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时间:2019-02-28
《纳米掺杂agsnolt2gt电接触材料的计算与研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、中文摘要AgCdO电触头材料中含有有毒金属Cd,目前国家已禁止在家用电器和汽车上使用。AgSn02电触头作为一种新型无污染的替代材料,具有优良的抗电弧侵蚀性、耐磨损性和良好的抗熔焊性,在实际制造和使用过程中正在取代AgCdO材料,成为电触头材料的主力军。但是AgSn02材料存在接触电阻大,温升高,加工困难等缺点。其主要原因在于Sn02是一种宽禁带半导体,近乎绝缘,使得材料的电阻增大,导致温升高。因此改善Sn02的导电性成为一项急待解决的重要工作。研究表明,采用半导体掺杂理论对Sn02进行掺杂改性,是解决这个问题一个很好的方法。本文首先采用C嬲tep
2、软件分别对Bi、Cu、Ni、Co、Ti五种元素掺杂的Sn02体系进行第一性原理计算,结合半导体理论,通过分析掺杂体系几何优化结果及能带结构、电子态密度、差分电荷密度分布等计算结果,从理论上证明,几种掺杂元素都能在一定程度上提高Sn02的导电性,最佳掺杂比率(原子比)为5%和最佳掺杂元素为Bi,其他依次为Ti、Cu、Ni、Co。根据计算结果,采用溶胶.凝胶法分别制备了以上五种掺杂Sn02纳米粉末(掺杂原子比率均为5%),微观分析表明掺杂并没有改变Sn02晶体结构,掺杂元素进入Sn02晶格,粉体粒径达到10"--25nm,通过掺杂Sn02的导电性得到明
3、显改善。其中掺杂体系为Sn02一Bi的纳米粉,导电率提高了三个数量级,其他依次是Sn02.Cu、Sn02.Ti、Sn02-Ni、Sn02.Co,实验结果与理论计算结果基本吻合。在纳米掺杂粉末制备基础上,采用粉末冶金法制备了五种纳米掺杂的AgSn02电触头,对其密度、硬度、抗压强度和导电性能进行了测试,并与国标相比较。实验结果表明,实验制备的纳米电触头材料的导电性、硬度、和抗压强度都有明显的提高,各项性能均优于国家标准。关键词:AgSn02电接触材料纳米掺杂Sn02第一性原理ABSTRACTChinahasforbiddenusingAgCdOcon
4、tactmaterialonthehouseholdappliancesbecauseofthepoisonouselementCdwhichexistsinit.AndasthesubsitituteofAgCdOcontactmaterial,AgSn02contactmaterialhasmuchmorestrongpoints,forexample,excellentelecticarcresistant,standwearandtear,andwellfusionweldingresistantandSOon.Itisreplacingt
5、heAgCdOmaterialtobecomethemainforceinthecontactmaterial.Buttherearealsosomedefectsinit,forexample,largecontactresistance,hightemperaturerise,difficulttobemachined.ThemaincausationisthatSn02isakindofwidegapandalmostinsulatedsemiconductor,anditmakestheresistanceofcontactincrease
6、andthenmakesthetemperaturerisehigher.Sotheimprovementofthe血oxide’Selectricconductivityistooimpatienttowait.AndithasbeenprovedthatdopingwasaneffectivemethodtOtheproblems.Firstofall,weCalTyoutthefirstprinciplecalculationtotheBi,Cu,Ni,Co,andTidopingSn02respectively.Thencombinethe
7、semiconductortheorytomaketheimportantconclusionabstractlybyanalyzingthegeometricoptimizationresultandthebandstructure,densityofstate,electrondensitydifferenceofthedopingsystem.TheconclusionisthatallofthesedopingelementscallimprovethespecificconductanceofSn02.andthebestdopingra
8、tiois5%andthebestdopingelementisBi,theothersareTi,Cu,Ni,Coint
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