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1、------------------------------------------------------------------------------------------------脉冲激光沉积生长单相的Nd_1_85_Ce_省略_5_CuO_4薄膜及其激光感生第15卷第2期2009年4月功能材料与器件学报JOURNALOFFUNCTIONALMATERIALSANDDEVICESVol115,No12Apr.,2009文章编号:1007-4252(2009)02-0113-07脉冲激光沉积生长单相的Nd1.
2、85Ce0.15CuO4薄膜及其激光感生热电电压效应熊飞,张辉,张鹏翔,蒋最敏1,2112(1.昆明理工大学光电子新材料研究所,昆明650051;2.复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433)摘要:采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在SrTiO3单晶衬底表面外延生长单相的Nd1.85Ce0.15CuO4(NCCO)薄膜,并首次在斜切衬底上生长的NCCO薄膜中探测到激光感生热电电压(LITV)信号。实验研究表明,在低沉积温度、高沉积氧压和较大的激光脉冲重复频率下生长的NCCO薄膜中存在Nd1-xCexO1.75
3、(NCO)杂相,是由于衬底表面吸附粒子扩散迁移困难所致;而高温下真空退火导致杂相的产生,则与NCCO的结构相变引起的热分解有关。通过提高沉积温度、降低沉积氧压和激光脉冲重复频率、并采用低温(T[800e)真空退火的方式,可以抑制杂相的形成。制备得到的单相的NCCO外延薄膜是一种新型的原子层热电堆材料,能量为1mJ的紫外脉冲激光的辐照,可以在倾斜的NCCO薄膜中诱——————————————————————————————————————------------------------------------------
4、------------------------------------------------------导产生0.8V的LITV信号。关键词:Nd1.85Ce0.15CuO4薄膜;激光感生热电电压效应;脉冲激光沉积;X射线衍射中图分类号:TM262;O484.1;O484.4文献标识码:A+Preparationofsingle-phaseNd1.85Ce0.15CuO4thinfilmsbypulselaserdepositionandthelaser-inducedthermoelectricvoltageef
5、fectXIONGFei,ZHANGHui,ZHANGPeng-xiang,JIANGZu-imin1,2112(InstituteofAdvancedMaterialsforPhoto-electronics,KunmingUniversityofScienceandTechnology,Kunming650051,China;2.SurfacePhysicsLaboratory,NationalKeyLaboratory,FudanUniversity,Shanghai200433,China)Abstract:T
6、hesingle-phaseNd1.85Ce0.15CuO4(NCCO)thinfilmsweredepositedepitaxiallyonSrTiO3sub-stratebypulselaserdeposition(PLD).Andforthefirsttime,thelaser-inducedthermoelectricvoltage(LITV)signalsweredetectedintheNCCOthinfilmsgrownonthevicinalcutsubstrate.TheNd1-xCexO1.75(N
7、CO)impuritieswerealwaysobservedintheNCCOfilmspreparedundertheconditionoflowdepositiontemperatureaswellashighoxygenpressureandlaserpulsefrequency.Thedifficultmobilityoftheab-——————————————————————————————————————---------------------------------------------------
8、---------------------------------------------sorbedparticlesonthesubstratesurfacecontributedtotheexistenceofNCO,andtheannealingprocessathightemperaturewasalsoplayanim
