气压浸渗sicpal电子封装外壳的制备与性能

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1、摘堂摘要SiC颗粒增强Al基复合材料(SiCp／AI)具有优异的物坪和力学性能，可以用作良好的结构部件。气压浸渗的方法叫以很好的实现复合材料的近终形，减少材料的后序加』=量。因此本文选tHj气压浸渗的方法制备TSiCp／AI电r封装外壳，并对制备的外壳的热膨胀行为和机械性能做了研究。木文通过双尺qSiC颗粒选取、粉料处理、蜡浆制备、SiCkS"壳坯体浇注、排蜡和烧成的上艺成功制备了SiC预制犁外壳。研究了气压浸渗与无压浸渗、离心浸渗和挤压浸渗机理的区别，分析了气压浸渗过程中产生浸渗包抄的原劂。SiCp／AI复合利料与AI合金基体相

2、比较，由于有SiC颗粒增强体的作用能明显降低工稃CTE和物珲CTE，因此随着SiC颗粒体积分数的增加，同一温度的T程CTE减小；单尺寸颗粒SiC对苯体合命的抑制作用小十双尺寸SiC颗粒，这足由于表面积不同所造成的；SiCp／AJ物理CTE的突变点随着体积分数的增加而卜降。SiCp／AI随着密度的增大，30*(3--200℃的rL程CTE有下降的趋势。南J‘增强体颗粒与基体合金之间的巨人的CTE差别，将导致复合材料内形成内应力，而热处理町以消除部分内应力从咖降低复合材料的CTE，并增加复合材料的尺寸稳定性。复合材料的抗弯强度随着密度

3、的增加而增加，南丁．受到气孔、界而结合程度、系统误差等多力囱的影响，并不呈线性增加。而杨氏模餐也随着密度的增加而增加。si含鼍的增加会使得抗弯强度增加，但是由于针状共晶si的出现，过鼋的si会导致复合材料的弹性模量下降；Mg的加入并不能减小基体合金与SiC赖孝证之问的润湿角，{开是Mg可以消耗抻部分合金表面的氧化物，最终有利丁浸渗，减少复合材料中的孔隙率。关键词：电子封装、气压浸渗、CTE、突变点、抗弯强度AbstractSiliconcarbideparticlereinforeedaluminumcompositehaveou

4、tstandingphysicalandmechanicalproperties，andcouldbeusedasfavorablestructuralcomponents．Duetoitsexcellentabrasiveproperties．SiCp／AIhaveattractedconsiderableapplicationinautomobileandcombustionengine’Swearingpieces．Netshapecanbesuccessfulachievedthroughgaspressureinfilt

5、ration，whicheliminatecomposite’Srelatedtreatment．Inthisarticle，SiCp／AIelectricpackaginghousingwerefabricatedbygaspressureinfiItration，anditsphysicalandmechanicalpropertieswerestudied．SiCpreformhousingwassuccessfuIfabricatedbyselectingbimodalSiCparticle，powdertreating，

6、preparationofwaxslurry，pouringSiChousingbody，waxextractionandsintering．Thedifferenceofmechanicsamonggaspressureinfiltration，pressurelessinfiltration，centrifugalinfiltration，squeezinginfiltrationhasbeenstudied．AndthereasonofoutflankingingasinfiltrationWflSanalysed．Comp

7、aringSiCp／Alcompositewithaluminummatrix，SiCparticleexistenceCOUldsignificantreducecomposite’SlinearCTEandphysicalCTE．Thecomposite’SCTEcurvecanbeseparatedintothreedifferentpartsbyslope．The1inearCTEofcompositedecreasewithincreasingparticlevolumefractioninthesametemperat

8、ure．TherestrainingeffectofsinglesizeSiCparticleonmatrixissinailerthanthatofbimodalsizeparticle．SiCp／AI’Sinflexionspotsofphys