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1、第32卷第3期电子器件Vol.32No.32009年6月ChineseJournalOfElectronDevicesJun.2009NumericalSimulationandAnalysisofSiGeHBT’sCharacteristicParameters1,232222WANGZujun,LIUShuhuan,TANGBengqi,CHENWei,HUANGShaoyan,222XIAOZhigang,ZHANGYong,LIUMinbo1.DeptofEngineeringPhysics,KeyLaboratoryof
2、Particle&RadiationImagingMinistryofEducation,TsinghuaUniversity,Beijing100084,China;2.NorthwestInstituteofNuclearTechnology,P.O.Box69210,Shaanxi,Xi’an710024,ChinaAbstract:DCandACcharacteristicsofSiGeHBTweresimulatedbythetwo2dimensionaldevicenumericalsimula2tionsoftwar
3、e—MEDICI.Thecharacteristicparametersweresimulatedindifferentbasedopingconcentration,col2lectordopingconcentration,emitterdopingconcentrationanddifferentGecontent,respectively.TheprimaryrulesofcollectorcurrentIC,basecurrentIB,currentgainβandcut2offfrequencyfTofSiGeHBTw
4、ereconcluded.Keywords:SiGeHBT;currentgain;cut2offfrequency;dopingconcentration;numericalsimulationEEACC:TN322SiGeHBT器件特征参数的数值模拟与分析1,232222222王祖军,刘书焕,唐本奇,陈伟,黄绍艳,肖志刚,张勇,刘敏波1.清华大学工程物理系,粒子技术与辐射成像教育部重点实验室,北京100084;2.西北核技术研究所,西安710024摘要:分别在不同基极掺杂浓度、集电极掺杂浓度、发射极掺杂浓度和不同Ge组分含量的
5、情况下,运用半导体器件模拟软件—MEDICI,对SiGeHBT器件的直流特性和频率特性进行了数值模拟,得出了SiGeHBT器件的集电极电流IC、基极电流IB、电流增益β和截止频率fT变化的初步规律。关键词:SiGeHBT;电流增益;截止频率;掺杂浓度;数值模拟中图分类号:TN322文献标识码:A文章编号:100529490(2009)0320534204随着移动通信、微波通信、卫星通信、雷达系统、止频率fT变化的初步规律。通过对SiGeHBT器电子对抗系统、精密制导系统、灵巧武器导引头系件的数值模拟,为进行器件辐射效应的数值模拟研
6、统、智能武器系统等高技术的发展,对性能优良的微究奠定基础,从而为抗辐射加固优化设计提供技术波、大功率、低噪声固态器件及其微波单片集成电路支持和理论指导。的需求日益增强。SiGeHBT器件具有频率高、噪声低、传输快、电流增益大、良好的低温性能及易与1SiGeHBT器件物理模型现有的成熟Si工艺兼容、易集成等特点,因而可广同所有NPN双极器件一样,Si/Si1-xGex/Si异质[122]泛用于数字、模拟、RF及微波电路。结双极型晶体管(发射区和集电区为Si,基区为Si1-x运用MEDICI软件,分别在不同基极掺杂浓Gex)的输出电流
7、(集电极电流IC)依赖于正偏压下B2度、集电极掺杂浓度、发射极掺杂浓度和不同Ge组E(基极2发射极)结处电子从n型发射区注入到p型分含量的情况下,对SiGeHBT器件的直流特性和基区的数目。在基区内,作为少数载流子的电子通过频率特性进行了数值模拟研究,得到SiGeHBT器扩散和漂移朝C2B(集电极2基极)结方向运动,通常件的集电极电流IC、基极电流IB、电流增益β和截C2B结处于零偏或反偏压,在这种偏压下,电子被pn收稿日期:2009202207作者简介:王祖军(19792),男,清华大学工程物理系博士生,现工作于西北核技术研究所
8、,主要从事光电器件辐射效应研究和超深亚微米集成电路辐射效应仿真模拟研究,wzj029@qq.com©1994-2009ChinaAcademicJournalElectronicPublishingHouse.Allrightsreserved.h
