高考易错点20 综合性化学实验(模拟题训练)领军高考化学清除易错点---精校解析Word版

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1、www.ks5u.com易错点20综合性化学实验1.某小组同学将一定浓度NaHCO3溶液加入到CuSO4溶液中发现生成了沉淀。甲同学认为沉淀是CuCO3;乙同学认为沉淀是CuCO3和Cu(OH)2的混合物,他们设计实验测定沉淀中CuCO3的质量分数。(1)按照甲同学的观点,发生反应的离子方程式为_____________________。(2)两同学利用下图所示装置进行测定:①在研究沉淀物组成前,须将沉淀从溶液中分离并净化。具体操作依次为过滤、洗涤、干燥。②装置E中碱石灰的作用是__________________。③实验

2、过程中有以下操作步骤:a.关闭K1、K3,打开K2、K4,充分反应b.打开K1、K4,关闭K2、K3,通入过量空气c.打开K1、K3,关闭K2、K4,通入过量空气正确的顺序是____(填选项序号,下同)。若未进行步骤____,将使测量结果偏低。④若沉淀样品质量为mg,装置D质量增加了ng,则沉淀中CuCO3的质量分数为____。(3)丙同学认为还可以通过测量CO2的体积并测量____来测定沉淀中CuCO3的质量分数。【答案】Cu2++2HCO3-=CuCO3↓+CO2↑+H2O防止空气中CO2和水蒸气进入装置Dcabb×1

3、00%样品质量(或样品充分灼烧后的质量)(其他合理答案也可-58-2.实验室用图示装置制备KClO溶液,再与KOH、Fe(NO3)3溶液反应制备高效净水剂K2FeO4。<查阅资料>Cl2与KOH溶液在20℃以下反应生成KClO,在较高温度下则生成KClO3;K2FeO4易溶于水,微溶于浓KOH溶液,在0℃~5℃的强碱性溶液中较稳定。(1)仪器a的名称:__________;装置C中三颈瓶置于冰水浴中的目的是_____________。(2)装置B吸收的气体是__________,装置D的作用是_______________

4、____________。(3)C中得到足量KClO后,将三颈瓶上的导管取下,依次加入KOH溶液、Fe(NO3)3溶液,水浴控制反应温度为25℃,搅拌1.5h,溶液变为紫红色(含K2FeO4),该反应的离子方程式为________________________。再加入饱和KOH溶液,析出紫黑色晶体,过滤,得到K2FeO4粗产品。(4)K2FeO4粗产品含有Fe(OH)3、KCl等杂质,其提纯步骤为:①将一定量的K2FeO4粗产品溶于冷的3mol/LKOH溶液中。②过滤。③_________________________

5、_______________________________。(补充完整)④搅拌、静置、过滤,用乙醇洗涤2~3次。-58-⑤在真空干燥箱中干燥。(5)称取提纯后的K2FeO4样品0.2200g于烧杯中,加入强碱性亚铬酸盐溶液,反应后再加稀硫酸调节溶液呈强酸性,配成250mL溶液,取出25.00mL放入锥形瓶,用0.01000mol/L的(NH4)2Fe(SO4)2溶液滴定至终点,重复操作2次,平均消耗(NH4)2Fe(SO4)2溶液30.00mL。涉及主要反应为:Cr(OH)4-+FeO42-=Fe(OH)3↓+CrO4

6、2-+OH-,2CrO42-+2H+Cr2O72-+H2O,Cr2O72-+6Fe2++14H+=6Fe3++2Cr3++7H2O,则该K2FeO4样品的纯度为____________。【答案】分液漏斗防止Cl2与KOH反应生成KClO3HCl吸收Cl2,防止污染空气3ClO-+2Fe3++10OH-==2FeO42-+3Cl-+5H2O将滤液置于冰水浴中,向滤液中加入饱和KOH溶液90%3.四氯化钛是生产金属钛及其化合物的重要中间体。某校化学课外活动小组准备利用下图装置制备四氯化钛(部分夹持仪器已略去)。-58-资料表明

7、:室温下,四氯化钛为无色液体,熔点:-25℃,沸点:136.4℃。在空气中发烟生成二氧化钛固体。在650~850℃下,将氯气通过二氧化钛和炭粉的混合物可得到四氯化钛和一种有毒气体。回答下列问题:(1)检查该装置气密性的方法是_______________________________________________。(2)实验中B装置的作用是____________________。(3)写出D装置中物质制备的化学方程式________________________________;写出四氯化钛在空气中发烟的化学方程式

8、______________________________。(4)E处球形冷凝管的冷却水应从________(填“c”或“d”)口通入。(5)F装置中盛装的物质是________。(6)该实验设计略有缺陷,请指出其不足之处:______________________________。【答案】在B装置

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