新型铝系trip钢的组织和性能分析

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1、新型铝系TRIP钢的组织和性能分析陈宇武钢技术中心,武汉,430080摘要:通过以铝部分代硅,对比分析了0.10%C-0.5%Si-1.0%Al钢和0.16%C-0.5%Si-1.0%Al钢的组织结构和拉伸性能特性。金相观察结果显示,两种材料的金相组织存在明显差异,与具有明显网状铁素体+数量较多的贝氏体的0.1%C钢比,0.16%C钢的金相组织为铁素体+马氏体,铁素体呈均匀等轴分布,马氏体数量适中,对应的抗拉强度也达到了700MPa,屈服强度只有335MPa,相应的屈强比只有0.48;同时,0.16%C钢获得体积分数为2.9%的残

2、余奥氏体,因此,随着抗拉强度由635MPa增加到700MPa时,材料的延伸率不仅没有降低,反而由23%小幅增加到25%。关键词:热轧TRIP钢,铝代硅,碳,屈强比1、前言与传统低合金高强度钢相比,相变诱导塑性(TransformationInduced[1-5]Plasticity)TRIP钢具有更好的强度和塑性等综合性能,而且无需添加铌钛等微合金化元素就可以获得600-800MPa的强度和20-30%的延伸率指标。通常,TRIP钢含有体积分数为5-10%的残余奥氏体,在材料成型过程中,残余奥氏体发生马氏体相变,吸收外界能量,缓解

3、裂纹尖端应力、减缓裂纹扩展,从而提高材料的塑性,可用于强度要求较高的汽车安全部件的冲压成型制造,提高汽车的安全性能,减轻汽车的重量。现行TRIP钢中大多添加1.5%左右的硅来稳定残余奥氏体,但这种相对高的硅含量容易在材料表面形成严重氧化硅,损害材料的表面质量,不利于材料的冲压成型,也不利于材料的镀锌等保护处理。铝元素与硅元素的物理性质相近,都能起到净化铁素体、稳定残余奥氏体的作用,因此,本研究根据“以铝代硅”原理,在材料中添加了1.0%左右的铝含量,以部分代替硅元素,同时保留0.5%的硅含量,并选用了0.1%C和1.5%C两种碳含

4、量,以便优化材料的组织和性能。“以铝代硅”理论和实践,得益于现代冶炼技术的进步,因为,含铝高的钢水粘度高,流动性差,连铸生产过程中容易堵塞水口。2、试验条件材料的实物化学成分如表1所示。表中设计了A、B两种材料的化学成分,A、B钢的碳含量分别为0.10%和0.15%;其铝含量均设定为1.0%,拟代替等量的硅含量,同时,钢中继续保留0.5%的硅含量,使铝硅总量仍保持在1.5%的水平。150表1材料的实物化学成分(wt%)序号CSiMnAlsPSCuA0.0980.541.500.990.0060.00410.006B0.1570.5

5、31.541.050.0090.00450.009材料在50kg真空冶炼炉中进行熔炼,加热温度和处理时间为1700℃×30分钟,在真空浇铸成直径为200~260mm钢锭后,在800mm的两辊可逆轧机上开坯轧制成30mm厚的钢板,随后在450mm的轧机上轧成4mm厚的热轧薄板,其中,最大轧制力为180吨,终轧温度为880℃,冷却方式为水冷+空冷。材料的拉伸性能试验在60吨拉伸试验机上完成,材料的拉伸试样平行步宽度为20mm,标距为50mm,材料的残余奥氏体百分数在RigakuD/Max-2500PC型X射线衍射仪上测量,采用Mo靶辐

6、射。3、试验结果3.1金相组织和残余奥氏体金相观察结果显示,材料A的金相组织为贝氏体+网状铁素体,材料B的组织为铁素体+岛状马氏体,组织中均没有发现珠光体组织,这一结果与组织设计相符合,因为珠光体的渗碳体消耗大量的碳原子,降低残余奥氏体的稳定性。终轧后采用较快的冷却速度,可避免珠光体形成,因此,材料轧制后要求较快的冷却速度。另外,材料A的铁素体晶粒度为12级,B的晶粒度为12.5级,两种晶粒尺寸基本相当,这种细小的晶粒尺寸有利于提高材料的强度和韧性。不同放大倍率下的金相组织观察结果如图1(a)~(d)所示。材料中的残余奥氏体在金相

7、显微镜下无法分辨,可通过X射线衍射仪测试。ab40μm40μm151cd10μm10μm图1材料A、B的金相组织(a)、(c):材料A;(b)、(d):材料B采用X射线衍射对残余奥氏体的数量进行了测试,定量计算如公式(1)所[6]示,式中,Vc表示碳化物体积分数,G表示积分因子,Iα为(200)α和(211)α的积分强度,Iγ为(200)γ、(220)γ和(311)γ的积分强度。Vγ(%)=(1-Vc)/(1+G·Iα/Iγ)(1)分析结果显示,材料的A的残余奥氏体的体积百分数仅为0.6%,材料B的数量为2.9%,材料B的残余奥氏

8、体数量明显高于材料A。3.2化学成分显微偏聚利用电子探针对材料B的碳、硅、铝等元素进行了显微成分面分析,其测试结果如图2所示。图2中的4张图片SE、CKa、AlKa、SiKa从左到右依次为材料B的二次电子像、碳、铝、硅元素聚集程度,其中,从图2-C

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