硅薄膜微结构及悬挂键缺陷研究

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1、中南大学硕士学位论文硅薄膜微结构及悬挂键缺陷研究姓名：黄香平申请学位级别：硕士专业：物理学指导教师：闻立时;杜昊20100530中南大学硕十学位论文摘要作为目前最具有发展前景的硅基薄膜太阳电池，具有原材料取之不尽、用之不竭、分布广泛、绿色环保以及成本低廉等优点，因此得到广泛的研究与应用。硅薄膜的结构缺陷显著影响薄膜太阳能电池的性能。硅薄膜在制备过程中往往存在晶粒间界、微空洞、悬挂键等缺陷。X射线小角散射(SAXS)已经证实了薄膜中微空洞的存在，晶界缺陷可由TEM及HR．TEM观察到，而硅薄膜中最

2、通常的缺陷是悬挂键缺陷。悬挂键缺陷的存在对太阳电池性能的影响很大，极易成为电子和空穴的额外复合中心，使得电子的俘获截面增大、寿命下降z．影响电池性能的稳定性。悬挂键中的电子是未配对的，存在自旋，电子自旋共振技术(ESR)测得在蒸发和溅射法制备非晶硅中，自旋密度达到1020cm．3，表明悬挂键缺陷的浓度是相当高的。无掺杂的非晶硅中的悬挂键密度很高(10埔cm。3或更高)，电学性能很差，不能满足器件的应用要求。因此硅薄膜中悬挂键及相关缺陷的研究是十分必要的。本论文采用ECR．PECVD、ArF准分子

3、激光晶化、中频磁控溅射等方法制备硅薄膜，采用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、喇曼光谱(Raman)、傅里叶红外光谱(FTIR)、电子自旋共振波谱(ESR)等检测手段，对薄膜的相结构、结晶状态、氢含量及悬挂键密度进行观察分析。了解硅薄膜中结晶度，氢含量及悬挂键密度对硅薄膜的影响规律，以寻求稳定化处理方法和工艺。实验结果表明，利用ECR．PECVD方法在Si基片上沉积Si薄膜，当心流量为70seem时，薄膜的悬挂键密度达到最小值4．42x1016cm一，且此时的氢含量也接近10at．

4、％，结晶度约为50％。得出最佳Ar流量值为70seem。本实验参数条件下，斛激光表面处理的硅薄膜的悬挂键密度比未经过激光处理的悬挂键密度降低将近一个数量级。本实验参数下利用中频磁控溅射法在硅基片(100)及普通玻璃基片上制得硅薄膜，得出Si基片上制得的硅薄膜的悬挂键密度较普通玻璃上制得的硅薄膜的悬挂键密度低。关键词：傅里叶红外光谱，电子自旋共振波谱，氢含量，悬挂键密度，微结构中南大学硕士学位论文ABSTRACT曼罡曼曼!!曼曼皇曼曼曼皂曼曼蔓蔓曼曼曼曼皇曼曼曼毫皇曼鼍--_-_iT：==--=m

5、mm,in鼍曼曼曼ABSTRACTSi—basedthinfilmsolarcells，asthemostpromisingsolarcellsnow,havebeenintensivelystudiedandappliedinmanyfields，becauseoftheiradvantages，suchasabundantstorageofSiintheearth，environmentalfriendlycharacteristic，andlowmanufacturingcost．Thet

6、hinfilmhasbeenfoundtoconsistofstructuralinhomogeneitiesralatedtograinboundaries，micro—voidsanddanglingbonds，introducedduringthepreparedprocessoftheSifilms．Microstructuredefectssignificantlyaffectthepropertiesofsolarcells．Small—angleX．rayscattering(SA

7、XS)measurementshaverevealedthepresenceofmicro-voidsinthethinfilms；whilegrainboundarydefectsareinvestigatedbyTEMaswellasHR-TEM．However,themostimportantdefectsintheSifilmsaredanglingbonds．Thedanglingbonds，whichareadditionalcombinationcentersforelectron

8、sandholes，increasethecapturecrosssectionandreducelifeofelectrons，andconsequentlyaffectthestabilityofcellproperties．Therearespinsinthean—pairedelectronsindanglingbonds．Electronspinresonance(ESR)investigationshaverevealedaveryhighspindensity,upto1020cm