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时间:2019-02-04
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1、分类号密级注1UDC学位论文PDP驱动电路输出端ESD防护设计(题名和副题名)曲黎明(作者姓名)指导教师罗小蓉教授电子科技大学成都(姓名、职称、单位名称)申请学位级别硕士学科专业微电子与固体电子学提交论文日期2014.03论文答辩日期2013.05学位授予单位和日期电子科技大学2014年06月30日答辩委员会主席评阅人注1:注明《国际十进分类法UDC》的类号。DESIGNOFESDPROTECTIONFORTHEOUTPUTSTAGEOFPDPDRIVERICAMasterThesisSubmittedtoUniversityofElectronicScienceandTec
2、hnologyofChinaMajor:MicroelectronicsandSolidStateElectronicsAuthor:QuLimingAdvisor:ProfessorLuoXiaorongSchool:SchoolofMicroelectronicsandSolidStateElectronics独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本
3、研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。作者签名:日期:年月日论文使用授权本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文的规定,有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘,允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。(保密的学位论文在解密后应遵守此规定)作者签名:导师签名:日期:年月日摘要摘要本文主要研究等离子显示器(PlasmaDisplayPanel,PDP)驱动电路输出端的静电保护(Electro-Staticdischarge,
4、ESD)问题,属于高压静电防护设计领域,在芯片生产、测试等过程中会遭受静电放电损伤,而且高压器件的静电防护能力较弱,因此,静电防护设计存在重大意义。本论文的静电放电保护设计主要有三方面内容。(1)首先针对四种基本静电防护器件进行器件设计和工艺仿真,然后交于foundry流片,并进行了传输线脉冲(Transmissionlinepulse,TLP)测试。测试结果显示TLP测试和工艺仿真之间有良好的对应关系,其中LIGBT器件的全芯片静电防护能力最强,HBM可以达到6KV以上,同时设计者还发现器件的静电放电保护能力和防闩锁能力存在矛盾。(2)设计者又重点优化了LIGBT器件的结构
5、参数来最大程度的提高其静电放电能力,该优化的主要思路为减短静电放电电流路径,从而降低其静电放电时的导通电阻,尽量降低产生的热量,从而保护器件不受损毁,该针对器件结构优化一定程度改善了器件的抗静电放电能力,但未根本解决器件泄放电流能力和闩锁矛盾。(3)另一种设计思路是选择性触发寄生SiliconControlledRectifier(SCR)结构和PNP结构。其具体设计方案为用一个开关管来选择性控制静电放电能力强的SCR开启还是抗闩锁能力强的PNP开启,开关管用低压N-Mental-Oxide-Semiconductor(NMOS)来实现,针对该方案设计提出几种具体的实施方案,
6、通过仿真来看基本能很好的满足设计要求,从根本上解决了器件的静电放电能力和抗闩锁能力的不可调和矛盾,但需进一步进行流片和TLP测试验证。综上所述,LIGBT器件经过优化可以很好的满足设计要求,同时新提出的选择性触发SCR和PNP结构也经仿真验证其能很好的解决静电防护能力和抗闩锁能力的矛盾。关键词:等离子显示器,静电放电保护,闩锁效应,LIGBT器件,选择性触发寄生SCR和PNPIABSTRACTABSTRACTThispaperfocusesontheresearchofesdprotectionfortheoutputstageofPDPdriverIC,itbelongst
7、otherangeofhighvoltagedesign.Duringtheprocessofproductionandtest,theICiseasytobedamagedbytheESD,andtheESDabilityoftheHVdevicesisweak,sodesignofESDprotectionisveryimportant.Thepaperfocusesonthreeaspects.Firstofall,wedesignandsimulationfourdevices,thengive
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