春石斛栽培技术大全

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1、春石斛栽培技术大全一、春石斛繁殖技术二、春石斛的栽培技术三、春石斛的催花处理四、春石斛花期花后管理技术一、春石斛繁殖技术一．繁殖方法1．1扦插繁殖扦插繁殖一般在花后2月中下旬至3月下旬进行。扦插材料一般选择上年来出花、生长充实、饱满的黄色假鳞茎，去掉叶片后扦插。假鳞茎瘪则芽不会分化或者分化需要的时间长，同时生长速度慢。方法：将茎段每l～2节切成一个插穗，2／3埋入水苔中。扦插于50孔或72孔穴盘中；也可将茎条切成一节扦插于相同的长方形筐中。扦插后，放置在湿度较高的半阴处。扦插成活率可达80％。初步试验表明，扦插基质用椰糠或水苔效果较好．也可使用较细

2、的树皮。温室中花期过后即可利用茎段来进行扦插。时间应当尽可能早，这样利于在当年生长季结束前，插穗形成植株后有充分的生长的时间(一般可形成一个高10crfl以上的假鳞茎)，从而为来年的新芽的生长奠定基础。1．2高芽繁殖茎叶腋的高芽和基部小苗也可作为繁殖材料。当高芽长出3～4枚叶，根群4～5cm，此时兰株约在6～10cm左右时，是最合适的繁殖时期。此时，将高芽从母株茎上切离，或将高芽连同母株的1～2节茎一并切下。之后晾干剪口1～2d。晾晒时间不宜太长。否则就会导致苗茎失水，出现收缩。水苔要泡好、拧干，然后就可以进行上盆。一般用盆径9CiYt营养钵栽种。

3、底部最好垫放少量泡沫增加排水透气性，幼苗期基质常选用苔藓。以容器的1，5倍苔藓包襄幼苗可保证松紧适宜。上盆时注意将根系分开包襄，以利根系生长，栽好前两周放在半阴处，温度保持18℃，遮光2O％～4O％。上盆一个月后，每周施用1次液体肥料，6月份浇水可增加为每周3～4次。约1～2年后即可开花。1．3分株繁殖分株方法繁殖的春石斛生长较为缓慢，且易伤根，一般在植株过大、花盆内空间过小以及家庭栽培时采用，且与换盆结合进行。一般用水苔栽培2年以上的盆株根系过满，应及时换盆。否则植株可能会因烂根而生长不良，影响开花。分株繁殖一般在3～4月进行。将植株从花盆起出，

4、将旧的水苔清理干净，用经消毒的刀切下，每3根假鳞茎组合一盆假鳞茎数量轻．少或根已长满无法打开时，可直接移到大一号花盆内。另外少量繁殖可采用茎段压条法：在长方形筐中铺上2～3CH1水草，将假鳞茎切下平铺上面，发芽长根后将苜株切下，每株发4～5个芽苜。1．4组织培养快速繁殖-9-用组织培养法获得春石斛再生植株的途径主要有两个：第一，将成熟的果实消毒后进行无菌播种，产生种苗或形成原球茎并增殖，进而分化发育成完整植株。主要在春石斛的杂交育种时采用。第二，诱导适宜的外植体(叶尖、茎段、芽等)形成原球茎或丛生芽来实现快速繁殖。规模化栽培繁殖时采用此种方法。我们

5、经过多年研究，已成功地建立春石斛的以上两个途径的快繁体系。具体步骤如下：1．4．1无菌播种快繁剪取即将成熟但是尚未开裂的果实，常规灭菌后剖开果英，将粉尘状种子接种于培养基。注意果柄不可剪留过短，否则灭菌时液体会渗入果荚，造成接种固难。在N6基本培养基(不含任何生长调节物质)上接种的种子一个月后就可萌芽，6个月左右即可长成3～5cm带气生根的小苗出瓶移栽。1．4．2茎段培养快繁剪取春石斛带有一个茎节的幼嫩切段，每段长约1cI1]，常规灭菌后接种诱导培养基MSBAO．5—3．O+NAA0．1一O．5，蔗糖3％，水晶洋菜O．21％，培养温度24±2℃，目

6、光灯光源光照14h／d，光照500～2000Lx。试验结果表明，生长调节物质的最佳组合为6一BA2O+NAA0．1。春石斛茎节处的潜伏芽在适宜的培养基上极易萌发成带新叶的幼芽。接种20d后，萌发率可接近5O％。接种培养40d后潜伏芽萌动率可迭100％。当新芽长至lcm左右时，将诱导出的幼芽从茎节上切下，并将其转入成分相同的新鲜培养基诱导丛生芽。其他培养条件同上。每30d继代一次将以上诱导的幼芽转接到MS+NAA0．05的生根培养基，30d可分化生根。二．生根苗上盆技术2．1扦插苗、高芽繁殖苗上盆技术育苗生根后应及时上盆。上盆的关键之一是注意选用较小

7、花盆。花盆过大会加重根的负担。大花盆中心部分基质难干，易引起烂根。首先在花盆底部垫上1／4左右的泡沫，根干时，把根部稍湿一下。只剪除腐烂或受伤的根系，留下长根螺旋状盘干花盆内侧。根与根间填妥水苔、椰丝后放入盆中，并使根靠近花盆均匀分布。栽种时将新芽靠近花盆外侧，有新芽方向应留出一定空间(至花盆边缘)。基质不宜过紧，否则新根伸展困难。栽种时必须注意勿深埋，仅将根部埋入栽培基质中，根茎部须露在基质外，防止新芽埋入基质。小苗根少不稳定，易弯倒，容易深栽。可立3mm粗包塑铁丝保护。春石斛苗上盆后，暂时放在弱光处，前7～l5d严禁浇水，促进伤口愈合。这是移栽

8、的又一关键环节，仅在叶面少量喷水即可。1O～15日后，根部可长出新根，此时可增加光照，浇水逐渐恢复。基质控制得稍干，待根恢