solgel法掺杂导电zno薄膜及其低温氮气热处理

solgel法掺杂导电zno薄膜及其低温氮气热处理

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时间:2019-02-06

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1、摘要ZnO薄膜是一种直接宽带隙半导体材料,具有多种用途,可广泛的应用于太阳能电池、压电薄膜、光电器件、气敏器件和紫外探测器等方面。其特性可通过适当的掺杂来调剂。通过适量掺杂的znO透明导电薄膜具有优异的光电性能,能在太阳能电池、液晶显示器等多种电器设备中被用作透明导电电极。本课题研究的主要目的是探索Sol-Gel法制备掺Al的ZnO透明导电薄膜在氮气中的稳定性和S01.Gel法制备掺Li的znO透明导电薄膜的掺杂比和涂膜层数对薄膜导电率和透光率的影响。本文通过溶胶.凝胶法在载玻片上成功地制备出Ar、Li+掺杂型ZnO薄膜。所用的溶胶

2、以乙二醇甲醚为溶剂,醋酸锌为前驱体,单乙醇胺为稳定剂经加热搅拌制得;薄膜经烘干、预处理、氮气热处理后形成均匀透明的ZnO薄膜。利用XRD、SEM、XPS、UV.VIS和四探针测试仪对薄膜的结构和光电特性进行了研究。结果表明,掺杂物、掺杂量、热处理温度、涂膜层数和热处理气氛对zn0薄膜光电性能均有不同程度的影响。适当增加掺杂量能提高薄膜的电导率,过多的掺杂反而会降低电导率:不同的掺杂物对氮气中处理后的薄膜稳定性有较大影响,掺Al的薄膜稳定性很好,而Li的薄膜则较差;增加涂膜层数均能增加薄膜的厚度,并导致薄膜电导率的提高,同时也降低了薄

3、膜的透射率;掺杂量和热处理气氛对薄膜在可见光范围内透射率影响不大;热处理气氛的不同直接影响了薄膜的导电性,在氮气中300℃可得到电导率高的薄膜。本实验制备的薄膜表面致密结构,晶粒大小均匀,方阻最低为270Q/口,可见光透射率最大为83%。溶胶.凝胶方法制备AZO薄膜的最佳工艺条件为:溶胶浓度O.6mol/L、掺杂Al量l揣、镀膜层数15层、预处理温度450℃、空气气氛热处理温度为550℃、氮气热处理温度为300℃;溶胶.凝胶方法制备LZO薄膜的最佳工艺条件为:溶胶浓度O.6mol/L、掺杂Li量2.3at%、镀膜层数10层、预处理温

4、度450℃、空气气氛热处理温度为550℃、氮气热处理温度为300℃。关键词:Azo薄膜Lzo薄膜溶胶.凝胶气氛处理温度稳定性ABSTRACTZnOnlm,asemiconductorwithwidedirectbandg印,hasbeenactiVelystudiedbecauseofitspotentialapplications。Itcanbeusedins01arcell,piezoelectricdeVice,photoeIectricdevice,gassensorandUVdetectorandthecharacteri

5、sticscanbemodulatedbyappropriatedoping.T_hetransparentZnOconductiVethin6Imsdopedwithsuitabledopantshaveexcellentopticalandelectricalproperties,andareappliedwideIyastransparentandconductiveoxideeIectrodesinvariouseIectricalandopticaldevicesincludingliquidcIystaldisplay,

6、solarceilandsoon.Inthispaper,theprimaryobjectiVeisresearchingthestabili妙inN2ofZnOflimsdopedwithA1bys01.gelandtheinfluenceofdopantconcentrationandthenumberofcoat主ngontheconductivityandtransmittanceofZnOfilmsdopedwithLibysol-gel.ZnOthin6lmsdopedwithA13+,Li+werepreparedon

7、microslidesbysol—gelmethodsuccessfully.Thesolwaspreparedwith2一methoxyethanolass01Vent,ZincacetateaSprecursorandMEAas渤bilizer.ThemixturewaSheated,stirredt0obtainthesol,andthenhomogenoustmnsparentZn0thin丘lmswereprepared疗omthesolbydipping,drlying,pre—heattreatmentinairand

8、annealinginN2atmospheres·XRD,SEM,XPSandFou卜PointprobemethodwereusedtocharacterizethestructureandopticalandeIectricalp

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