《电工与电子》试题库5jd

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1、××××职业技术学院200×～200×3学年第×学期《电工与电子》（×）试题题号一二三四五六七总分得分姓名学号班级一、填空题（每空1分，共24分）1、纯净半导体材料中掺入三价杂质无素，可得到P型半导体，其多子为空穴，少子为自由电子，定域的离子带负电。2、P区和N区之间交界处的空间电荷区又称为PN结，具有单向导电性。3、光电二极管通常工作在反向截止区；发光二极管工作应正向偏置，且导通电压在1.3V以上；稳压二极管正常工作时应在反向击穿区。4、双极型三极管属于电流控制器件；单极型三极管属于电压控制器件。5、组合逻辑电路的基本单元是门电路；时序逻辑电路的基本单元是触发器。6、理想集成运放的条件是：

2、①开环电压放大位数∞，差模输入电阻∞，输出电阻0，共模抑制比∞。7、最小项方块图又称为卡诺图，三变量的最小项最多有8个。8、用四位移位寄存器构成环形计数器时，有效状态共有4个；若构成扭环形计数器，则有效状态则有8个。构成一个六进制计数器至少需要三位触发器。9、（（365）10＝（101101101）2＝（555）8＝（16D）1610、（11101）2＝（29）10＝（35）8＝（1D）16二、判断正误题（每小题1分，共8分）1、PN结正向偏置时内电场与外电场方向一致。（错）2、本征激发运动形成自由电子载流子，复合运动形成空穴载流子。（对）3、具有“置0、置1、保持和翻转”功能的是JK触发器

3、。（对）4、用万用表测试二极管或晶体管的好坏和极性时，应选择R×1K欧姆档。（对）5、共射放大电路静态工作点过高时易造成饱和失真，输出电压呈上削波。（错）6、8421BCD码实际上就是二进制数码，对应二进制数0000～1111。（错）7、分析非线性集成运放时，不能应用“虚短”结论。（错）8、编码器电路的输入量是机器识别的二进制数码。（错）三、单项选择题（每小题2分，共20分）1、具有“相异出1，相同出0”功能的门电路一定是（D）A、与门B、或门C、非门D、异或门2、具有保持、翻转两种功能的触发器是（C）。A、D触发器B、JK触发器C、T触发器D、Tˊ触发器3、稳压二极管的正常工作状态是（C）

4、A、导通状态B、截止状态C、反向击穿状态D、任意状态4、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，说明此三极管处在（A）。A、放大状态B、饱和状态C、截止状态5、绝缘栅型场效应管的输入电流（C）A、较大B、较小C、为零D、无法判断6、有空翻现象的触发器为（C）A、主从结构触发器B、维持阻塞触发器C、钟控RS触发器7、由四位D触发器构成的移位寄存器属于（C）。A、组合逻辑电路B、异步时序逻辑电路C、同步时序逻辑电路8、74LS194集成电路是（C）。A、计数器B、数码寄存器C、移位寄存器9、共发射极放大电路的反馈元件是（B）。A、电阻RBB、电阻R

5、EC、电阻RC10、共集电极放大电路属于典型的（B）电路。A、电流串联负反馈B、电压串联负反馈四、简答题（每小题3分，共15分）1、齐纳击穿和雪崩击穿的特点是什么？它们能否造成二极管的永久损坏？为什么？答：雪崩击穿是一种碰撞的击穿，齐纳击穿属于场效应的击穿，这两种击穿均属于电击穿类型。只要是电击穿，一般过程可逆，只要限制在一定的击穿范围通常3不会造成PN结的永久损坏。如果上述两种击穿不加任何限制而持续增强时，由于PN结上的热量积累就会造成热击穿，热击穿过程不可逆，可造成二极管的永久损坏。2、试述计数器的“自启动能力”？答：计数器启动后，可由任意状态转入自动循环体的能力称为“自启动能力”。3、

6、半导体和导体的导电机理有何不同？单极型和双极型晶体管的导电情况又有何不同？答：金属导体导电时，只有自由电子一种载流子参与导电，而半导体导电时，同时有空穴和自由电子两种载流子参与导电。单极型晶体管只有多子参与导电，双极型晶体管中多子和少子是同时参与导电的。4、组合逻辑电路和时序逻辑电路的主要区别是什么？同步时序逻辑电路和异步时序逻辑电路的区别是什么？答：组合电路的基本单元是门电路，其输出次态仅取决于输入现态，不具有记忆性，时序逻辑电路的基本单元是触发器，其输出次态不仅取决于输入现态，还与输出现态有关，即具有记忆性；同步时序逻辑电路各触发器受同一时钟脉冲的控制，异步时序逻辑电路中各触发器的时钟脉

7、冲控制端不同。5、若共射放大电路的输出波形同时出现上、下削波时，是否说明静态工作点设置的不合适？为什么？答：若电路输出波形同时出现上、下削波时，说明静态工作点设置的比较合适，只是输入的交流信号超出了小信号范围。五、计算与分析设计题（共28分）1、下图所示分压式偏置共射放大电路，已知UCC＝12V，RC＝2.4KΩ，RB1＝60KΩ，RB2＝20KΩ，RE＝1KΩ，β=50。求静态工作点IBQ、ICQ和UCEQ