气相输运法大尺寸zno单晶生长的传输过程控制

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1、第!"卷!第#期半!导!体!学!报6789!"!)79#!$$%年#月&'()*+*,-./)01-2+*3(&-)4.&5-/+,:;

2、验结果和现象与理论分析一致!获得了c;-单晶生长的理想条件和高质量的大尺寸c;-单晶材料9关键词!气相传输法&c;-单晶&动力学&生长机理76??$#KK$&&"K#$&%K!$中图分类号!5)L$O^!gK!!!文献标识码!0!!!文章编号!$!NLYOK%%"!$$%#$#Y$"#MY$OB!引言C!?LK法[,M单晶生长传输过程和机理分析氧化锌"c;-#为直接带隙半导体材料!禁带宽度为L^O<6!激子束缚能高达#$R<6!适合制作高!!在以&作为传输剂的生长过程中!通常认为发'K!!(效率蓝色.紫外发光管和探测器等光电子器件9

3、生了以下反应$c;-还可以制造气敏器件.表面声波器件.透明大c;-"B#g&"B#

4、为当前广泛研究的一大热#点9其中!气体的质量传输束流密度由对流和扩散两个'KO(过程决定!其关系为$&65法已被广泛用于生长半导体单晶材料!特别是熔点和离解压均很高的((Y6(族半导体材%/-!-!/

5、5法生长出了大尺寸c;-单晶9研究!c;-单晶&65法的传输和生长机理将有助于掌握!!#%'7"C>#(晶体生长规律!获得单晶生长的理想条件!降低材料-C/DY,7;

6、完整性的影响9在此基4刚性球近似给出的修正因子9础上获得了理想的c;-单晶&65法生长条件!得在&65Yc;-晶体生长过程中"非掺杂#!石英到了大尺寸.高质量的c;-单晶材料9管内的气体有c;!-!&-!&-和c;-!其中主要!!P通信作者9*RHI8$T@S<;AAHA:>

7、AHA:>HQHA:><97*f#&-*K$N=H#c;*K$N=H#*K$N=HU4*"R78*"@R!)B##K!!$$9"$$9""K9#"K9O]K$[OK!N$$9MNK9$N!9$$K9%]K$[OK!%$K9"$K9M$L9%$%]K$[OK!M$!9%$!9"$N9N$!]K$[L的组分为c;和&-!而且/!其他组分的压c;>/&-'%!KO(力/&-!/-和/c;-很小!可以忽略不计9!!因此!在压力较小的情况下!扩散传输束流密度'%(可以简化为$'"8;[##/c;/&-U4

8、IS!c;!&-#"+#'N"/c;=/&-#其中!S为摩尔密度&'N为源与籽晶的距离&!c;!&-为c;和&-的二元扩散系数!由ZI88I8H;D公式给出$%*#"&"/%7!!!c;!&-I<>"'#!*%!*%##C/"Mc;>