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时间:2019-02-14
《低温液相法制备三元硫属半导体薄膜的研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、中文摘要以纳米多孔Ti02作光电极,cuhs2或CulnSe2等无机纳米粒子作吸收层的ETA太阳能电池由于成本低廉,是光伏新技术发展的重要方向。采用化学浴、SILAR、电沉积法等低温液相法制备上述硫化物具有低成本、绿色无污染、工艺温和的优点。本文以硫属半导体薄膜在ETA电池的应用为背景,综述了太阳能电池的发展和种类、硫属化合物的性能及应用和三元硫属半导体薄膜的制备工艺。课题研究了化学浴,SILAR,电沉积法制备CuIIIS2、CuInSe2薄膜,通过XRD、SEM、XPS、霍尔测量系统等的测试分析,研究
2、了上述制备方法和工艺过程对薄膜结构与性能的影响,对不同方法下的成膜反应进行了解释。本文采用化学浴法,以CuCl2和mcl3为反应物,三乙醇胺为络合剂,硫脲(CS(NH2)2)为硫源,沉积时间为8~12h,经500℃热处理1h可制备致密均匀、组成接近化学计量的单相黄铜矿CuInS2薄膜,薄膜吸收系数大于104crll~,禁带宽度E窖为1.42eV。沉积时间低于12h时,薄膜生长速度稳定,约为15nm/h,而大于12h后薄膜生长变慢,粗糙度增大。连续离子吸附反应法(SILAR)采用独立的水溶性离子前驱体,按
3、照非均相生长机理沉积成膜,原料浪费少、制备条件温和,污染小,但尚未有SILAR法制备三元化合物的报导。本文首次采用SILAR法,分别以混合CuCl2、InCl3前驱体为Cu、h源,Na2S、Na2ScS03为硫源和硒源制各出黄铜矿结构、沿(112)面择优取向的CuInS2和CuInSe2薄膜,考察了多孔Ti02基底上SILAR法CuInS2的沉积情况。实验结果表明:制各接近化学计量CulnS2、CulnSc2薄膜时溶液中[Cu]/[In]比分别为1.25和1.5,适当提高热处理温度矛哥延长热处理时间均有
4、利于改善薄膜的结晶程度和表面均匀性,制备CuInS2、CuInSc2较适宜的热处理温度分别是450℃和400℃,随热处理温度升高,薄膜电阻率下降,光吸收系数、载流子浓度、迁移率增加,CuInS2禁带宽度从1.34eV增至1.48eV,C'uInSc2禁带宽度Eg的值从0.94eV升高到0.98eV。由于纳米多孔材料的表面效应,在多孔Ti02基底上制备的CuInS2薄膜结合更加紧密,吸收系数明显增大、结晶度提高,禁带宽度Eg在1.37~1.44eV之间,说明Ti02基底上沉积CulnS2后,对可见光具有很
5、好的吸收特性。电化学沉积法在太阳能电池薄膜制备领域一直得到广泛关注。本文采用一步恒电位法,以CuS04、Se02、Inz(S04)3、柠檬酸组成沉积液,首次研究了多孔Ti02基底上CulnSc2薄膜的沉积情况。实验表明:与/TO基底上沉积相比,多孔Ti02基底上CuInSc2沉积电位从一750mY负移到.1250mV左右,XRD结果显示.1100mv是适宜的沉积电位。热处理后,薄膜组成更接近化学计量,结晶度改善,中文摘要光吸收系数大幅度提高,而禁带宽度有所下降,这可能与CuInSc2和Ti02的界面反应
6、有关。关键词:三元硫属化合物化学浴法连续离子吸附与反应法电沉积法ABSTRA(了ABSTRACTETAsolarcellwithchalcogenidesemiconductorsasextremelythinabsorberlayerisoneofthepromisingdevicesinsolarenergy.TherehasbeenconsiderableinterestfordevelopingCu].uS2andCuInSe2thinfilmusinglowtemperaturechemica
7、lmethodssuchasCBD,SILARandelectro-deposition.Advantageoftheseprocessesisthattheyarepollutionfree,lowcostandsoftsolutionprocessing.Thisdissertationbeginswithanoverviewofsolarcellsandsulphidethinfill.Basedonthebackground,thepreparationofCuInS2andCnInSe2bys
8、uchmethodswereresearchedand.thecharacterizationofthefilmswascarriedoutbyXRD、SEM、XPSandHallsystem.ByCBDprocess,CuInS2filmswerepreparedfromaqueousbathcontainingCuCl2,InCl3,TEAandCS(NH2)2.In8~12hofdeposition,thefilmsexhibited
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