资源描述:
《典型光电子器件辐射效应数值分析与试验模拟方法研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、第39卷第2期原子能科学技术Vol.39,No.22005年3月AtomicEnergyScienceandTechnologyMar.2005典型光电子器件辐射效应数值分析与试验模拟方法研究1,21111122唐本奇,张勇,肖志刚,黄芳,王祖军,黄绍艳,毛用泽,王峰(11西北核技术研究所,陕西西安710024;21防化研究院第二研究所,北京102205)摘要:选取Si太阳电池与线阵CCD器件,进行了光电器件辐射效应的数值分析与模拟试验方法研究。分析了光电器件电离效应和位移损伤机理,利用二维器件模拟软件MEDICI,模拟了1MeV电子对n/p型硅太阳电池主要输出参数的影响,包括开路电
2、压Voc、短路电流Isc和最大输出功率Pmax。在一定范围60内,计算结果与文献实验数据符合较好。建立了线阵CCD器件辐照效应离线测量系统。利用Coγ源,进行了商用器件的总剂量效应试验,给出了暗电流信号和饱和电压信号的变化曲线。关键词:光电器件;辐射效应;数值分析;模拟试验中图分类号:TN99文献标识码:A文章编号:100026931(2005)0220183205StudyonNumericalAnalysisandExperimentSimulationApproachesforRadiationEffectsofTypicalOptoelectronicDevices1,211
3、1TANGBen2qi,ZHANGYong,XIAOZhi2gang,HUANGFang,1122WANGZu2jun,HUANGShao2yan,MAOYong2ze,WANGFeng(1.NorthwestInstituteofNuclearTechnology,Xi’an710024,China;2.The2ndInstituteofChemicalDefenseAcademy,Beijing102205,China)Abstract:Thenumericalanalysisandexperimentalsimulationapproacheswerestudiedforrad
4、iationeffectsoftypicaloptoelectronicdevices,suchasSisolarcellsandCCDs.Atfirst,thedamagemechanismofionizationanddisplacementeffectsonsolarcellsandCCDswasanalyzed.Secondly,theoutputcharacteristicsofSisolarcellby1MeVelec2tronradiationwascalculatedwiththetwo2dimensionaldevicesimulationsoftwareMEDIC
5、I,suchastheshortcircuitcurrentIsc,theopen2circuitvoltageVocandthemaxi2mumpowerPmax.Thesimulationresultsareingoodagreementwiththeexperimentalvaluesinacertainrangeofelectronfluence.Meanwhile,theionizationradiationexperi260mentwascarriedoutonthecommerciallinearCCDbyCoγsourcewithourself2designedtes
6、tsystem,andsomevaluableresultsofdarkvoltageandsaturationvoltagevariedwithtotaldoseforTCD132Dweregotten.收稿日期:2004202226;修回日期:2004207222作者简介:唐本奇(1966—),男,湖南常德人,副研究员,博士,抗辐射电子学专业184原子能科学技术第39卷Keywords:optoelectronicdevice;radiationeffect;numericalanalysis;simulationex2periment在国内,半导体器件/电路辐射效应研究已荷转移
7、必须按确定的方向流动。MOS阵列上进行了多年,取得了大量研究成果,有了很好的的偏置电位脉冲应严格满足相位时序要求,使技术基础。相对而言,在光电子器件辐射效应得任何时刻势阱的变化总是朝着同一方向。研究方面,研究工作开展得并不充分。在借鉴其它器件/电路辐射效应研究经验的基础上,本工作拟进行Si太阳电池1MeV电子辐射效应的数值模拟、线阵CCD器件总剂量辐照效应的模拟试验,由此,探索典型光电子器件辐射效应理论与试验模拟方法,以期给出建设性的规律和结论。1辐射效应