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时间:2019-02-15
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1、脉冲激光法制各ZnO薄膜及其光学性质的研究摘要ZnO是一种宽带隙的半导体材料,具有六方纤锌矿结构,室温下它的能隙宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,可实现室温下的紫外受激发射,在表面声波器件、紫外光探测器、压敏器件和紫外激光器件等领域具有广阔的应用前景。ZnO薄膜具有良好的透明导电性、压电性、光电性、气敏性、压敏性、且易于与多种半导体材料实现集成化。本文通过采用一种先进的薄膜制备方法一脉冲激光沉积在si(100)上制备了ZnO薄膜,研究了制备参数(如衬底温度、氧压、激光脉冲能量等)对样品相关性质的影响。通过x射线衍射(XRD)灏J试分析了样品的结构特性,结果表明所有样品均有C.轴
2、取向的生长特性,随着衬底温度和氧压的升高,ZnO(002)峰的半高宽减小,薄膜的质量有所提高。利用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)对样品表面形貌进行表征,结果表明所有样品均垂直于衬底生长,且大部分表面晶粒尺寸均匀,在衬底温度为600℃时,薄膜出现了向ZnO纳米棒阵列转化的趋势。通过对样品的光致发光(PL)特性测试分析可知,所有样品均出现较强的紫外发射和可见光(深能级)发射,而Mg掺杂的ZnO薄膜的PL谱测试却只出现了较强的紫外发射,深能级发射很弱,说明适量有效的掺杂能减少ZnO薄膜中的缺陷。通过对样品的椭圆偏振光谱测试分析可知,随着衬底温度的升高,样品的折射率和消光系数均随
3、波长增长呈递减趋势,且在波长为500nm后递减的幅度变小。关键词:氧化锌;脉冲激光沉积;X射线衍射;原子力显微镜;扫描电子显微镜;光致发光;椭圆偏振光谱仪PreparationandOpticalPropertiesofZnOFilmsGrownbyPulsedLaserDepositionAbstractZincOxide(ZnO)isasemiconductorwithawidedirectbandgapof3.37eVatroomtemperatureandhighexeitonbindingenergyof60meV.ZnOfilmshavemanyrealizedandpoten
4、tialapplicationssuchassurfaceacousticwavedevices,ultravioletphotodetectors,piezoelectricdevices,varistors,etc.ZnOthinfilmshaveexcellenttransparentconductivity,piezoelectricity,photoelectricity,gassensitivityandpresssensitivity.Inmythesis,alladvancedfilmpreparationtechniquewasusedfortheZnOthinfilmp
5、reparationontheSi(100)substrates,thepreparationparameterseffectonthefilmswasalSOdiscussed.ThecrystallinityofthefilmsWasanalyzedbytheXrayDiffraction.111espeetmmshowthatallthefilmshavetheC-axisorientandthe(002)peakSFHWMdecreasesasthesubstmtetemperatureandthe02pressureriseThesurfacetopographyofthefil
6、mswereobservedbyAFMandSEM,fromtheimages,itCanbefoundthatallthefilmsgrewperpendiculartothesubstrates,anddimensionofthesurfacegraindistributesuniformly.Thefilmgrownatsubstratetemperature600℃showthetrendoftransformingintoznOnanorodarray.n坨roomtemperaturephotoluminescencespectraoftheZnOsamplesshowastr
7、ongUVemissionaswellasadeepenergylevelemission.ButtheMgdopedZnOfilmsshowintenseUVemission.ThefeebledeepenergylevelemissiontellsUStheZnOfilmsdopedmoderatelyhavelessdefects.Fromthemeasuredresultofspectroscopicellips
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