apcvd法nbtio2薄膜制备及其光电性能研究

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1、缱鱼迪法№;!iQ;蓥送剑垒区甚迸电性能砑窒论文作指导教师签名:盔犀丝塾一论文评阅人l:评阅人2:评阅人3:评阅人4:评阅入5:答辩委员会主席:陵童堑Z熬援Z浙江太堂委员1:昱夏至Z熬援Z逝堑太堂委员2-黄蕴云Z熬攫Z逝江太堂委员3-昌彗Z虿9硒宣虽Z逝江态堂委员4:蓥国民Z麴握级直王Z虫国堑型挝挝遮让婴窥院委员5:AutSupervisor’ssignature:ExternalReviewers:ExaminingCommitteeChairperson:ExaminingCommitteeMembers:洳f洲眵翰枞哆9f鸭Dateoforaldefence:地曼鱼,2Q!垒跏咖浙江大学

2、研究生学位论文独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得逝望盘堂或其他教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。学位论文作者签名:磊签字日期.砂/砂年多月胗日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解逝鎏盘堂有权保留并向国家有关部门或机构送交本论文的复印件和磁盘,允许论文被查阅和借闵。本人授权逝婆态鲎可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索和传播,可以采用影印、缩印或扫描等

3、复制手段保存、汇编学位论文。(保密的学位论文在解密后适用本授权书)学位敝储虢彻易签字日期:劢7砂年石月/硼导师签名:李声够签字日期:仞,降‘月乡日摘要透明导电氧化物(简称TCO)薄膜是当今半导体领域研究热点,具有可见光区透过率高、电阻率低等优异的光电性能。广泛应用于平板显示器、太阳能电池等领域。目前可成熟制备的TCO薄膜包括ITO、FTO、AZO薄膜,但它们都各自存在着难以克服的缺点。Nb:Ti02(简称NTO)薄膜是近年来新发现的一种TCO薄膜,具有导电性好、成本低、无毒等优点,具有广阔的应用前景,然而,人们对其认识还不充分,制备技术更是很不成熟,有必要对NTO薄膜进行深入的研究。本文采用A

4、PCVD法,在玻璃基板上成功制备了均匀致密的NTO薄膜。通过研究反应温度、气体流量等工艺参数对薄膜的影响,探索了制备NTO薄膜的最佳工艺参数以及气体流量调控规律。同时研究高真空退火、H2退火等热处理方式对薄膜形貌、结构以及对光电性能的影响。结果表明:随反应温度升高,薄膜晶粒有细化的趋势,透过率逐渐增大,但550。C之后开始出现不均匀的块状和条状大颗粒,导致薄膜变得不再均匀致密。500。C一550。C是最佳反应温度区间,易沉积晶粒细小、均匀致密、可见光区较高透过率的NTO薄膜。当总气体流量一定时,增大TiCl4的量,薄膜晶粒有逐渐变小且均匀的趋势,透过率逐渐增大,同时薄膜的结构会由金红石相向锐钛

5、矿相过渡;而当TiCl4的量一定时,增大№C15的气体流量,薄膜晶粒同样存在交小且均匀的趋势,膜厚会相应减小,透过率逐渐增大;通过气体流量的控制可实现Nb掺杂浓度的可控调节。高真空退火可以显著改善晶体质量,薄膜晶粒会变得细小均匀致密,透过率也会大幅提高;相比较于经过掺杂但未经过H2退火的NTO薄膜和经过H2退火但未掺杂的Ti02薄膜,经过掺杂和H2退火的NTO薄膜其电学性能得到明显改善。关键词:Nqo:Ti02薄膜、常压化学气相沉积、透过率、电阻率浙江大学硕士学位论文ⅡAbstractTransparentconductiveoxidefilms(referredTCO)areahottopi

6、cinsemiconductorindustry,theyhaveexcellentopticalandelectricalproperties,suchashightransmittanceinthevisibleregion,lowresistivity,havebeenwidelyusedintheareaofflatpaneldisplays,solarcellsandSOon.TCOfilmswhichcanbematurepreparedcurrentlyincludeITO,FTO,AZOfilms,buttheyallhaveshortcomingsdifficulttOove

7、rcome.Nb:Ti02(referredNTO)filmsarenewlydiscoveredTCOfilmsinrecentyearswiththeadvantagesofgoodconductivity,non—toxicandlowcost,havebroadapplicationprospects,butpeople’Sunderstandingaboutthemisstillnots

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