直流脉冲磁控溅射法制备sinltxgtsinltxgtoltygt薄膜及其性能研究

直流脉冲磁控溅射法制备sinltxgtsinltxgtoltygt薄膜及其性能研究

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时间:2019-03-02

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1、摘要摘要柔性OLED被认为是最具发展前景的下一代显示技术之一,但由于H20、02等有害气体的侵蚀,使柔性OLED器件很难达到商用显示器件1x104h的最低使用寿命标准,在柔性衬底上制备保护层是阻隔H20、02等有害气体对器件的侵蚀,延长器件使用寿命的有效方法。而高密度的SiNx和SiNxOv薄膜对气体具有良好的阻隔性能。本论文利用直流脉冲磁控溅射方法制备SiNx及SiNxov薄膜,探讨反应压强、气体流量配比等沉积参数对SiNx及SiNxov薄膜结构、性能的影响。研究结果表明:1、在N2/Ar比例不变的情况下,随着反应压强的增加,

2、所制备SiNx薄膜中Si-N键含量逐渐下降,而Si.O键的含量逐渐增加,当反应压强大于1.0Pa后,Si.O键已经成为薄膜的主要结构;2、在反应压强不变的情况下,随着N2/Ar比例的增加,所制备SiM薄膜中Si-N键含量逐渐下降,而Si.O键的含量逐渐增加,当N2/Ar比例大于O.6之后,Si.O键已经成为薄膜的主要结构;3、在低反应压力及低N2/Ar比例条件下,由于SiNx薄膜中Si-N键含量较高,薄膜具有较好的阻透性能和疏水性能;随着反应压强的增加及N2/Ar比例的增加,由于SiNx薄膜中Si.O键含量的增加,SiNx薄膜的

3、疏水性能及阻透性能变差。在最佳参数条件下制备的Sn奴薄膜,具有较好的疏水性能、阻透性能,残余应力较低,同时薄膜在可见光波段透过率超过90%,表明在最佳参数条件下制备的SiNx薄膜能够满足柔性OLED对衬底保护膜透光率、疏水性和H20/02阻透性能的要求;4、在SiNx薄膜最佳制备参数条件下,反应气体中掺入少量02,采用直流脉冲磁控溅射方法制备SiNxOs薄膜。由于O元素活泼性远大于N元素,当混合气体比例为N2:Ar:02=10:20:2时,SiNxOv薄膜中Si-N键与Si.O键含量相当;继续增加02流量,则薄膜以Si.O键结构

4、为主。SiNxOy薄膜的可见光透过率都在90%以上;同时,由于Si02薄膜的疏水性能、阻透性能低于SiNx薄膜,因此,随着SIN,,0v薄膜中Si.O键含量的增加,薄膜的疏水性能、阻透性能变差。关键词:SiNI薄膜;脉冲磁控溅射;柔性OLED摘要AbstractFlexibleOLEDwasconsideredtobeoneofthemostpromisingdisplaytechnologiesofnextgeneration.ButbecauseoftheerosionofharmfulgasessuchasH20and02

5、,itslifetimeCannotobtaintheminimallifetimestandardofcommercialdisplay--1x104h.Itisalleffectivemethodtoprepareprotectivelayeronflexiblesubstratetoprolongitslifetime.HighdensitySiNxandSiNxOyfilmhaveexcellentbarrierpropertytogases.Inthisarticle,SiNxandSiNxOyfilmwereprep

6、aredusingDirectCurrentpulseMagnetronSputteringmethod.111einfluenceofdepositedparameters(workingpressure、gasflowratioandfilmthickness)onperformanceandstructureofSiNxandSiNxOyfilmsisstudied.Theresearchresultsshowthat:1.underthecircumstanceofstationaryN2/Argasflowratio,

7、asthereactionpressureincrease,thecontentofSi·NbondinSiNxfilmdecreaseandthecontentofSi.0bondincreasegradually.Whenthereactionpressureishigherthan1.0Pa,Si—Obondbecomethemainstructureinfilm.2.undertheconditionofreactionpressurewasfixed,astheN2]Argasflowratioincreases,th

8、econtentofSi.NbondinSiNxfilmdecreasesandthecontentofSi.Obondincreasesgradually,Si-ObondbecomethemainstructureinfilmwhentheNdArgasfl

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