含aln纳米多层膜的生长结构和超硬机制研究

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1、上海交通大学硕士学位论文摘要含AlN纳米多层膜的生长结构和超硬机制研究摘要以TiN为代表的硬质陶瓷薄膜作为刀具涂层取得了巨大的成功,有力地推动了制造业的发展。高速、干式切削等加工技术的进步对刀具涂层提出了更高的要求。纳米多层膜的高硬度以及能够通过材料组合获得其它优异性能的可裁剪性,使其成为一类具有广泛应用潜力的涂层材料。而其通过微结构的设计获得高硬度的强化机制更具理论研究价值。已有的研究表明,在很多多层膜中,一种调制层在一定条件下会使另一调制层发生相转变,如TiN/SiO2多层膜中,非晶层的SiO2在厚度低于约1nm时在立方TIN膜板层的作用下晶体化为与TiN结构相同的

2、赝晶。但目前关于非晶晶化的研究主要集中在以立方氮化物为模板的纳米多层膜体系中,对于以其他晶体结构调制层为膜板层的多层膜体系的研究却鲜有报道。本文采用反应溅射方法制备了TiN/AlON纳米多层膜,采用化合物靶溅射制备了AlN/TiB2纳米多层膜。研究了原为非晶态的AlON和TiB2调制层在立方结构TiN和六方结构AlN晶体层“模板作用”下的晶化条件,以及非晶层晶化对纳米多层膜生长结构和力学性能的影响。论文还提出了一种测量金属基体上硬质薄膜内应力的应力释放测量法。研究结果表明:1.在采用氧化物Al2O3靶在Ar、N2混合气氛中通过反应溅射制备TiN/AlON纳米多层膜的过程

3、中,溅射的Al2O3分子中的氧原子会部分被氮原子所取代,形成非晶态的AlON化合物。2.TiN/AlON纳米多层膜中,AlON在层厚小于0.6nm时被强制晶化并与TiN形成共格外延生长结构,多层膜产生硬度升高的效应,最高硬度达40.6GPa;进一步增加其层厚,AlON向非晶态转变,从而破坏多层膜的晶体生长,多层膜的硬度随之降低。由于具有很高的沉积速率,这种采用反应溅射制备高硬度TiN/AlON纳米多层膜的技术有望用于工业生产。3.AlN/TiB2纳米多层膜中,由于AlN的膜板作用,原为非晶态的TiB2层在小厚度时被强制晶化,并与h-AlN形成共格外延生长结构。多层膜的硬

4、度获得I上海交通大学硕士学位论文摘要提高,最高达到30.5GPa。厚度继续增加,TiB2转变为以非晶态生长,多层膜的共格外延生长结构受到破坏,相应地,其硬度也随之降低。4.论文基于Stoney公式,提出了一种通过电火花切割金属基片释放薄膜应力的内应力测量方法,该方法可准确地测量金属基体上硬质薄膜内应力,同时因可以直接从金属零件上取样而更方便。关键词:磁控溅射;TiN/AlON纳米多层膜;AlN/TiB2纳米多层膜;硬质薄膜;非晶晶化;超硬效应;内应力II上海交通大学硕士学位论文AbstractAbstractTheapplicationofhardceramicthin

5、films,suchasTiN,ascoatingsofcuttingtoolhavegainedhugesuccessandsignificantlypromotedthedevelopmentofmanufacturingindustry.Theadvancementofmachiningtechniques,suchashighspeed,drycutting,demandsbetterpropertiesforthecoatingsofcuttingtools.Thenano-multilayermakesitselfapromisingcandidatecoa

6、tingforitshighhardnessandthediversity,fromwhichvarioussuperiorpropertiescouldbeobtained.Meanwhile,ofmoretheoreticvalueisitshardeningmechanism,wherehighhardnessisobtainedbydesigningitsmicrostructure.Itisalreadyknownthatinsomemultilayers,onemodulationlayercouldbephasetransformedandgrowepit

7、axiallywiththeotherlayer.InTiN/SiO2mulitlayers,forexample,whenthethicknessislessthan1nm,theamorphousSiO2layeristransformedintothepseudo-crystalunderthe“templateeffects”ofTiNmodulationlayer,whichsharesthestructurewithcubicTiNlayer.However,currentresearchesoncrystallization

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