niti记忆合金表面化学沉积磁性金属薄膜

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时间:2019-02-06

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1、武汉理工大学硕士学位论文摘要医用支架用于治疗管道狭窄症是医学界的一大革命,但对使用支架后患者的医疗情况调查表明,各种支架在使用后都存在不同程度的再阻塞问题。目前,在临床上用于治疗人体内管道狭窄症的支架主要是镍钛形状记忆合金支架和不锈钢支架。这些支架都是非磁化的,仅限于物理治疗效果.不能实施化学药物治疗。现在已经能制备出具有磁性的微米级的药物颗粒,如果在金属或合金支架上覆一层磁性薄膜。当把覆有磁性薄膜的支架植入人体内,再向该部位提供具有医疗效用的磁性药囊,则该磁性药物颗粒就可以附着在支架上,从而实施靶向厨部给药,增加了现有支架化学药物治

2、疗的功能,达到减小药物负作用、提高药效的目的。本论文主要研究利用化学镀方法在NiTi合金表面制备磁性薄膜的工艺条件。主要包括两部分内容:一、化学镀工艺及配方的确定,特别是钨酸钠浓度对化学镀Ni.Co.W.P磁性薄膜的影响:二、热处理对化学镀Ni.Co.W.P磁性薄膜的影响。研究取得以下成果:1)在化学镀Ni.Co—P磁性薄膜的配方中添加钨酸钠可以显著提高沉积速率和镀膜的磁性能。钨酸钠浓度对化学镀反应的活化能确+明显的澎响,随钨酸钠浓度的增加,活化能升高:钨酸钠浓度对镀膨的沉积速率、磁牲能、形貌、光洁度及结合力也有很大影响,当钨酸钠浓度

3、为0.89/L时。这些性能都表现良好。2)确定了拔理想的旌镀时间和镀液温度。随着施镀时间的增长,镀屡的厚度和饱和磁化强度随之增加,但矫顽力没有明显的变化规律,较佳的施镀时间为60分种左右:镀液温度不仅影响化学沉积速度.而且影响镀层的磁性能,较佳的镀液温度为60℃左右。3)镀层与合金的结合力是镀层的关键性能之一,探讨了热处理二[艺对镀层与合金结合力的影响。热处理一方面可以消除镀层中的内应力,有利于提高结合力:另一方面导致金属原子的扩散运动,使镀层与基体间形成固溶体或金属间的化合物,有利于镀层与基体间出原来的机械咬合.转化为金属键的结合,

4、使镀层与合金问的结合力进一步得到提高。4)利用扫描电镜及x射线能谱法、x射线甜什}法、显微拉曼光谱武汉理工大学硕士学位论文法,振动样品磁强计等多种测试手段研究了不同的热处理工艺对镀膜的成分、结构及磁性能的影响。Ni.Co.W.P镀膜在镀态时为复杂的晶态组织,当热处理温度超过400℃时,镀膜中的Co易被氧化生成C0304:经’600℃×1.5h热处理,镀膜主要为Ni、C0304、Ni3P、WP的晶态组织;随着热处理温度的升高,镀膜的肌,Ms均先增大后减少,在350℃至400℃间出现峰值,超过400℃时Ms。Hc开始下降。热处理也可以改变

5、镀膜微观形貌,经300℃×1.5h热处理后,镀膜颗粒均匀致密,形貌较好,此时镀层与合金间的结合力较高。关键词:化学镀;NiTi合金;钨酸钠浓度;磁性能:热处理武汉理工大学硕士学位论文Abstract.Theappearanceofmedicalstentsisagreatinnovation,butcomingafterthepatientusingit,thefindingshowsrestenosisratioofstentsisfairlyhigh.Nownitinolandstainlesssteelsarethecentra

6、lmaterialsofstentstoremedynarrowpipelineofpeople.Thesestentsdon’tpossessmagneticproperties,sowhichonlyhavethefunctionofphysicaltherapybutnotchemicaltherapyunlesscoveringmagneticfilm.Nowmagneticmedicalparticlehasbeenprepared,themagneticmedicinewillbedrownbesidestentswhen

7、patientstakeitifthestentsiscoveredmagneticfilm,thenwhichcanreducethenegativeeffectandimprovetheactiveimpaction.Electrolessdepositingisanexcellentkindtechnologyandwasusedto-preparethemagneticfilmonthesurfaceofnitinolalloyinthisstudy.Theexperimentisconstitutedwithtwomainp

8、arts,thefirst,theconfirmationofprescriptionandprocedure,theeffectonNi-Co-W·PmagneticfilmbyTheconcentrationofso

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