08-09秋大学物理b(二)(a卷)试题及参考答案

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1、08〜09秋大学物理B(二)(A卷)试题一、选择题(共21分)1.(本题3分)己知一高斯面所包围的体积内电荷代数和Et/=0,则可肯定:(A)(B)(C)(D)高斯面上各点场强均为零.穿过高斯而上每一而元的电场强度通量均为零.穿过整个高斯面的电场强度通量为零.以上说法都不对.2.(本题3分)如图,在点电荷q的电场屮,选取以q为屮心、R为半径的球面上一点P处作电势零点,则与点电荷q距离为r的P'点的电势为(A)—^4兀£()rq(B)4兀E(D)q(C)/、4兀厂-R)3.(本题3分)如图所示,两同心金属球壳,它们离地球很远,内球壳用细导线穿过外球壳上的绝缘小孔与地连接,外球壳上带有正电荷

2、,(A)(B)(C)4兀£()IRr则内球壳:不带电荷.带正电荷.带负电荷.[[(D)内球壳外表面带负电荷,内表面带等量正电荷.[]4.(本题3分)关于静电场中的电位移线,下列说法中,哪一个是正确的?起自正电荷,止于负电荷,不形成闭合线,不中断.任何两条电位移线互相平行.起自正自由电荷,止于负自由电荷,任何两条电位移线在无自由电荷的空间不相交.电位移线只出现在有电介质的空间.[(A)(B)(C)(D)5.(本题3分)如图,无限长直载流导线与正三角形载流线圈在同一平面内,若长直导线固定不动,则载流三角形线圈将(A)向着长直导线平移.(B)离开长直导线平移.(C)转动.(D)不动.[]6.(

3、本题3分)无限长直导线在P处弯成半径为的圆,当通以电流/时,则在圆心O点的磁感强度大小等于(A)化2tiR(C)().(B)如•4R(D)络(1_丄).2R兀(E)7.(本题3分)如图,平板电容器(忽略边缘效应)充电时,沿环路厶】的磁场强度H的环流与沿环路L2的磁场强度H的环流两者,必有:(A)#片・d〃>厶a(B)扌方・d厂二fw-d/z.(C)jH-dV<^H-dV.(D)#片・d厂=0.厶二、填空题(共30分)8.(本题5分)6i两个平行的“无限大”均匀带电平面,其电荷面如图所示,则A、B、C三个区域的电场强度分别为:Ea=(设方向向右为正).9.(本题3分)一平行板电容器,极板面

4、积为S,相距为况若B板接地,且保持A板的电势5=U°不变.如图,把一块面积相同的带有电荷为Q的导体薄板C平行地插入两板中间,则导体薄板C的电势Uc=10.(本题4分)'*4如图所示.试验电荷g,在点电荷+Q产生的电场中,沿半径为R的整个圆弧的3/4圆弧轨道由g点移到d点的过稈中电场力作功为:从d点移到无穷远处的过程中,电场力作功为.°11.(本题5分)平行板电容器,充电后与电源保持联接,然后使两极板间充满相对介电常量为&的各向同性均匀电介质,这时两极板上的电荷是原來的倍;电场强度是原来的倍;电场能量是原来的倍.12.(本题3分)真空屮有一电流元/d7,在由它起始的欠径F的端点处的磁感强度

5、的数学表达式为13.(本题4分)半径分别为&和/?2的两个半圆弧与直径的两小段构成的通电线圈“C•勿(如图所示),放在磁感强度为鸟的均匀磁场中,鸟平行线圈所在平面.则线圈的磁矩为,线圈受到的磁力矩为7.(本题3分)图示为三种不同的磁介质的关系曲线,其中虚线表示的是B=/j(}H的关系.说明a、b^c各代表哪一类磁介质的关系曲线:a代表的关系曲线.b代表的B〜H关系曲线.c代表的B〜H关系曲线.8.(本题3分)无铁芯的长直螺线管,在保持其半径和总匝数不变的情况下,把螺线管拉长一些,则它的自感系数将三、计算题(共49分)16・(本题10分)一个细玻璃棒被弯成半径为R的半圆形,沿其上半部分均匀

6、分布有电荷+Q,沿其下半部分均匀分布有电荷一0,如图所示.试求圆心O处的电场强度.17.(本题5分)假想从无限远处陆续移来微量电荷使一半径为R的导体球带电.(1)当球上已带有电荷q时,再将一个电荷元dq从无限远处移到球上的过程中,外力作多少功?(2)使球上电荷从零开始增加到Q的过程屮,外力共作多少功?18.(本题12分)均匀带电刚性细杆线电荷密度为2,绕垂直于直线的轴O以血角速度匀速转动(O点在细杆延长线上).求:(1)O点的磁感强度鸟();(2)系统的磁矩以;(3)若a>>b,求Bq及Pm・17.(本题12分)1m一无限长圆柱形铜导体(磁导率“()),半径为R,通有均匀分布的电流/.今

7、取一矩形平LfiiS(长为lm,宽为2R),位置如右图中画斜线部分所示,求通过该矩形平面的磁通量.18.(本题10分)如图所示,一根长为厶的金属细杆ab绕竖直轴0[02以角速度诫水平面内旋转.06在离细杆Q端L/5处.若已知地磁场在竖直方向的分量为鸟・求db两端间的电势差ua-uh.08〜09秋大学物理B(Z1)(A卷)试题参考解答和评分标准一、选择题(每题3分共21分)I、C;2^B;3、C;4、C;5、A;6^D;7、C;二、填

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