sol_gel法制备择优取向铁电陶瓷薄膜的研究进展

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1、第22卷第4期山东建筑大学学报Vol.22No.42007年8月JOURNALOFSHANDONGJIANZHUUNIVERSITYAug.2007文章编号:1673-7644(2007)04-0360-05Sol2Gel法制备择优取向铁电陶瓷薄膜的研究进展12刘乃源,张伟(1.济南大学图书馆,山东济南250022;2.山东建筑大学材料科学与工程学院,山东济南250101)摘要:综述了溶胶—凝胶法制备择优取向铁电陶瓷薄膜的研究现状,主要介绍了制备过程中衬底材料、热处理工艺、前驱体以及掺杂等因素对铁电陶瓷薄膜择优取向的影响以及铁电陶瓷薄膜的择优取向与铁电

2、性能的关系。关键词:铁电陶瓷薄膜;溶胶—凝胶法;择优取向;铁电性能中图分类号:O484文献标识码:AThedevelopmentofstudyonpreferredorientedferroelectricceramicsfilmsfabricatedbytheSol2Gelmethod12LIUNai2yuan,ZHANGWei(1.Laibrary,JinanUniversity,Jinan250022,China;2.SchoolofMaterialsScienceandEngineering,ShandongJianzhuUniversi2ty

3、,Jinan250101,China)Abstract:Thispapersummarizestheresearchprogressonpreferredorientationferroelectricceramicsfilmsfabri2catedbySol2Gelmethod,particularlytheeffectsofsubstratematerials,heattreatmenttechniques,precursor,doping,etc.Therelationshipbetweenpreferredorientationandferro

4、electricpropertiesofceramicsfilmsisalsointroduced.Keywords:ferroelectricceramicsfilms;Sol2Gelmethod;preferredorientation;ferroelectricproperties[3]0引言UongChon等通过改变样品的基片与通过掺杂等方法,制备出a(b)取向较为明显的铁电薄膜样品,[4]样品的铁电性能得到改善;UongChon等还报道用铁电陶瓷薄膜因其具有独特的电学、光学和光溶胶—凝胶法(Sol2Gel)制备的高c轴择优取向Bi3.15电子

5、学性能,在现代微电子、微机电系统、信息存储32等方面有着广泛的应用前景,成为当前新型功能材Nd0.85Ti3O12(BNT)薄膜,其2Pr值高达10μCPcm,并[1,2]认为BNT的自发极化(P料研究的热点之一。用铁电薄膜制备的非挥发s)巨大且靠近c轴;乔燕[5]性铁电随机存储器(NVFRAM)因断电后可存储信等用Sol2Gel法在PtPTiPSiO2PSi衬底上制备出了a息、抗疲劳性强等而倍受青睐。对于NVFRAM来轴择优取向和高c轴取向的BNT薄膜,发现a轴择说,要求材料剩余极化(2Pr)大、矫顽场(Ec)小、居优取向的薄膜在300kVPcm的外

6、加电场下,具有最高2里点高、漏电流小且多次反转无疲劳现象。研究发的2Pr值为64.2μCPcm,介电常数(εr)在100kHz频现,铁电陶瓷薄膜的择优取向与材料铁电性能之间率下为343,高c轴取向的薄膜2Pr,εr值分别为2有着密切的关系,不少研究者就如何制备高度择优23μCPcm,218。可见择优取向铁电陶瓷薄膜的研究取向铁电陶瓷薄膜材料进行了广泛的研究。如在不断深入。收稿日期:2007-03-24作者简介:刘乃源(1970-),女,吉林长春人,济南大学图书馆助理管员,研究方向:图书管理.第4期刘乃源等:Sol2Gel法制备择优取向铁电陶瓷薄膜的研究

7、进展361制备铁电薄膜的方法有多种,如:脉冲激光沉积可逆缠结,导致刚性结构的形成,从而降低了形成的法(PLD),金属有机化合物气相沉积法(MOCVD),膜中晶粒的择优取向度,因此,溶胶转化引起的前驱Sol2Gel法,射频磁控溅射法(RF2Sputtering),金属有体网络结构变化对铁电薄膜的晶粒取向起着决定性[6-10]机热分解法(MOD)等。Sol2Gel法设备简单,价的影响。格低廉,且能精确控制组分,大面积均匀成膜。本文1.2衬底材料的影响主要从材料制备角度来讨论一下用Sol2Gel法制备衬底材料的组成和结构对铁电薄膜的择优取向[14]铁电陶瓷薄

8、膜时,制备条件对铁电陶瓷薄膜择优取有着较大影响。姚熹等采用Sol2Gel法,在Pt向的影响。(

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