半导体最优题库无计算题版本模板

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1、1.受主杂质杂质在半导体中成键时，产生一个空穴。当其他电子来填补这个空穴时，相当于这个空穴电离，同时杂质原子成为负电中心。2.施主杂质掺杂离子进入本征半导体晶格后，杂质原子容易失去一个电子成为自由电子，这个杂质原子叫施主。3.间接复合电子和空穴通过禁带中的杂质或缺陷能级进行复合。4.直接复合电子在导带和价带之间直接跃迁所引起的非平衡载流子的复合过程。5.载流子产生率单位时间内载流子的产生数量。6.扩散长度非平衡载流子深入样品的平均距离。7.非平衡载流子的寿命非平衡载流子的平均生存时间。8.费米能级费米能级是绝对零度时电子的最高能级。9.迁移

2、率单位电场强度下载流子所获得的漂移速率。10.功函数功函数是指真空电子能级E0与半导体的费米能级EF之差。11.表面态晶体的自由表面的存在，使得周期性势场在表面处发生中断，引起附加能级，电子被局域在表面附近，这种电子状态称为表面态，所对应的能级为表面能级。12.电子亲和能真空的自由电子能级与导带底能级之间的能量差，也就是把导带底的电子拿出到真空去而变成自由电子所需要的能量。13.同质结同质结就是同一种半导体形成的结，包括pn结，pp结，nn结。14.异质结异质结就是由不同种半导体材料形成的结，包括pn结，pp结，nn结。15.非平衡载流子半

3、导体中比热平衡时所多出的额外载流子。16.施主杂质掺杂离子进入本征半导体晶格后，杂质原子容易失去一个电子成为自由电子，这个杂质原子叫施主。17.本征激发当有能量大于禁带宽度的光子照射到半导体表面时,满带中的电子吸收这个能量,跃迁到导带产生一个自由电子和自由空穴,这一过程称为本征激发。18.平均自由程电子在实际器件中的平均自由运动距离称为平均自由程。19.有效质量电子受到原子核的周期性势场（这个势场和晶格周期相同）以及其他电子势场综合作用的结果。20.浅能级杂质指在半导体中、其价电子受到束缚较弱的那些杂质原子，往往就是能够提供载流子—电子或空

4、穴的施主、受主杂质；它们在半导体中形成的能级都比较靠近价带顶或导带底，因此称其为浅能级杂质。21.镜像力在金属－真空系统中，一个在金属外面的电子，要在金属表面感应出正电荷，电子也受到感应的正电荷的吸引如负电荷距离金属表面为x，则它与感应出的金属表面的正电荷之间的吸引力，相当于在-x处有个等量的正电荷之间的作用力，即镜像力。22.肖特基势垒金属与半导体接触时，若二者功函不同，载流子会在金属与半导体之间流动，稳定时系统费米能级统一，在半导体表面一层形成表面势垒，是一个高阻区域，称为阻挡层。电子必须跨越的界面处势垒通常称为肖特基势垒。23.雪崩击

5、穿雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，在反向强电场下的碰撞电离,使载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。雪崩击穿一般发生在掺杂浓度较低、外加电压又较高的PN结中。24.小注入条件当注入半导体材料的非平衡电子的浓度小于平衡时导带中电子的浓度时，我们称这种方法为小注入较小偏压下的电流注入。25.高表面态密度钉扎态密度很大时，表面积累很多负电荷，能带向上弯曲程度越大，表面处EF接近EFS。能带弯曲量qVD=EF-EFS。26.隧道击穿反向偏压增加，内建电场增加，能带倾斜，导致n区导带底比p区价带顶还低。这样p区价带电子得到附加势能qEx可以大

6、于Eg。1证明当μn≠μp，且电子浓度，空穴浓度时半导体的电导率有最小值，并推导σmin的表达式。得证得证得证7.  证明同质pn结接触电势差 ，并说明接触电势差与半导体材料的掺杂浓度和能带隙宽度之间的关系。没有昂，总不能考100吧！1，导体、半导体、绝缘体能带有什么区别？按固体能带理论，物质的核外电子有不同的能量。根据核外电子能级的不同，把它们的能级划分为三种能带：导带、禁带和价带（满带）。在禁带里，是不允许有电子存在的。禁带把导带和价带分开。（1）对于导体：它的大量电子处于导带，能自由移动。在电场作用下，成为载流子。因此，导体载流子的浓

7、度很大。（2）对绝缘体和半导体：它的电子大多数都处于价带，不能自由移动。但在热、光等外界因素的作用下，可以使少量价带中的电子越过禁带，跃迁到导带上去成为载流子。绝缘体和半导体的区别主要是禁带宽度不同。半导体的禁带很窄，绝缘体的禁带宽一些，电子的跃迁困难得多。因此，绝缘体的载流子的浓度很小。导电性能很弱。实际绝缘体里，导带里的电子不是没有，并且总有一些电子会从价带跃迁到导带，但数量极少。所以，在一般情况下，可以忽略在外场作用下它们移动所形成的电流。3．试定性分析Si的电阻率与温度的变化关系。解：Si的电阻率与温度的变化关系可以分为三个阶段：（

8、1）温度很低时，电阻率随温度升高而降低。因为这时本征激发极弱，可以忽略；载流子主要来源于杂质电离，随着温度升高，载流子浓度逐步增加，相应地电离杂质散射也随之增加，从而使得迁移率随