rda6626 和rda6625 applicationnote

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1、RDAmicroelectronics,IncRDA662XAPPLICATIONNOTE2013-01-05RDAmicroelectronics,IncCircuitryforRDA6626:R1:ATTENUATOR`NCNC323130292827262575RC5GSMIN241C62320RDCSINRDA662622CAP3RAMP421NCGND10KRX1520CAP27KRXneeddcblockRX2619220PFRX3718TXENTOANTRX4817CTR0910111213141516C3

2、L2L11000PFCTR2CTR1L3C2C1Closetochip100UFESDprotectionanddcMatchingandharmonicsblocknetworkVBATCircuitryforRDA6625：R1:ATTENUATOR`NCNC323130292827262575RC5GSMIN241C62320RDCSINRDA662522CAP3RAMP421NCGND10KNC520CAP27KRX2619RXneeddcblock220PFRX3718TXENTOANTNC817CTR0910

3、111213141516L2NCC3L11000PFCTR1L3C2C1Closetochip100UFESDprotectionanddcMatchingandharmonicsblocknetworkVBATRDAmicroelectronics,IncRDA6626Truthtable：CTR2CTR1CTR0TXENGSMTXON0101DCSTXON0111RX1ON0010RX2ON0100RX3ON0110RX4ON1000RDA6625Truthtable：CTR1CTR0TXENGSMTXON101DC

4、STXON111RX2ON100RX3ON110芯片功能提示:▲▲1.ANT端推荐电路如上图所示，推荐值如下。实际应用中，经常需要调试功率，客户可按照下面的经验匹配组合值进行相应的调试。L1C1C2L2C3L3元件值2nH1.2pFNC3.9nH5.6pF22nH功率/效率/谐波等指标的优化主要调节L1/C1/C2/L2四个元件值，上述元件值大小可根据板子情况微调。★★★★ANT口隔直电容与下地ESD防护电感必须加上。2.建议客户在GSMIN/DCSIN两根射频输入线之前放置T型网络，以RDAmicroelectroni

5、cs,Inc兼容RDA下一代产品，推荐值如下:R1C5C6元件值75R100pF47pF其中，衰减电阻R1值大小建议范围51欧姆-82欧姆之间，客户可以根据项目饱和功率实际测试情况来灵活调整电阻大小。3.RDA6625/RDA6626所有RX端均需要片外隔直电容。4.射频端口真值表如上所示，在配置射频时序文件的时候，请确保控制的正确性。推荐RX3口接900RX,RX2口接1800RX.5.当客户需要双频应用时，选择RDA6625，并将RX1/RX4两端口悬空。CTR2悬空或者接地。6.推荐pin15/pin17不接下地电

6、容。7.建议在使用RDA6626的时候，RX接收口与片外隔直电容之间欲留对地的电容器件，以备谐波调试时使用。PCB布版注意事项：1.所有射频输入输出，以及天线走线均为50欧姆。尽量缩短射频收发芯片与功放之间以及功放与天线之间的射频走线。▲▲2.电源走线方面遵循以下三点，来减小线路路径阻抗a)电源走线宽度大于1.8mm.b)电源走线尽量少换层.c)电源走线换层尽量使用较大尺寸的过孔.3.电源退耦电容1000PF一定要靠近芯片引脚处放置。4.在布局时尽量将电源的退耦电容与射频输出的匹配器件留有一定的RDAmicroelect

7、ronics,Inc距离，做好地隔离，中间多打地孔。下地电容的地就近打过孔，单点直接与主地相连。以减少电源或者地噪声与射频通道的耦合。5.pin20和pin22的接地电容1000pF就近放置。6.所有旁路电容的地均通过就近地孔连到主地，PA主PAD地多打地孔.■■■7.一定要保证PA下面一层地的完整性，不要走电源以及与射频相关的线.要多打地孔，推荐PA的GNDPIN脚直接连到PA的主地。8.RDA提供的资料中含有pcb封装库，客户可直接使用。其它防护事项：1.ESD防护：芯片内部ANT端集成有ESD保护电路。另外，在功放

8、输出加LC型网络，如应用图上C3/L3可提高静电防护等级,在满足功率等指标的前提下，器件值越小抗静电能力越强。2.防潮：在组装模块板等应用中,芯片焊接后还需经历模块板焊接工序，为避免回流焊问题，请在模块板的存贮运输环节做好防潮保护。