硅和锗基纳米材料的合成及作为锂离子电池负极材料的研究

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1、⑧论文作者签名：；‘』，，指导教师签名：l≤乒二；一论文评阅人1评阅人2评阅人3评阋人4评阅人5答辩委员会主席：委员1：委员2：窆垒微，盥遮幽骛鹜翘委员3：槛纽弛龇绉虹碰委员4：恤盘盔盗域擞蟛氇盟委员5：———_-—_——_--——____-———__●_———___———●l_—————一委员6：——⑧．S．．．．．．．．．．．．i．．．．1．．．．．i．—c—．．o．nandGermaniumBasedNanomaterials：ermanBasedNanomaterials．Synthesis．andResearch—nodqforIithium．i

2、onResearchasAnodeforthionI-I———————————————●■__________■■●____________●■■■■___________●●■●■__________●____■■■_■_______________●_-_________________一BatteriesAuthor’Ssignature：一‘●‘supervisor7Ssignature：ExternalReviewers：EDateoforaldefence：㈣6mⅢ_，洲2帅9吣5删5㈣2mⅢY独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导

3、下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得逝鎏太堂或其他教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。学位论文作者签名签字日期：年月曰学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解逝鎏太堂有关保留、使用学位论文的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘，允许论文被查阅和借阅。本人授权浙逛太堂可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段

4、保存、汇编学位论文。(保密的学位论文在解密后适用本授权书)学位论文作者签名导师签名；o宝爹j，、，，’：签字日期：年月日签字日期：年月日摘要摘要近年来，便携式电子设备、电动工具以及电动汽车技术的高速发展对锂离子电池的性能提出了更高的要求，从而激发了新一代高比容量、长循环寿命的锂离子电池负极材料的研究。与目前商用的碳类负极材料相比，硅、锗基负极材料具有更高的比容量与能量密度，因此被认为是有潜力的下一代锂离子电池负极材料。但是硅、锗基负极材料在充放电循环过程中产生了巨大的体积变化，这会导致电极材料的粉碎以及电极导电网络的崩溃，从而使循环性能急剧衰减。通过构建特

5、定的硅、锗基微纳结构以及与碳等材料复合等手段，能够在一定程度上改善硅、锗基负极材料的循环寿命。但是，目前国内外的研究仍然没有完全解决上述问题。因此，进一步设计和制备硅、锗基纳米负极材料，改善锂离子电池负极材料的充放电性能具有重要意义。本文通过无电金属沉积法合成了硅纳米线与多孔硅颗粒，利用模板法合成了硅锗复合材料一维纳米结构阵列，利用固相热分解法合成了多孔锗颗粒。在此基础上，研究了上述材料作为锂离子电池负极材料的性能，取得了以下主要创新成果：(1)利用无电金属沉积的方法，以单晶硅片和冶金硅粉末为原料，大量合成了Si纳米线以及多孔Si颗粒。作为锂离子电池负极材

6、料，上述两种Si基材料由于具有纳米线形貌／多孔性质，能够缓解充放电过程中的体积膨胀，显示了优于碳材料以及Si粉体材料的充放电性能。在上述两种材料中，Si纳米线作为锂离子电池负极材料的性能更加优越。f21以ZnO纳米棒阵列作为牺牲性模板，经共溅射的方法合成了SiGe多孔纳米棒阵列电极。作为锂电池负极材料，SiGe纳米棒阵列显示了优良的循环性能，其循环性能、倍率性能均好于平板电极以及相同方法合成的硅纳米棒阵列电极。这种多孔纳米棒阵列中存在的空隙，可以有效缓冲充放电过程的体积变化。而掺入Ge能够提高其导电性和锂离子迁移率，从而进一步提高其充放电性能。(3)利用化

7、学气相沉积方法，在泡沫镍衬底上合成NixSi。纳米线阵列。通过共溅射的方法，在Ni。Si、，表面沉积一层SiGe层，得到Ni；Siy-SiGe核壳纳米线阵列。作为锂电池负极材料，NixSiy-SiGe核壳纳米线阵列表现出了优于对应平板电极、纯硅电极以及SiGe纳米棒阵列电极的循环性能与倍率性能。这是由于NixSiv纳米线具有良好的导电性并且与电极基片具有良好的结合力，且Ge的掺入能够提高硅基材料的导电性和锂离子¨I浙江大学博士学位论文迁移率，因此能够进一步提高硅基材料的充放电性能。通过改变化学气相沉积过程中的SiH4与H2流量比，可以获得不同组分与形貌的N

8、ixSi，纳米线阵列。其中，Ni31Sil2．SiGe核壳纳米线阵