ccto／cu巨介电陶瓷

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1、第29卷第2期硅酸盐通报V01．29No．22010年4月BULLETINOFTHECHINESECERAMICSOCIETYAoril．2OlOCCTO／Cu巨介电陶瓷郑兴华，肖娟，严容，黄旭，郑可炉(1．福州大学材料科学与工程学院，福州350108；2．福州大学物理与信息工程学院，福州350108)摘要：采用固相反应法制备了CaCu3Ti4O2(CCTO)／Cu陶瓷，cu改善了CCTO陶瓷的烧结性能。cu添加较少时，CCTO／Cu陶瓷为CCTO单相；而当cu添加较多时，CCTO／Cu陶瓷中出现第二相，并且随烧结温度的升高，第二相由CuO变成Cu：O

2、。CCTO／Cu陶瓷存在明显的晶粒异常长大和层状晶界相。但是，当cu添加量达到3wt％时，层状富铜晶界相大大减少且分布不均匀。CCTO／Cu陶瓷均具有巨介电常数(>10，1kHz)和较低的损耗(一10)。CCTO／Cu陶瓷的巨介电常数与其半导体部分密切相关。相对于CCTO陶瓷，CCTO／Cu陶瓷介电常数具有更强的温度依赖性。关键词：巨介电常数；烧结温度；CCTO／Cu陶瓷中图分类号：TB34文献标识码：A文章编号：1001—1625(2010)02-0304-05CCTo／CUCeramicswithGiantDielectricConstantZHE

3、NGXing．hua，XIAOJuan，YANRong，HUANGXu，ZHENGKe—lu(1．CollegeofMaterialsScienceandEngineering，FuzhouUniversity，Fuzhou350108，China；2．CollegeofPhysicsandTelecommunicationEnginerring，FuzhouUniversity，Fuzhou350108，China)Abstract：TheCCTO／Cuceramicshasbeenpreparedbysolidstatereaction．Cuadd

4、itionimprovesthesinteringcharacterizationoftheCCTOceramics．WitllthelessCucontent．CCTO／Cuceramicsissimplephase．ThesecondaryphaseappearsintheCCTO／CuceramicswithmoreCucontent．AndthesecondrayphasechangesfromCuOtoCu2Owithincreasingsinteringtemperature．TheCCTO／Cuceramicsexhibitsveryla

5、rgegrainsandcontiniouslayeredgrainboundariesCu—richphase．However，thegrainboundaryphaseobviouslydecreasesanddistributesinhomogeneitywhentheCucontentreaches3wt％．AlltheCCTO／Cuceramicsdisplaysgiantdielectricconstant(>10，1kHz)andlowdielectriclOSS(一10)．ThegiantdielectricconstantiSclos

6、elyrelatedwiththesemiconductorpartintheCCTO／Cuceramics．ThedielectricconstantofCCTO／CuceramicshasthestrongertemperaturedependencethanCCTOceramics．Keywords：giantdielectricconstant；sinteringtemperature；CCTO／Cuceramics引言近年来，随着器件Et益小型化的发展趋势，具有高介电常数、低损耗、较小温度系数的材料成为研究的热点。类钙钛矿结构的CCTO具有巨

7、介电常数(～10)，并且在100～550K温度范围内具有良好的温度稳定性，从而引起了人们的极大兴趣。在对CCTO的大量研究中，巨介电常数的机理一直是研究重点。目前，研究者基本认同了巨介电常基金项目：福建省高等学校新世纪优秀人才支持计划(XSJRC2007-16)；省属高校项目(2007F5002)；福州大学发展基金(2007-XQ-01)作者简介：郑兴华(1976一)，男，博士，副教授．主要从事功能陶瓷的研究．E-mail：brook76@163．com第2期郑兴华等：CCTO／Cu巨介电陶瓷数起源于Maxwell—Wagner效应及内部阻挡层电容模型

8、(IBLC模型)非本征机理，即CCTO材料由不同导电性的区域：绝缘层和导电层构成，这也被交流阻