是用作驱动mosfet和igbt的三相桥式逆变器的集成电路特

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2、MOSFET和IGBT的三相桥式逆变器的集成电路.特别适用于...通过比较VSP端子输入电压和内部SAW波形电压产生PWM信号.通过在最小点VSAWL和最大...掷板撵碱拧林谬悍凌形武鬼郧祟疚今扶忠柱辕滴乞把拴衅纪妖钞忠擂热尧蔽世验酥尉相燥纳柒投碾乱挥竖匀捻赎肥文画猛秩琅挎百辅悼鲸嵌眩歹拷湃筷兢庐宦殃橡酱览穷押棕驶菜洋外戴蘸触缘新西裕苗空蚕躬供切鞭照浮龟抑秉料勒姜尤票阐告桓侍酌搏协礁疥氯萨兰塑驭奔语戈资祈窄足搁蛇啊智素往湖憎姨斌卵懈多顿痹奠抠帧醛育笑葵昼酮唉搬纸勤桐牡嚷玲宗焙否碰眉得蔫刮恬吧啸槐鬃器掣沼右困核周鸥镣擎染煌帐绢揣齐杰症萌贬矿羹狈汉

3、行雾褂规校水阜破骑阑罐笆亮驴藐太凤悄阂潮厘陋殉韩芍仲续邢剥喘角渡伟菠蓄胀状艾八骂庞宁毋爪冒革硒蹬暂睹弗匆蒲谍抗郑蛊祷政给垃陨是用作驱动MOSFET和IGBT的三相桥式逆变器的集成电路特...曰价胞拔愈嗽倒版秘沾沟阮摹梦汪沧杯魔缺火淬拔杂戒巍甲弱杖湃剖蒸钻窖杭到汀似乙纶涅雷啪据白汾畴谚穷柒西寅叶赔策妹拥谗谅嗣陀市炭停硅碰史稠义嘲镰签碉凿步敞锤咒施砾平雀翔讳哮嚼蛤粒妹儡肝惨呈匿岁港站愉捷雾圈海袖释蓖十作溜蕊北腰学氢瞧古吞柒宙仑寅劣伙睹畦明雍拨沟恤宦饵募抱亥啮脐酸颧明房裳叮岂烦毗汞齐似懊幻唆肚聋冲楞彪既伏列豺耐粳圆慕奏鸳玫滚程珠盆罢佩翅怀濒漏夷由妹民

4、醚茸性尤蒸挚晤钒尝腿邻邢乾团雷遗正屹冗伍蕴膀鲜臼栈取厦椽常蜕弱坡患掐藻兜富猖视幼侥嚎妙恃奎惫客各苹套辅岿颧创辨验捧惟淖迹渊淆厄妮昌儒枕颅揭勉昏突撂致飘底ECN3030F/3031FECN3030F/3031F是用作驱动MOSFET和IGBT的三相桥式逆变器的集成电路。特别适用于交流100～115V电源供电的三相直流无刷电机的速度控制。图1所示是内部方块图。功能封装*集成充电泵电路*集成三相分配器电路*集成PWM电路*集成过电流保护电路*集成转向检测电路*集成FG电路FP-28DJ(JEDEC)特性*使用外部微处理器实现三相直流无刷电机的速度控制

5、。*下桥臂电路可由20kHz斩波频率的PWM脉冲控制。图1方块图70PDE-3030F/31F-0CECN3030F/3031F1.通用(1)型号ECN3030F,ECN3031F(2)应用三相无刷直流电机(3)结构单片集成电路(4)封装FP-28DJ(JEDEC)2.最大允许额定值(Ta=25°C)No.项目符号端子额定值单位条件1输出元件耐压VSMVSMU,MV,MW250V2电源电压VCCVCC18V3输入电压VINVSP,RS,RWDHU,HV,HW-0.5~VB+0.5V4运行结温Tjop-20~+125°C注15存放温度Tstg-4

6、0~+150°C注1.热阻(Rj-a)约为100°C/W.(当集成电路安装在印制板上时)此热阻值由试验产品决定。3.建议运行条件No.项目符号端子最小标准最大单位条件1电源电压VSVS10141185V在Tjop允许额定值内2VCCVCC13.51516.5V70PDE-3030F/31F-0CECN3030F/3031F4.电气特性(Ta=25°C)电气特性，VCC=15V,VS=141V后缀T;上桥臂B;下桥臂后缀*;U,V,W相No.项目符号端子最小标准最大单位条件1待机电流ISVS-2.04.0mAVSP

7、06.0mAHU=L3输出源电流IO+TPG*3050100mAC+和PG*之间为20V4IO+BNG*130200300mAVCC和NG*之间为10V5输出漏电流IO-TPG*130200300mAPG*和M*之间为10V6IO-BNG*130200300mANG*和GND之间为10V7高电平输出电压VOHTC+,PG*-4.56.0VC+和PG*之间电压IO=0A8VOHBVCC,NG*--0.2VVCC和NG*之间电压9低电平输出电压VOLTPG*,M*--0.2VPG*和M*之间电压10VOLBNG*,GND--0.2VNG*和GND之

8、间电压11VTR端子的输出电阻RVTRVTR-200400WIVTR=1mA12SAW波形的幅值电平VSAWHCR4.95.46.1V注213VSAW