环保型三价铬电镀工艺研究

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时间:2019-02-14

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1、机械科学研究总院硕士学位论文摘要环保型三价铬电镀工艺研究摘要目前,三价铬电镀工艺己经成为取代重污染六价铬电镀的最重要技术之一。对三价铬电镀工艺进行深入研究并使其在实际生产中得到大规模推广应用,对突破国外技术壁垒、实现我国电镀行业的清洁生产等都具有极其重要的现实和战略意义。本论文从三价铬电镀工艺的三大技术难题出发,分别对硫酸盐体系和氯化物体系三价铬电镀装饰铬工艺进行了深入研究。通过Hull槽试验、小槽挂镀试验和放大试验,制备出硫酸盐体系三价铬电镀所用DSA阳极和氯化物体系三价铬电镀所用石墨阳极,确定出两种体系的全套工艺规范,并对阴阳极反应机理进行了详细探讨。工

2、艺标准如下所示:(1)硫酸盐体系三价铬电镀工艺标准:工艺范围标准值Cr3+配位体H3803辅助剂润湿剂除杂剂阳极pH值温度时间J。4~7.5g/I,20~40g/L70一85g/L8~12mI/I,2~4mI,I,5g/L309/L809/L10mL/L3皿I以5~10mI,I,视Hull槽试片状况DSA阳极3.3~3.745~55℃1~6min3~8A/din23.450℃5min5A/din2机械科学研究总院硕士学位论文摘要sgs。搅拌1/1~l/22/3中速空气搅拌(2)氯化物体系三价铬电镀工艺标准试验结果表明,所制备的DSA阳极具有较高的析氧催化活性

3、和导电性,可以很好的抑制硫酸盐体系镀液中c,的产生。电镀过程中,两种体系工艺稳定,性能综合评价与国外同类产品相当。镀层色泽外观和镀层结构与六价铬镀层相似,而前者结晶更为细密;硬度略逊于六价铬镀层,而耐蚀性明显优于六价铬镀层。关键词:三价铬电镀硫酸盐体系氯化物体系DSA阳极ⅡStudyonTrivalentChromiumElectroplatingProcessofEnvironmentalProtectionAbstractAtpresent,trivflemchromiumelec自roplatingprocesshasbecameoneofthemos

4、timportanttechniquestotakingplaceoftheseriouslypollutionalhexvalentchromiumelectroplatingprocess.Studingdeeplyonthetrivalentchromiumelectroplatingprocess,madingitapplyonmassproductionhashighlyrealisticandstrategicalsignificancetobreakingthroughtheoverseastechnicalbarrierandachievin

5、gthegoalofCleanProductioninChineseelectroplatingindustry.Startingfromthethreebigtechnicalproblemsinthetrivalentchromiumelectroplatingprocess,adeepstudyhadbeenmadeontheornamentaltrivalentchromiumelectroplatingprocessinsulpbatesystemandchloridesysteminthisdissertation.Withthemethodso

6、fHullcelltesting,smallsizecellrack-platingtestingandscale—upexperimenttestingandSOon,wemadetheDimensionallyStableAnodefor砸valemchromiumelectroplatinginsulphatesystemandgraphiteanodeinchloridesystem,andentireprocesscriterionsforthetwosystems.Atthesametime,adetaileddiscussionhadbeenc

7、onductedonthereactionmechanismoftheanodeandcathodeinthisdissertation.Theprocessstandardswereshowedasfollow:(1)ProcessSmndardforTrivalentChromiumElectroplatinginSulphateSystemC—ComplexantH3803AuxiliaryReagentWettingReagentEliminatingReagent4~7.5g/L20~40g/t,70~85班8~12mL/L2~4mL/L5班309

8、/L80叽10mL/L3mI/I5~10mI,I.S

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