hdi电路板绝缘层树脂光分解性研究

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1、东华大学硕士学位论文学校代码：10255学号：2120545HDI电路板绝缘层树脂光分解性研究STUDYoNPHoTO．DECOMPOSITl0NPRoPER，rYoFINSULATINGLAYERRESININHDIPRINTEDCIRCUITBOARDS姓名：薛明洋申请学位级别：工程硕士专业：化学工程校内导师：林苗校外导师：卢耀普答辩日期：2014年5月27日东华大学学位论文原创性声明删本人郑重声明：我恪守学术道德，崇尚严谨学风。所呈交的学位论文，是本人在导师的指导下，独立进行研究工作所取得的成果。除文中己明确注明和引用的内容外，本论文不包含任何

2、其他个人或集体己经发表或撰写过的作品及成果的内容。论文为本人亲自撰写，我对所写的内容负责，并完全意识到本声明的法律结果由本人承担。学位论文作者签名：截日期：。口r毕年，月1／]日东华大学学位论文版权使用授权书学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，同意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅或借阅。本人授权东华大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。保密口，在——年解密后适用本版权书。本学位论文属于J不保密酬指导教师签名：日期：功I

3、V年s月叼目t毛叮●、、～，哕存佃氰胡斟岁者年作t文川论n位期学日象季天学HDl电路板绝缘层树脂光分解性研究HDI电路板绝缘层树脂光分解性研究摘要为满足电子产品向更小、更薄、更轻、町靠性更高方向发展的需求，高密度互连印制电路板自20世纪90年代开发以来得到迅猛发展，由于它在常规的电路板中引入盲、埋孔，可以制造出薄型、多层、稳定、高密度互连印制电路板，因而代表着当前印制电路板的发展方向。高密度互连印制电路板通常采用积层法制造，即以双层或四层板为基础的核心基板的外层逐次增加绝缘层及导电层，最终实现多层结构的功能。内层的电路依靠普通微孔和电镀通孔进行连接，

4、而微孔的制作一直是高密度互连印制电路板的核心的问题之一。通常，微孔的制作方法包括：激光钻孔、光致蚀孔和等离子体蚀孔法。目前90％以上的电路板的微盲孔都是采用C02激光钻孑L的方式实现的，即用化学蚀刻的方法开窗口，树脂吸收C02激光的红外波长产生热量烧蚀而被除去，从而形成微孔。它精确度高，工艺稳定，技术成熟，是目前盲、埋孔制作的最常用的方式，但激光钻孑L存在设备投资大，效率低等缺点。在本研究中采用一种不仅能光致成像，而且能成为永久绝缘材料的聚合物来形成电路板的内层。本文主要分为二个部分：(1)以2一重氮．1．萘醌一5一磺酰氯(以下简称为2，1，5．磺酰

5、氯)和预涂感光版(即PS版)用酚醛树脂为原料进行复配，探索了其配方、曝光及显影方法。通过探讨固含量、感光剂与树脂比例、曝光时间等影响因素，得出的优化条件为：固含量为20％、感光剂与酚醛树脂比例为l：3、曝光时间为8min。(2)以E一44环氧树脂为原料与2，l，5．磺酰氯酯化反应合成带有感光基团的环氧树脂，并用红外光谱表征其结构。选用不同类型的固化剂，与合成的目标产物均匀混合后涂覆在覆铜板基材上固化得树脂薄膜，并用紫外曝光机选择性曝光，最后利用碱水显影选择性除去曝光区树脂。将固化后所得到的树脂薄膜进行厚度测试，并对固化后的产物进行热分析。通过探讨溶剂

6、、温度、时问和反应物撼曼I{Dl电路板耋色缘层树脂光分解性#研rR-究∞㈣tT¨l、1日j毙‘，韧2砧伢叵艄H=*々}'眸f年≈d配料比对产率的影响，得出合成改性环氧树脂的优化条件为：溶剂为1，2一二氯乙烷，反应温度为50℃，反应时间为5h，E一44环氧树脂：2，1，5一磺酰氯：三乙胺=1：2．2：2．6(mol／m01)。通过探讨不同同化剂、曝光强度和显影条件对树脂的显影效果，所得的优化条件为：固化剂为2123型酚醛树脂、固化剂的量为5％、曝光能量为400mJ／cm2、显影条件为2％NaOH混合液(去离子水：乙醇：丙酮=9：0．5：0．5)。测得树

7、脂薄膜的平均厚度为8=15．61am，分解温度约为226℃。关键词：改性环氧树脂，固化剂，曝光，显影季季天学HDI电路板绝缘层树脂光分解性研究STUDYoNPHoTo—DECOMPoSITIoNPRoPERTYoFINSULATINGLAYERRESININHDIPRINTEDCIRCUITBoARDSABSTRACTInorder．tosatisfytherequirementsoftheelectronicproductstothedevelopmentofsmaller，thinner,lighter,higherreliabilitydire

8、ction，highdensityinterconnectprintedcircuitboardshaveb