用脉冲激光沉积法在硅衬底上生长irolt2gt薄膜的研究

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1、武汉理工大学硕士学位论文摘要lr02薄膜因具有良好的抗氧化性能、很强的催化活性以及很好的抗腐蚀性等，可广泛应用于电极材料、微电子、固态燃料电池和气敏元件等许多领域。论文基于脉冲激光沉积(PLD)技术，在si(如o)衬底上制备了It02薄膜。重点研究了氧分压、衬底温度、激光输出能量、靶间距等PLD工艺参数和后续退火对其结构和性能的影响，以得到高质量的lr02薄膜。结果表明：各种工艺参数对于薄膜的物相和结构影响很大，较低的氧分压得不到纯的多晶Ir02薄膜，而衬底温度、激光能量、衬底和靶之间的距离、退火温度影响薄膜的取向和微观形貌。通

2、过对Ir02薄膜生长条件的探索，找到了生长高质量1r02薄膜的优化条件：氧分压20Pa，衬底温度500。C，激光能量14(hnJ，衬底和靶的距离50mm，退火温度700～750"C。XRD、SEM和AFM等测试分析表明：在此条件下沉积的Ir02薄膜沿001)取向生长，厚度均匀，界面清晰，与硅衬底表面结合良好，其表面粗糙度为3．9nm。利用四探针测试技术测得b02薄膜的室温电阻率达到37±1．跏O-12111，已极接近块体单晶Ir02薄膜的电阻率，适于作电极材料。关键词：脉冲激光沉积(PLD)；lr02薄膜；电阻率斌锻理工大学硕士

3、攀缸论文Abstractl醴thinfilms封edepositedbypulsedlaserdeposition佃LD)Oilsilicon(100)'substrate鲰thispaper．Byiwcestigatlngtheeffectsofdeposithmparatlleterssuch．∞the02pressureothesubstratetemperature，thelaseroutputenergy,thedistanceofthesubstrateto氇。targetmadtheannealingtcmpemP

4、arc∞thes姆uclLtreandtheperformance耐k02thinfilms。highqualityhavebeenobtained．Theresultshowsthat：alldepositionparametershavegrcmleffeCt雠theorientationandthestr#ctmeofthe赫ms．Low02pressurewillresultinimpurepolycrystadlineIre2thinfilms,AndthesnbsLtatctempemtttre,棰eiase*onl

5、ptitenergy,thedistanceofthesttbstratetothetargetandtheannealingtemperaturewillinfluencetheorientationandthemorphologyofthefilms。珊exploringthegrowingconditionsnftheIt02thinfilms,optilmmlparametershaV。beenidentified：02p㈣ur。20Pa，aubstratetemperature500℃，I魂sefoutput《nerg

6、y140mJ，distanceofthesubstratetothetarget50ram，annealingtemperature7(Kw750℃．Thefilms螂analyzedwith)(RlXSEMandAFMw赫c盘showthatthefirmdeposited至珏嘟矗nⅡm群哦Ime拖姆growswithapmmiEant嵇00orientation}tmiformthickness，clearinttafface,goodadherencetothesubstrateand3．9mesurfacerou曲hes

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8、；。协ebulksiIIDecrystMlr02thinfilm．It∞nbeusedaselectrodematerial。Keyword：pulsedlaserdeposition妒LD嚣IrOzthinfilms；electricalreedstivityⅡ武汉埋工大学硕士学位论文1．1弓

9、言第一鼙绪论近几霉，王f嘞薄膜越寒越受到人们的

10、重视。h02薄貘具青嶷好的抗氧化性蘸、高的魄导率、粳强的灌纯活性戳殴很好嬲杭腐蚀镌镰。这魑性能使得耵02薄膜可广泛应用于电极材料、微电子、固态燃料电池和气敏元件等许多领域i“】。舀翳怼矗氇薄貘携讶究趁势较旱，其中鞋姜鞫、饿罗新、叠率麴研究娃子领先水平。在我国h魄