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时间:2019-02-28
《纳米zno多孔薄膜的湿化学法制备研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、中文摘要ZnO是n一型宽禁带半导体材料,由于其具有高的光吸收和良好的电子输运性能,近年来被用作纳米晶太阳能电池的光阳极材料。这种电极要求薄膜具有多孔结构和较大的表面积,因此选择合适的Zn0薄膜制备方法是制备高性能纳米晶多孔膜的关键。课题采用无机盐络合溶胶凝胶法、电化学沉积法以及PEG辅助的溶胶凝胶法制备了多孔ZnO薄膜。研究了制备过程对薄膜显微结构和性能的影响,并对多孔的形成机理进行了初步探索。采用无机盐络合溶胶凝胶法制备研究表明:柠檬酸与zn2+可形成稳定的络合羧酸盐,制得的ZnO薄膜呈多孔状,孔径分布主要在2.02~4.97nm范围。薄膜的BET比表面积是27.6m2/g。
2、在可见光范围内光透射率超过90%,光学带隙宽度为3.25eV。SDS参与的电沉积研究得出,Zn”浓度为0.02M,SDS含量为5wt%,沉积电压为.1.Ov时得到的ZnO薄膜表面由层状晶组成,且相互搭结形成多孔状。SD$吸附在电极表面与带正电的zn”形成表面活性剂一无机聚集体导致薄膜多孔的形成。在可见光范围内,薄膜的光透过率在75%以上,光学带隙宽度为3.6eV。在CTAB参与的电沉积中,由1wt%CTAB的0.02MZn(N03)2电解液,沉积电压一1.Ov时得到的薄膜为卷曲的薄片状Zn0组成,表面呈多孔结构。多孔形貌与c,ItAB在电极表面的吸附作用相关。在可见光范围内,薄
3、膜的光透过率随波长的减少而降低,且沉积电压越大,光透射率越小。由PEG辅助的溶胶凝胶法制各的Zn0薄膜呈多孔状,溶胶粒子与PEG形成PEG.O.Zn结合体。溶胶70℃水浴处理有利于大孔结构的形成,孔径在200-400nm,大孔的形成是体系分相形成的。未水浴处理的溶胶薄膜也呈多孔结构,孔径大约在40—100nm,此时PEG起到了连接颗粒和包裹颗粒的作用。关键词:多孔ZnO薄膜无机盐络合溶胶凝胶法电沉积表面活性刘辅助ABSTRACTZnOisn-typewideband—gapsemiconductormaterials.Becauseofitshighabsorptionforl
4、ightandgoodelectrontransportation,ZnOisusedasphoto-electrodesofnanocrystallinesolarcellwhichshouldhaveporousstmctI=treandlargersurfacearea+Thekeythatsynthesizesgoodproperty,nanocrstallineandporousZnOfilmsisthepreparingmethod.PorousZnOfilmsweresynthesizedrespectivelybyusinginorganicchelatings
5、ol·gelmethod,electrochemicaldepositionandPEG—assistedsol-gelmethod.TheeffectsofprocessingconditionsonthemicrostructureandpropertiesoftheZnOfilmswerestudiedandtheporeformingmechanismofeachmethodwasdiscussedfundamentally.ThestablechelatecomplexofcitricacidandZn2+wassynthesizedbyinorganicchelat
6、ingsol—gelmethod.ThesurfaceofZnOfilmswas]30rousandtheporedistributionwasmainlyintherangeof2.02~4.97nm.ThesurfaceareaoftheZnOfilmWas27.6m2/g.ThetransmittanceWasabove90%invisibleregionandthebandgapwas3.25eV.TheZnOfilmdepositedfrom0.02MaqueoussolutionofZn(N03)2·6H20mixedwith5wt%SDSwascomposedof
7、lamellarcrystallineandporousstructure,whichindicatedthattheanionicheadgroupsofSDScooperativelyinteractwithZn2+underOurdepositionconditionontheelectrode.Thetransmittancewasabove75%invisibleregionandthebandgapwas3.6eV.TheZnOfilmdepositedfromO.02Maque
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