实验十 半导体磁阻效应

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2、蒇薈羇膄膇螃羃膃荿蚆衿膂蒁袂螄膁薄蚄肃膁芃蒇罿膀莆蚃袅艿蒈蒆螁芈膇蚁蚇芇芀蒄肆芆蒂蝿羂芅薄薂袈芅芄螈螄芄莆薀肂芃葿螆羈莂薁蕿袄莁芁螄螀羈蒃薇螆羇薅袂肅羆芅蚅羁羅莇袁袇羄蒀蚄螃羃薂蒆肁肃节蚂羇肂莄蒅袃肁薆蚀衿肀芆薃螅聿莈螈肄肈蒀薁羀肇薃螇袆肇节薀螂膆莅螅蚈膅蒇薈羇膄膇螃羃膃荿蚆衿膂蒁袂螄膁薄蚄肃膁芃蒇罿实验十半导体磁阻效应材料的电阻会因为外加磁场而增加或减少，则称电阻的变化称为磁阻（MR）。磁阻效应是1857年由英国物理学家威廉·汤姆森发现的，它在金属里可以忽略，在半导体中则可能由小到中等。从一般磁阻开始，磁阻发展经历了巨磁阻（GM

3、R）、庞磁阻（CMR）、穿隧磁阻（TMR）、直冲磁阻（BMR）和异常磁阻（EMR）。磁阻器件由于灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等领域得到广泛应用，如数字式罗盘、交通车辆检测、导航系统、伪钞检别、位置测量等。2007年诺贝尔物理学奖授予来自法国国家科学研究中心的物理学家阿尔伯特·福特和来自德国尤利希研究中心的物理学家彼得·格林德，以表彰他们发现巨磁电阻效应的贡献。【实验目的】1．了解用霍尔效应法测量磁感应强度；2．研究锑化铟的电阻随磁感应强度变化的关系；3．掌握用最小二乘法归纳经验公式；4．了解磁

4、阻元件的交流倍频特性。【实验仪器】MR-1磁阻效应实验装置、SXG-1B毫特斯拉仪、VAA-1电压测量双路恒流电源、数字存储示波器、CA1640-02信号发生器等。【实验原理】1.磁阻效应许多金属、合金及金属化合物材料处于磁场中时，传导电子受到强烈磁散射作用，使材料的电阻显著增大，称这种现象为磁阻效应。通常以电阻率的相对改变量来表示磁阻，即（5.10.1）式中，和分别为有磁场和无磁场时的电阻率。磁场与外电场垂直时所产生的磁阻称为横向磁阻，磁场平行于外电场时所产生的磁阻称为纵向磁阻。由于横向磁阻效应比纵向磁阻效应更明显，本实验仅讨论

5、前者。图5.10.1磁阻效应原理材料电阻的变化，可以是材料电学性质的改变引起的，或是材料几何尺寸引起的。因此，可以分为两类。（1）物理磁阻效应：如图5.10.1所示的长方形n型半导体薄片，并施加直流恒定电流，当放置于图示方向的磁场B中，半导体内的载流子将受到洛仑兹力的作用而发生偏转，在a、b端产生电荷积聚，因而产生霍尔电场。如果霍尔电场作用和某一速度的载流子的洛仑兹力作用刚好抵消，那么小于或等于该速度的载流子将发生偏转，因而沿外加电场方向运动的载流子数目将减少，使该方向的电阻增大，表现横向磁阻效应。如果将a、b端短接，霍尔电场将不

6、存在，所有电子将向b端偏转，使电阻变得更大，因而磁阻效应加强。因此，霍尔效应比较明显的样品，磁阻效应就小；霍尔效应比较小的，磁阻效应就大。（2）几何磁阻效应：磁阻效应也与样品的形状有关，不同几何形状的样品，在同样大小的磁场作用下，其电阻变化不同，此现象称为几何磁阻效应。在实际测量中，常用磁阻器件的磁电阻相对改变量来研究磁阻效应，由于，，则（5.10.2）其中，是磁场为B时的磁电阻，为零磁场时的磁电阻。理论和实验都证明，在弱磁场中时ΔR/R正比于磁感应强度B的平方，而在强磁场中时与B呈线性关系。2.倍频特性图5.10.2倍频特性的李

7、萨如图形如果半导体磁阻传感器处于角频率为ω的弱正弦波交流磁场中，由于磁阻相对变化量ΔR/R(0)正比于B2，则磁阻传感器的电阻值将随角频率2ω作周期性变化，即在弱正弦波交流磁场中，磁阻传感器具有交流电倍频性能。若外界交流磁场的磁感应强度B为：（5.10.3）式中，B0为磁感应强度的振幅，ω为角频率，t为时间。设在弱磁场中有：（5.10.4）式中，K为常量。由（5.5.3）式和（5.5.4）式可得（5.10.5）式中，为电阻值常量，而为以角频率2ω作余弦变化的电阻值。因此，磁阻传感器的电阻值在弱正弦波交流磁场中，将产生倍频交流电阻阻

8、值变化。【实验装置】实验装置和接线如图5.10.3所示。图5.10.3MR-1磁阻效应仪结构及其连线边线【实验内容与步骤】1．测量励磁电流IM与B的关系（1）按图5.10.3进行连线，调节砷化镓（GaAs）霍尔传感器位置使其在电磁铁气隙最外（受残磁