通信行业5G滤波器行业报告:把握行业变革,迎滤波器全新机遇

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1、目录一、4G时代,金属腔体滤波器为市场主流4二、5GMASSIVEMIMO时代,介质滤波器有望成为行业宠儿6(一)陶瓷介质滤波器将成为5G基站设备的首选解决方案6(二)配方、工艺、调试成为量产关键9三、5G需求旺盛,海量空间可期10(一)2019年发放5G临时牌照,5G进程加速10(二)滤波器高速增长,铸就600亿产值空间13五、建议关注16(一)世嘉科技16(二)东山精密18(三)风华高科20(四)鸿博股份22六、风险提示23插图目录24表格目录25一、4G时代,金属腔体滤波器为市场主流射频器件是基站的核心设备之一,射频器件主要包括滤波

2、器、双工器(分单双工器和多双工器)、塔顶放大器、合路器等几大类。滤波器在通信系统中对通信链路中的信号频率进行选择和控制,选择特定频率信号通过,抑制不需要的频率信号,解决不同频段、不同形式的通信系统之间的信号干扰问题,并且有效保持接收和发射频带的隔离,提高通信质量。滤波器是一种两端口网络,信号从输入端口进入,经过滤波器网络作用,滤除杂波,然后信号从输出端口输出,它的选择特性是由系统要求决定。滤波器的性能的优劣往往直接影响整个通信系统的性能指标。滤波器的主要参数包括中心频率、通带带宽、插入损耗、Q值、带外抑制等。两个主要参数为Q值和插入损耗。

3、Q值越高,表明滤波器可以实现越窄的通带带宽,即可以实现较好的滤波功能。插入损耗是指通带信号经过滤波器之后的信号功率衰减,当插入损耗达到1dB,则信号功率衰减达到20%。表1:滤波器主要参数主要参数描述中心频率滤波器通带的频率f0,一般取f0=(f1+f2)/2,f1、f2为带通或带阻滤波器左、右相对下降1dB或3Db频点。窄带滤波器常以插损最小点为中心频率计算通带带宽通带带宽指需要通过的频谱宽度,BWxdB=(f2-f1)。f1、f2为以中心频率f0处插入损耗为基准,下降X(dB)处对应的左、右边频点。通常用X=3、1、0.5即BW3dB

4、、BW1dB、BW0.5dB表征滤波器通带带宽参数截止频率指低通滤波器的通带右边频点及高通滤波器的通带左边频点。通常以1dB或3dB相对损耗点来标准定义带内波纹系数指1dB或3dB带宽(截止频率)范围内,插损随频率在损耗均值曲线基础上波动的峰值插入损耗由于滤波器的引入对电路中原有信号带来的衰耗,以中心或截止频率处损耗表征带内波动通带内插入损耗随频率的变化量。1dB带宽内的带内波动是1dB回波损耗回波损耗,又称为反射损耗。是电缆链路由于阻抗不匹配所产生的反射,是一对线自身的反射。回波损耗愈大愈好,以减少反射光对光源和系统的影响阻带抑制度衡量

5、滤波器选择性能好坏的重要指标。该指标越高说明对带外干扰信号抑制的越好延迟指信号通过滤波器所需要的时间,数值上为传输相位函数对角频率的导数,即Td=df/dv品质因素Q指电感器在某一频率的交流电压下工作时,所呈现的感抗与其等效损耗电阻之比。通常分为有载品质因数QL,无载品质因数Qu(取决于所使用的结构),外部品质因数Qe(描述输入输出端谐振器与外部电路耦合条件)资料来源:知网,民生证券研究院4G时期,金属腔体滤波器是主流产品,具有腔体滤波器结构牢固、性能稳定可靠等特征,且体积更小、Q值适中、高端寄生通带较远,散热性也很好,因此被广泛应用于国

6、内外通信基站。图1:4G基站架构图2:腔体滤波器资料来源:华为,民生证券研究院资料来源:欣天科技,民生证券研究院图3:基站射频系统图4:腔体滤波器资料来源:华为,民生证券研究院资料来源:欣天科技,民生证券研究院金属腔体滤波器的构成包括腔体、盖板、连接器、传输主杆、电容耦合片、低通、谐振器、调谐螺杆(即调谐螺钉)、电容耦合杆、介质、紧固螺钉等零部件。表2:产品具体情况产品名称产品外形在射频器件中的地位和作用谐振器振器通过在腔体和盖板组成的封闭空中组成谐振单元进行特定频段的电磁波谐振,抑制掉不需要的电磁波频段,从而实现滤波功能介质支撑传输主杆

7、、电容耦合杆等元器件,组成交叉耦合组件,实现滤波器抑制不需要频率信号效果的稳定性传输主杆将通过连接器输入进来的信号在射频器件腔体内进行传输并激励滤波器谐振单元进行电磁场谐振,其结构设计关系到与连接器的匹配性,不同种类的滤波器所用的设计存在区别电容耦合片低通通过串联结构组成谐振单元,使低于某一频率的信号可以通过,而高于该频率的信号则被其衰减不能通过。对输入到射频器件内的电磁波信号进行初步过滤,对准备从射频器件输出的电磁波信号进行倍频过滤,进一步提升射频器件的滤波效果电容耦合杆设置在非相邻两谐振单元间,可提高滤波器抑制不需要频率信号的效果调谐

8、自振螺钉主要用于调整封闭空间中的电磁场,修正谐提单元因制造、装配等环节造成的精度偏差,改变电路电容值,协助谐振单元实现电磁波特定频段的谐振。另外,还可以调整相邻两谐振单元的电磁场,加强两邻腔的

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