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1、ABSTRACTABSTRACTAsanimportantdirectwide-band-gapII-VIsemiconductor,ZnSehasbeenidentifiedasapotentialmaterialforthefabricationofblue-greenlight-diodes,nonlinearoptic-electroniccomponents,infrareddevicesandthinfilmsolarcells.Inthesefield,ZnSeisoftenusedasfilm.Theref
2、orethefabricationofZnSefilmisanattractivetopicinrecentyears.MBEandMOCVDmothodshavebeenusedsuccessfullytoproduceZnSefilm.However,becauseofthehighexpense,MBEandMOCVDaredifficulttopopularize.Inthisthesis,wetrytofindsomeinexpensivemethodtoproducetheZnSefilm.Wefirstpro
3、ducedtheZnSefilmonpolishedsinglecrystalSiwaferbyHot-Wallepitaxymethodat4200C.Athighertemperature,7400C,thegrowthprocesswasfoundtobespeeded,andamorecompactfilmwasobtained.ThisfilmhasbeenidentifiedaspolycrystalZnSewithzincblendestructurebyXRD,Byimprovinghydrothermal
4、method,wefabricateduniformandcompactZnSefilmat2250C,WhichwasidentifiedaspolycrystalZnSe.Comparingdiferentpreparationmethodsofthesubstrate,weselectedanapproperiteone.Wealsooptimizedtheparametersofgrowthprocess,basedontheinvestigationoffilmcharacter,producedatdifere
5、nttemperatureanddifferentannealtime.ToproviderawmaterialsforvaporgrowthmethodofZnSefilm,wepreparedZnSenanocrystalsbyhydrothermalmethod.Znpower,SepowerandDiethylaminewasusedasthesourcesinthismethodandnanocrystalZnSepowdersweresynthesizedat2250C.Thesepowdershavebeen
6、identifiedaspolycrystalZnSewithzincblendestructurebyXRD.Thesizeofparticleisabout100nm-200nm.Keywords:ZnSefilm,Hot-Wallepitaxy,ImprovedHydrothermalmethod,ZnSenanocrystals第一章文献综述第一章文献综述1.1引言11-Vi化合物指元素周期表中第11副族元素Zn,Cd,Hg与第vi主族元素S,Se,Te组成的二元和三元以上的化合物。这些化合物往往具有优异的物理化学
7、J性质，具有从宽带到窄带的各种不同禁带组成、直接跃迁能带结构和离子键成分高等特点，因此拥有特殊的光电特性.从而在近年来倍受关注。-'I.ZnSe是11-vi族化合物的杰出代表。可用于制备性能优良的光发射器件、光电器件、蓝一绿光半导体激光器、光探测器、红外器件、各种非线性光学器件以及薄膜太阳能电池。1.2ZnSe的主要应用ZnSe的主要应用及其发展的历史与现状如下:(1)ZnS。的一个重要应用是作为兰光半导体激光器件(LD)和光发射器件(LED).由于兰光半导体激光可广泛应用于海洋及天空探测、平面显示和提高激光存储密度等领域
8、，ZnSe基半导体激光器件和发光二极管开发己成为半导体光源开发的焦点之一[15101991年美国3M公司和日本索尼公司首次获得了77k脉冲和室温连续1小时的ZnSepn二极管蓝绿色激光。19%年，日本索尼公司又报导了时f司由1小时提高至100小时，由于LD和LED在原理上有相同之处，所以蓝一绿LED也有
