铁电薄膜电畴及其性能的扫描力显微镜研究

铁电薄膜电畴及其性能的扫描力显微镜研究

ID:33364843

大小:2.34 MB

页数:69页

时间:2019-02-25

铁电薄膜电畴及其性能的扫描力显微镜研究_第1页
铁电薄膜电畴及其性能的扫描力显微镜研究_第2页
铁电薄膜电畴及其性能的扫描力显微镜研究_第3页
铁电薄膜电畴及其性能的扫描力显微镜研究_第4页
铁电薄膜电畴及其性能的扫描力显微镜研究_第5页
资源描述:

《铁电薄膜电畴及其性能的扫描力显微镜研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库

1、电子科技大学硕士论文摘要扫描力显微镜(ScanningForceMicroscopy,SFM)已经发展成为研究铁电薄膜材料电畴结构、电畴特性及其电性能的关键工具和方法。在众多的SFM模式中又以压电响应模式(PiezoresponseForceMicroscopy,PFM)为最主要的研究手段。铁电薄膜电畴成像是利用PFM研究铁电薄膜电性能的首要条件。作为一种具有纳米级分辨率的表面分析手段,PFM电畴图像的解读是继续对铁电薄膜其他性能进行研究的关键。研究从PFM电畴成像入手,讨论了样品表面“状况”,样品结构及SFM针尖状态等成像和分辨率的主要

2、影响因素。在特定条件下,这些因素会将假象引入电畴图像中,对图像的解读造成困难。铁电材料的疲劳特性是影响依赖可反转极化工作的电子器件性能的关键,例如非易失性铁电存储器。研究中,用PFM反转薄膜电畴.以研究铁电薄膜的疲劳性能。利用PFM对应用最广泛的PbZr,Tih03(PZT)铁电薄膜材料的电畴微结构和疲劳特性之间的关系进行研究。用新方法研究PZT疲劳特性,首次在实现样品极化疲劳宏观性能观测的同时完成了原位电畴微结构变化及微观疲劳特性的PFM观测。研究发现晶粒与晶粒之间及畴与畴之间的钉扎效应是导致PZT疲劳的主要原因。铁电畴的反转分为电畴的

3、形成和发展两个阶段。PFM可对这两个阶段做精确的实时观测。Bi层类钙钛矿材料是近几年研究较多的抗疲劳铁电材料。一些研究者提出Bi层类钙钛矿材料的抗疲劳特性是由于此种材料中不存在900电畴反转及存在较小的钉扎效应。用PFM对La”掺杂SBT铁电薄膜电畴微结构及其反转特性研究发现抗疲劳特性好的Bi层含氧八面体铁电材料仍然存在部分钉扎畴结构,并且除有1800电畴反转外在特殊区域还存在900电畴反转。SFM除可以研究与极化相关的电畴结构及性能以外,还可以用于薄膜压电系数的测量及表面能的研究。虽然SFM对铁电体压电系数的测量还不是十分精确,但它为我

4、们提供了一种检测薄膜表面亚微米尺度区域内压电性能的方法。研究了用SFM力曲线测量铁电薄膜表面能的方法,发现薄膜表面凝结的水膜和堆积的静电荷是干扰表面能测量电子科技大学硕士论文的主要因素。排除这些因素后,铁电薄膜内部应力是造成不同区域表面能不同的主要原因。关键词:铁电体,SFM,表面,电畴,薄膜1】电子科技大学硕士论文AbstractScanningforcemicroscopy(SFM)hasbeenbecomingthekeytoolandapproachtotheinvestingationsofferroelectricthinfi

5、lm’Sdomainstructuresandcharacteristics.SFMconsistsofmanykindsofmodeswhichhavebeenusedinthevariousmaterialresearches.Amongthesemodes,piezoresponseforcemicroscopyisthedominatingmethodtothestudyofferroelectricthinfilms.Itcanmapdomainstructuresofferroelectricthinfilmswithhigh

6、revolution.Inthiswork,wediscussedthefactorswhichcausethefactitioussignalsindomainmaps.TheseartifactscanbeinducedbythestateofSFMtipandtheformationofthesamplesurface,whichresultsinthemisreadingofthedomainmaps.Ferroelectricfatigueismuchfatalfortheelectricapparatusbasedonthes

7、witchablepolarization,suchasnon-volatilerandomaccessmemoriesrNVFRAM).PFMwasutilizedtoinvestigatefatigueeffectinferroeleetricthinfilms.WeobservedtheevolutionofPbZrxTi,.x03(PZT)thinfilmdomainstructuresintheprocessoffatiguewithPFM.Itmaybeconcludedthatthefatigueismainlyresult

8、edfromthedomainwallpinning.PFMalsowasusedtOswitchthedomainstructures.Aftermappingdomainswitching

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。