ag和ga掺杂pbte基化合物的合成及热电性能研究

ag和ga掺杂pbte基化合物的合成及热电性能研究

ID:32460562

大小:2.33 MB

页数:77页

时间:2019-02-06

ag和ga掺杂pbte基化合物的合成及热电性能研究_第1页
ag和ga掺杂pbte基化合物的合成及热电性能研究_第2页
ag和ga掺杂pbte基化合物的合成及热电性能研究_第3页
ag和ga掺杂pbte基化合物的合成及热电性能研究_第4页
ag和ga掺杂pbte基化合物的合成及热电性能研究_第5页
资源描述:

《ag和ga掺杂pbte基化合物的合成及热电性能研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库

1、武汉理工大学硕士学位论文摘要PbTe作为商业化热电材料之一主要应用于中温区域(500K~800K)的热电发电。PbTc是Ⅳ-VI族化合物半导体材料,其晶体结构属于NaCl结构,禁带宽度较窄(O.3eV),具有各向同性的结构、高的晶体对称性、低的晶格热导率等优点,是一种优良的中温热电材料。探索通过不同的掺杂元素来优化和改善PbTe材料的热电性能是国内外研究的热点。本文以Ag、Ga作为掺杂元素,探索了单相Ag、Ga单独掺杂及AgGa共掺PbTe化合物的合成与制备方法,系统地研究了Ga、Ag含量对PbTe化合物的结构和热电性能的影响规律,同时研究了制

2、备工艺对AgxGayPb!.x。Tc化合物热电性能的影响,研究结果表明:在n型Ga。Pbl.xTe(x=0.Ol加.05)化合物中,随着Ga取代分数x的增加,样品载流子浓度增加,载流子迁移率逐渐减小,载流子散射机制从声学波散射逐渐变为声学波和电离杂质共同散射;随着Cra含量的增加,化合物的电导率大幅度增加,Seebeck系数绝对值降低。随着Ga含量的增加,GaxPbl-xTe化合物的晶格热导率先减小后增加,当x=0.03时,Gao.03Pbo舯Te化合物晶格热导率最低。在所有组成化合物中,Gao.02Pbo.9fie化合物在675K时显示最大Z

3、T值达1.25,这比文献报道的11型PbTc的热电性能指数相比提高了近55%。在AgxPbl.xTe(x=o.002,4).05)化合物中,在整个测试温度范围内,样品的电导率随着温度升高先减小后缓慢增加,表现为典型的半导体传导特征。当x=0.01时,样品Seebeck系数为负,表现为n型传导;x>0.01时,样品Seebeck系数均为正,表现为P型传导。Ag掺杂主导了(AgGa),Pbl.2xTb(x=o.01--0.05)样品的传导特性,Ag含量为l%时,样品为n型传导;Ag含量高于l%时,样品为P型传导。在所制备的四元样品中,AgyGao.

4、01Pb099.yTe(v---0.01-4).05)样品表现出很好的单相性,A甑olGa,Pbo99.xTe(x--o.01--0.05)样品表现出较好的性能。Ago.olGao.olPbo.98Te样品在675K时得到的最大Z丁值达1.33。关键词:Ga、Ag掺杂,Ag、Ga共掺杂,PbTe化合物,制备,热电性能武汉理工大学硕士学位论文ABSTRACTLcadteUuridecompoundsareⅣ—vInarrowband-gap(o.3ev)semiconductorswhichpossessanaverageNaClcrystals

5、tructure.Itisoneofexcellentthermoelectricmaterialsinintermediatetemperaturerange(500K-800K)whichcombm髂asetofdesirablefeatures,e.g.isotmpicmorphology,highcrystalsymmetry,lowlatticethermalconductivity.OptimisingthethermoelectricperformanceofPbTecompoundsbychoosingproperdopants

6、havebeenthetargetofwidespreadinvestigationsaroundtheworldforseveralyears.Preparationmethodofsingle-phaseGa&AgdopedandcodopedPbTecompoundswereexploredinthispaper.TheinfluencesofGa,Ag-dopingonthestructureandthermoelectricpropertiesofPbTecompoundswereinvestigatedsystematically.

7、Meanwhile,wealsoinvestigatedtheinfluencesofthepreparationcraftonthethermoelectricpfoperti鹊ofAgoolGaiPbo.99-xTecompounds.Researchresultsindicatethat:Forn-typeGaxPbl.xTe(x=o.01--O.05)compounds,thetemperaturedependentcarrierconcentrationincreasedwhilethehallmobilitydecreasedwit

8、hincreasedGacontent,andthecarrierscatteringmechanismgraduallychangedfromall

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。