子器件电致发光材料生长发光器件(1)材料材料表征照明及显示（I）8：00开始第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页GaN-ＢGaAs/InP-ＢZnO-ＢGeSiC-ＢGaN-ＤGaN-ＥGaN-F其他上午-II大会报告材料(2)探测器及放大器探测器及材料相关器件发光器件(2)电子器件(1)材料(3)华美达（II）第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页大酒店12：30-13:30工作午餐及午休（12:30-13:30）大会报到GaAs/InP-ＣZnO-CGeSiC-Ｃ

3、GaN-GGaN-HGaN-IGaN-J下午-I及注册大会报告张贴会场发光器件材料生长及表征外延及器件探测器及材料（III）准备发光器件(3)电子器件(2)2DEG及其理论评价13:30开始第3页第4页第5页8:00-22:00第6页第7页第8页第9页大会报告下午-II论文张贴（时间：15:45,地点：凯旋厅）（IV）专家会议（时间：16:15地点：凯旋5厅）优秀论文评选晚间欢迎晚宴工作晚餐（地点：二楼华苑厅）闭幕晚宴（地点：二楼华苑厅）18:30开始（华苑厅）12月1日大会邀请报告地点：帝苑厅8:00-9:00大会开幕式9:00-9:30激光显示技术

4、的发展现状及趋势王占国中科院半导体所9:30-10:00Ⅲ族氮化物半导体发展中面临的几个科学郑有炓南京大学技术问题10:00-10:30中国半导体照明产业发展概况及展望吴玲半导体照明办公室10:30-10:50集体合影10:50-11:20GaN-basedoptoelectronicdeviceson江川孝志日本名古屋工业大学Sisubstrates(T.Egawa)11:20-11:50半导体照明技术的一些最新进展李晋闽中科院半导体所11:50-12:20谐振隧穿晶体管数字集成电路述评李效白中电集团第十三研究所12:30-13:30午餐13:30-

5、14:00ZnO薄膜p型掺杂及ZnO-LED室温电致发光叶志镇浙江大学14:00-14:30有机发光器件中某些物理问题的研究刘式墉吉林大学14:30-15:00FutureApplicationsofGaNElectron大野泰夫日本德岛大学Devices(Y.Ohno)15:00-15:15茶歇15:15-15:45新型太赫兹纳米电子器件宋爱民英国曼彻斯特大学15:45-16:15超高频InP基电子器件及电路刘新宇中科院微电子研究所16:15-16:45砷化镓仍然是微波半导体的主流技术邵凯中电集团第五十五研究所16:45-17:15PastAdvan

6、cesandFuturePromisesof吴毅锋原美国Cree公司GaNPowerTransistors(Y.-F.Wu)18:30-欢迎晚宴分会场口头报告(以日期、时间和会场顺序排列，请参考会议日程表)12月2日(Tue.)凯旋厅GaN-A8:00-8:25Tue.-GaN-A01GaN基稀磁半导体材料的生长和物理特性研张国义北京大学邀请报告究8:25-8:40Tue.-GaN-A02国产SiC衬底GaNHEMT外延材料研究进展冯志宏中电集团十三研究所8:40-8:55Tue.-GaN-A03GaN自支撑衬底生长及推广型立式HVPE生修向前南京大学

7、长系统8:55-9:10Tue.-GaN-A04AlN插入层对GaN上生长的AlxGa1-xN外延层鲁麟北京大学表面形貌和微结构的影响9:10-9:25Tue.-GaN-A05过渡族和稀土族元素掺杂氮化镓基稀磁半姜丽娟中科院半导体所导体性能比较9:25-9:40Tue.-GaN-A06MOCVD生长Mn掺杂GaN薄膜的结构与磁学性崔旭高南京大学能研究9:40-9:55Tue.-GaN-A07MOCVD生长GaN/GaMnN多层结构的磁学性质杨学林北京大学研究9:55-10:10茶歇GaN-B10:10-10:35Tue.-GaN-B01III族氮化物半

8、导体极化诱导能带工程及器张荣南京大学邀请报告件应用10:35-10:50Tue.-GaN-B0