2017届高考化学一轮复习模块六选修部分专题十六化学与技术考点三化学与材料的制

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1、第4步模拟练习达标1.(2016・山东青岛模拟)菱猛矿(MnCO3)常含WFe203>FeO>HgCO3・2HgO等杂质,工业常用菱镒矿制取镒,工艺流程如下:水电解液硫酸空气液氨[净化剂番初逊寵袖除去巫金娼[5範~~1[滤渣2请回答下列问题:⑴向粗液1中加入的水最后盂要方法才能达到技术要求。⑵流程中用的空气是用膜分离法制备的富氧空气,该方法的原理是⑶净化剂主耍成分为(N山LS,粗液2屮发主主耍反应的离子方程式为⑷写出阳极的电极反应式,电解液循环的原因是⑸写出铝热法炼镒的化学方程式解析:(1)为保

2、证水的纯净,粗液1中加入的水最后需耍蒸镭。(2)制备富氧空气的原理是空气中的氧气和氮气透过分离膜的能力不同。⑶从流程图町知,加入净化剂(NH,)2S冃的是除去Hg?+°(4)净液成分是硫酸猛,电解硫酸猛溶液得到二氧化镒,阳极的电极反应式:Mn2++2H;:0-2e"=MnO,+4H为节省资源,可循环电解液,回收未反应的Mn2+,提高二氧咼温化猛的产率。⑸铝热法炼猛类似炼铁,反应的化学方程式为:3Mn02+4A1—2K12O3+3Mno答案:(1)蒸懈(2)空气中的氧气和氮气透过分离膜的能力不同

3、(3)Hg2+4-S2_=IIgSI(4)M『++2H:X)—2e—=MnO2+4H+回收未反应的Mn2+,提高二氧化猛的产率咼温(5)3MnO2+4A1^=2A1A+3Mn2.(2016•河南开封模拟)硅及其化合物的开发由来已久,在现代生活屮有广泛应用。回答下列问题。⑴高纯硅是现代信息、半导体和光伏发电等产业都需要的基础材料。工业上提纯硅有多种路线,其中一种工艺流程示意图及主要反应如2HC1石英砂焦炭电弧炉粗硅—流化床反应器H2SiHCl,还原炉发生的主要反应电弧炉1600亠-1800°CSi

4、+2C0tSiO2+2C流化床反应器250--300°CSi+3HC1S1HCI3+H2还原炉①还原炉中发生主要反应的化学方程式为。该工艺中可循环使用的物质为(填化学式)。用石英砂利焦炭在电弧炉中高温加热也可以生产碳化硅,该反②在流化床反应的产物中,SiHCL大约占85%,还有SiCh、SiH£12、SiH3C1等,有关物质的沸点数据如下表,提纯SiHCl3的主耍工艺操作依次是沉降、冷凝和o物质SiSiCl,SiHCLSiH2Cl2Si£C1HCISil-Ii沸点/°C235557.631.8&

5、2-30.4-84.9-111.9③SiHCh极易水解,其完全水解的化学方程式为⑵氮化硅(SLN.J是一种高温结构材料,粉末状态的SiN可以由SiCh的蒸气和NH:仮应制取。粉末状SiN遇空气和水都不稳定。但将粉末状的SiN和适量氧化镁在230X1.01X103Pa和185°C的密闭容器中进行热处理,可以制得结构十分紧密、对空气和水都相当稳定的固体材料,同时述得到遇水不稳定的Mg3N2o①由SiCl.和NH3反应制取SiN的化学方程式为②四氯化硅和氮气在氢气气飙保护下,加强热发生反应,使生成的S

6、iN沉积在石墨表面可得较高纯度的氮化硅,该反应的化学方程式为③SiN和适量氧化镁在230X1.01X10sPa和185°C的密闭容器屮进行热处理的过程屮,除牛成馆3血外,还可能工成(填化学式)。热处理后除去MgO和Mg3N2的方法是咼温解析:(1)①还原炉屮SiHCh被氏还原,主要反应的化学方程式为SiHCl3+H2^Si+3HC1,分析流程可知循环物质是也、HC1;石英砂和足量焦炭在高温下生产碳化硅,该反应高温的化学方程式为SiO2+3C^=SiC+2COf。②比较SiHCh、SiCh、Si

7、H2Cl2>SiH3Cl的沸点,可得常温下SiHCL、SiCL为液体,SiH2Cl2>SiH3Cl为气体,沉降除去产物中的固体后,冷凝得到SiHCL、SiCL.的混合液体,由于沸点差别较大,可以通过精饰(或蒸饰)除去杂质。①SiHCL水解反应方程式为SiHC13+3H2O=H2SiO3+H2t+3HC1to⑵①由SiCl?和毗反高温应制取SiN相当于“置换反应”,化学方程式为3SiCh+4NIl3^SiN+12IICl。②四氯化硅和氮气在氢气气氛保护卜,加强热相当于先发牛反应生成氨气,然后SiC

8、l4与Mb反应生高温成Si:N,该反应的化学方程式为3SiC1.,+2N,+6H2^=Si3N4+12HCE③根据信息,SiN和适量氧化镁在一定条件下反应除生成MgsN2外,还可能生成Si02或MgSiOao除去MgO和Mg3N2可以利用它们溶于盐酸,Si()2或MgSiOa不溶于盐酸而除去。i'u'j温間温答案:⑴①SiHC13+H2^=Si+3HCl氏、HC1SiO2+3C^=SiC+2COf②精懈(或蒸镭)③SiHC13+3H2O=H2SiO3+H2t+3HC1t高温(2)®3SiCli+

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